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公开(公告)号：CN109524478A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811327196.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及基于二硫化锡薄膜的柔性光电探测器件。本发明提供一种(001)晶面取向的二硫化锡薄膜，其为二硫化锡晶态薄膜，具有(001)晶面方向取向性。还提供一种基于二硫化锡薄膜的光电探测器件，包括权利要求1所述的二硫化锡薄膜，和平行设在二硫化锡薄膜上的两个电极。本发明的二硫化锡薄膜均匀性、致密性好，具有(001)晶面取向，有利于二硫化锡薄膜具有优良的柔性。本发明提供的二硫化锡光电探测器柔性好，可承受弯曲度高，且可承受大量弯曲次数，经过一万次以上弯曲性能基本保持不变。
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公开(公告)号：CN106848062A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611249908.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得。本发明提供的太阳能电池无需空穴传输层，成本低，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN112993078B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911212781.X
申请日：2019-12-02
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种湿法单质粉末常温反应制备碘铋铜光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将铜粉、铋粉、单质碘放在一密闭容器中，在室温20‑40℃下搅拌一段时间，加入溶剂和冰醋酸，继续搅拌反应一段时间生成CuBiI4，然后将反应液旋涂于基底材料上，退火处理，即可得到CuBiI4薄膜。该方法通过金属非金属单质粉末室温直接反应，加入冰醋酸有效抑制了BiOI的产生，得到了高纯度CuBiI4薄膜。对反应设备无特殊要求，条件温和，工艺简单，重复性好，可无限制大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109095784A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810824004.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将表面具有金属单质铋薄膜的基底材料，水平放置于含有卤化甲氨的反应釜内胆中，在惰性气氛、密封条件下，180-250℃控温反应，即可在基底材料表面原位制得铋基非铅钙钛矿Bi2(CH3NH3)3X9半导体光电薄膜材料，X为Cl，Br，I中的一种或两种的组合。本发明可大面积制备Bi2(CH3NH3)3X9半导体薄膜，操作简单，制备的Bi2(CH3NH3)3X9半导体薄膜结晶性好，结构性能稳定。
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公开(公告)号：CN115108581A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210790908.1
申请日：2022-07-05
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种常温制备铜锌锡硫纳米晶的化学方法。包括以下步骤：(1)提供反应中间体溶液：(2)然后在反应中间体溶液中加入含有硫负离子的硫化剂水溶液使金属离子前驱体硫化，反应迅速完成，得到铜锌锡硫材料。其可实现铜锌锡硫半导体材料的低温、绿色大量制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106848062B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201611249908.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及铜掺杂钙钛矿薄膜、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件。本发明提供铜掺杂钙钛矿薄膜，铜原位掺杂在钙钛矿晶格中，且铜铅含量比由铜掺杂钙钛矿薄膜表面到底部逐渐降低。其原位制备方法包括以下步骤：(1)沉积铜薄膜：先在基底材料上沉积一层铜薄膜；(2)制备碘化亚铜：将沉积好的铜薄膜在密闭容器中与碘反应，得到碘化亚铜薄膜；(3)制备钙钛矿：在得到的碘化亚铜薄膜上原位旋涂制备钙钛矿并通过退火处理原位制得。本发明提供的太阳能电池无需空穴传输层，成本低，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN115108581B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210790908.1
申请日：2022-07-05
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种常温制备铜锌锡硫纳米晶的化学方法。包括以下步骤：(1)提供反应中间体溶液：(2)然后在反应中间体溶液中加入含有硫负离子的硫化剂水溶液使金属离子前驱体硫化，反应迅速完成，得到铜锌锡硫材料。其可实现铜锌锡硫半导体材料的低温、绿色大量制备。
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公开(公告)号：CN112993078A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911212781.X
申请日：2019-12-02
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种湿法单质粉末常温反应制备碘铋铜光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将铜粉、铋粉、单质碘放在一密闭容器中，在室温20‑40℃下搅拌一段时间，加入溶剂和冰醋酸，继续搅拌反应一段时间生成CuBiI4，然后将反应液旋涂于基底材料上，退火处理，即可得到CuBiI4薄膜。该方法通过金属非金属单质粉末室温直接反应，加入冰醋酸有效抑制了BiOI的产生，得到了高纯度CuBiI4薄膜。对反应设备无特殊要求，条件温和，工艺简单，重复性好，可无限制大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109524478B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811327196.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及基于二硫化锡薄膜的柔性光电探测器件。本发明提供一种(001)晶面取向的二硫化锡薄膜，其为二硫化锡晶态薄膜，具有(001)晶面方向取向性。还提供一种基于二硫化锡薄膜的光电探测器件，包括权利要求1所述的二硫化锡薄膜，和平行设在二硫化锡薄膜上的两个电极。本发明的二硫化锡薄膜均匀性、致密性好，具有(001)晶面取向，有利于二硫化锡薄膜具有优良的柔性。本发明提供的二硫化锡光电探测器柔性好，可承受弯曲度高，且可承受大量弯曲次数，经过一万次以上弯曲性能基本保持不变。
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公开(公告)号：CN208248767U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201820475491.9
申请日：2018-04-04
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本实用新型涉及一种气氛保护样品瓶，包括瓶盖和瓶体，所述瓶体的瓶口为螺旋口设计，所述瓶盖包括与所述瓶体螺旋口相匹配的内盖，所述内盖的顶面设置三通管，所述三通管的一端连通瓶体、一端连通抽气泵或惰性气体瓶、一端插设有螺旋塞，所述螺旋塞可在所述三通管内旋转并移动，用作所述瓶体与瓶盖上三通管的通气口之间接通/关闭的控制阀门。本实用新型气氛保护样品瓶通过特殊的瓶盖设计，能够实现反复多次对药品试剂和实验样品的密封保存、真空保存和气氛保存。
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