公开(公告)号：CN106848062A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611249908.1

申请日：2016-12-29

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  路凯 ,  雷岩 ,  齐瑞娟 ,  刘江 ,  杨晓刚 ,  赵超亮 ,  刘松子 ,  宋皓

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得。本发明提供的太阳能电池无需空穴传输层，成本低，光电转换效率高。

公开(公告)号：CN106848062B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201611249908.1

申请日：2016-12-29

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  路凯 ,  雷岩 ,  齐瑞娟 ,  刘江 ,  杨晓刚 ,  赵超亮 ,  刘松子 ,  宋皓

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得。本发明提供的太阳能电池无需空穴传输层，成本低，光电转换效率高。