公开(公告)号：CN107245689A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710358213.5

申请日：2017-05-19

申请人： 许昌学院

发明人： 雷岩 ,  谷龙艳 ,  张磊磊 ,  郑直 ,  杨晓刚 ,  高远浩 ,  铁伟伟

IPC分类号： C23C8/06

CPC分类号： C23C8/06

摘要： 本发明涉及一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法。该方法为：将沉积有单质铅薄膜的基底与卤化甲胺在真空或负压条件下加热，使卤化甲胺蒸汽充满反应容器，在200℃～300℃条件下反应，反应时间小于等于50min，即可在基底材料表面原味制备出晶粒大、结晶性好、表面均匀的卤化甲胺铅半导体薄膜材料CH3NH3PbX3，X＝Cl，Br，I或其中一种或两种的组合。本发明方法可大面积快速制备卤化甲胺铅薄膜、制备的卤化甲胺铅薄膜厚度均匀性好，卤化甲胺铅结晶好晶体粒径大，直径可达到0.5‑2微米，优选可达到1‑3微米，克服了传统方法成膜晶粒小的问题。具有广泛的实验室器件研究及工业应用前景。

公开(公告)号：CN107245689B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201710358213.5

申请日：2017-05-19

申请人： 许昌学院

发明人： 雷岩 ,  谷龙艳 ,  张磊磊 ,  郑直 ,  杨晓刚 ,  高远浩 ,  铁伟伟

IPC分类号： C23C8/06

摘要： 本发明涉及一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法。该方法为：将沉积有单质铅薄膜的基底与卤化甲胺在真空或负压条件下加热，使卤化甲胺蒸汽充满反应容器，在200℃～300℃条件下反应，反应时间小于等于50min，即可在基底材料表面原味制备出晶粒大、结晶性好、表面均匀的卤化甲胺铅半导体薄膜材料CH3NH3PbX3，X＝Cl，Br，I或其中一种或两种的组合。本发明方法可大面积快速制备卤化甲胺铅薄膜、制备的卤化甲胺铅薄膜厚度均匀性好，卤化甲胺铅结晶好晶体粒径大，直径可达到0.5‑2微米，优选可达到1‑3微米，克服了传统方法成膜晶粒小的问题。具有广泛的实验室器件研究及工业应用前景。

公开(公告)号：CN106449367A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611039072.2

申请日：2016-11-21

申请人： 许昌学院

发明人： 雷岩 ,  谷龙艳 ,  贾祖孝 ,  路凯 ,  张磊磊 ,  铁伟伟 ,  郑直

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02425 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02614

摘要： 本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法。该方法为：将铜锌合金薄膜放置到碘蒸汽环境中45～80℃进行铜锌合金的共氧化反应，反应时间3-8h，反应一定时间后即可在基底表面原位制备出Cu2ZnI4薄膜，即碘化铜锌半导体薄膜材料。这种制备方法不需要使用有机溶剂参与反应或者反应介质；晶体结晶好；所得产物不需要复杂处理就可直接使用。操作简单、反应迅速、绿色环保，能耗低，使用原料成本低廉，重现性好。另外，该方法在基底表面直接成膜，更加有利于该种材料在光电转换器件中的应用。

公开(公告)号：CN106449367B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201611039072.2

申请日：2016-11-21

申请人： 许昌学院

发明人： 雷岩 ,  谷龙艳 ,  贾祖孝 ,  路凯 ,  张磊磊 ,  铁伟伟 ,  郑直

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法。该方法为：将铜锌合金薄膜放置到碘蒸汽环境中45～80℃进行铜锌合金的共氧化反应，反应时间3‑8h，反应一定时间后即可在基底表面原位制备出Cu2ZnI4薄膜，即碘化铜锌半导体薄膜材料。这种制备方法不需要使用有机溶剂参与反应或者反应介质；晶体结晶好；所得产物不需要复杂处理就可直接使用。操作简单、反应迅速、绿色环保，能耗低，使用原料成本低廉，重现性好。另外，该方法在基底表面直接成膜，更加有利于该种材料在光电转换器件中的应用。