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公开(公告)号：CN106848062B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201611249908.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得。本发明提供的太阳能电池无需空穴传输层，成本低，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN107723661A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710867656.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C14/14 , C23C14/16 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L31/032 , H01L31/0445
Abstract: 本发明涉及一种铜银元素比例可调的碘铜银三元化合物薄膜材料及其制备方法。碘铜银三元化合物薄膜材料为薄膜状，厚度100-500nm，所述碘铜银三元化合物分子式为CuxAg1-xI，其中x＝0.1-0.9。其制备方法如下：采用磁控溅射方法在基底材料表面溅射一层单质铜，再溅射一层单质银，然后将溅射有铜银的样品置于密封容器中，密封容器中另外放置有碘粒，室温下反应得到碘铜银三元化合物薄膜材料。本发明提供的碘铜银三元化合物薄膜材料为薄膜状，铜银元素比例在1：9-9：1范围内可调，可调控得到不同光学禁带宽度(2.7-3.0eV)的膜材料；其在常温条件下采用元素直接反应的方法合成，操作简单，反应迅速，制备过程绿色环保、耗能低。
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公开(公告)号：CN106848062A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611249908.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得。本发明提供的太阳能电池无需空穴传输层，成本低，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN107723661B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201710867656.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C14/14 , C23C14/16 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L31/032 , H01L31/0445
Abstract: 本发明涉及一种铜银元素比例可调的碘铜银三元化合物薄膜材料及其制备方法。碘铜银三元化合物薄膜材料为薄膜状，厚度100‑500nm，所述碘铜银三元化合物分子式为CuxAg1‑xI，其中x＝0.1‑0.9。其制备方法如下：采用磁控溅射方法在基底材料表面溅射一层单质铜，再溅射一层单质银，然后将溅射有铜银的样品置于密封容器中，密封容器中另外放置有碘粒，室温下反应得到碘铜银三元化合物薄膜材料。本发明提供的碘铜银三元化合物薄膜材料为薄膜状，铜银元素比例在1：9‑9：1范围内可调，可调控得到不同光学禁带宽度(2.7‑3.0eV)的膜材料；其在常温条件下采用元素直接反应的方法合成，操作简单，反应迅速，制备过程绿色环保、耗能低。
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