In+掺杂(001)晶面暴露含氧空位BiOCl纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN115636440B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202211537730.6

    申请日:2022-12-02

    申请人: 许昌学院

    摘要: 本发明公开了一种In+掺杂(001)晶面暴露含氧空位BiOCl纳米片可见光光催化剂及其制备方法。它以硝酸铋、硝酸铟和氯化钾为前躯体(铟元素与铋元素的物质的量比为1:100~5:100,以体积比为1:8~1:3的乙二醇和水的混合溶液为溶剂,在160oC~180oC反应10~30小时得到In3+掺杂(001)晶面暴露BiOCl纳米片,所得样品经紫外光照1~4小时得到In+掺杂(001)晶面暴露含氧空位BiOCl纳米片,其尺寸小于200 nm,厚度为15~25 nm。使用本发明方法制备的(001)晶面暴露BiOCl纳米片中In+与氧空位共存,铟元素取代了铋元素的位置,在可见光下能高效降解杀虫剂五氯酚钠。本发明工艺简单,成本低,环境友好,产率高,适合大规模生产,符合实际生产需要,有较大的应用潜力。

    一种卤铜铯晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN113955792B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202111219006.4

    申请日:2021-10-20

    申请人: 许昌学院

    IPC分类号: C01G3/00

    摘要: 本发明公开了一种卤铜铯晶体的制备方法。首先制备晶体母液:按铜与铯的原子比为2:1称量铜源和铯源;将称量好的铜源、铯源、氢卤酸混合均匀,氢卤酸过量,装入密闭反应釜中进行水热反应形成卤铜铯CsCu2X3晶体母液;卤铜铯晶体生长:在上述卤铜铯母液中,缓慢加入晶体生长剂,合成卤铜铯CsCu2X3晶体。本发明通过水热反应和晶体调节生长技术成功得到纯净的卤铜铯晶体,解决了卤铜铯晶体的制备难题,为卤铜铯晶体的制备提供了新思路。

    一种具有(201)优势晶面取向的超高性能柔性硒化银薄膜及发电器件

    公开(公告)号:CN115285946A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202111074461.X

    申请日:2021-09-14

    申请人: 许昌学院

    IPC分类号: C01B19/04 H01L35/16

    摘要: 本发明涉及具有(201)优势晶面取向的超高性能柔性硒化银薄膜及发电器件。其为柔性薄膜,柔性基底上生长有(201)晶面为优势生长晶面、柱状晶体贯穿的Ag2Se。本发明首次通过室温硒化反应,快速可控制备了具有(201)优势晶面取向、结晶性优良的均匀硒化银薄膜,其薄膜功率因子、热电优值可分别达到2590μW m‑1K‑2和1.2的超高值,并首次以此薄膜直接作为热电臂组装了系列柔性薄膜热电发电器件,室温工作条件下器件功率密度达到27.6±1.95W·m‑2(30K温差)和124±8.78W·m‑2(60K温差)的超高性能,具有广阔的商业化应用前景。

    一种海藻绿色陶瓷釉及其制备方法

    公开(公告)号:CN113999053A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111408377.7

    申请日:2021-11-19

    申请人: 许昌学院

    摘要: 本发明公开了一种海藻绿色陶瓷釉及其制备方法,属于陶瓷釉制备技术领域,具体是将麦饭石粉、方解石、纳米氧化锰按照一定比例配制为釉料,通过行星球磨将釉料制成釉浆,采用浸釉法施加釉料于素烧陶瓷素坯表面,将施釉素坯干燥后置于程序可控高温炉中在还原气氛条件下烧制,得到具有海藻绿色釉层呈色效果的陶瓷釉产品;上述原料易得,配比简单且烧制条件易实现,利用简单的矿物原料与微量的纳米氧化锰在简单烧制条件下制备出了具有新型海藻绿色的陶瓷釉,此陶瓷釉可应用于陈设艺术瓷领域。

    一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法

    公开(公告)号:CN107245689B

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN201710358213.5

    申请日:2017-05-19

    申请人: 许昌学院

    IPC分类号: C23C8/06

    摘要: 本发明涉及一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法。该方法为:将沉积有单质铅薄膜的基底与卤化甲胺在真空或负压条件下加热,使卤化甲胺蒸汽充满反应容器,在200℃~300℃条件下反应,反应时间小于等于50min,即可在基底材料表面原味制备出晶粒大、结晶性好、表面均匀的卤化甲胺铅半导体薄膜材料CH3NH3PbX3,X=Cl,Br,I或其中一种或两种的组合。本发明方法可大面积快速制备卤化甲胺铅薄膜、制备的卤化甲胺铅薄膜厚度均匀性好,卤化甲胺铅结晶好晶体粒径大,直径可达到0.5‑2微米,优选可达到1‑3微米,克服了传统方法成膜晶粒小的问题。具有广泛的实验室器件研究及工业应用前景。