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公开(公告)号：CN110660914A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810684416.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。该方法通过简单的气固反应原位、低温即可制备碘铋铜三元化合物半导体薄膜材料，反应条件温和，工艺简单。
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公开(公告)号：CN110660915B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810684417.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。本发明简单、快捷、温和、绿色，进而与p型有机半导体Spiro‑OMeTAD复合，最终组装成太阳能电池器件。电池结构简单，只有两层电极和一层CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层，成本低。
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公开(公告)号：CN110660915A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810684417.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI4：Spiro-OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。本发明简单、快捷、温和、绿色，进而与p型有机半导体Spiro-OMeTAD复合，最终组装成太阳能电池器件。电池结构简单，只有两层电极和一层CuBiI4：Spiro-OMeTAD共混层，成本低。
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公开(公告)号：CN110660914B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810684416.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。该方法通过简单的气固反应原位、低温即可制备碘铋铜三元化合物半导体薄膜材料，反应条件温和，工艺简单。
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公开(公告)号：CN109095784A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810824004.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将表面具有金属单质铋薄膜的基底材料，水平放置于含有卤化甲氨的反应釜内胆中，在惰性气氛、密封条件下，180-250℃控温反应，即可在基底材料表面原位制得铋基非铅钙钛矿Bi2(CH3NH3)3X9半导体光电薄膜材料，X为Cl，Br，I中的一种或两种的组合。本发明可大面积制备Bi2(CH3NH3)3X9半导体薄膜，操作简单，制备的Bi2(CH3NH3)3X9半导体薄膜结晶性好，结构性能稳定。
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