公开(公告)号：CN112993078A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911212781.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  屈南南 ,  雷岩 ,  胡晓静 ,  赵文才 ,  赵超亮

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0445

Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种湿法单质粉末常温反应制备碘铋铜光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将铜粉、铋粉、单质碘放在一密闭容器中，在室温20‑40℃下搅拌一段时间，加入溶剂和冰醋酸，继续搅拌反应一段时间生成CuBiI4，然后将反应液旋涂于基底材料上，退火处理，即可得到CuBiI4薄膜。该方法通过金属非金属单质粉末室温直接反应，加入冰醋酸有效抑制了BiOI的产生，得到了高纯度CuBiI4薄膜。对反应设备无特殊要求，条件温和，工艺简单，重复性好，可无限制大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN112993078B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201911212781.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  屈南南 ,  雷岩 ,  胡晓静 ,  赵文才 ,  赵超亮

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0445

Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，涉及一种湿法单质粉末常温反应制备碘铋铜光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将铜粉、铋粉、单质碘放在一密闭容器中，在室温20‑40℃下搅拌一段时间，加入溶剂和冰醋酸，继续搅拌反应一段时间生成CuBiI4，然后将反应液旋涂于基底材料上，退火处理，即可得到CuBiI4薄膜。该方法通过金属非金属单质粉末室温直接反应，加入冰醋酸有效抑制了BiOI的产生，得到了高纯度CuBiI4薄膜。对反应设备无特殊要求，条件温和，工艺简单，重复性好，可无限制大规模工业化生产。