一种单源前驱体制备α-三氧化二铁薄膜的光电极的方法

    公开(公告)号:CN105039938B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201510342675.9

    申请日:2015-06-19

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明提供了一种单源前驱体制备α‑三氧化二铁薄膜的光电极的方法。以柠檬酸铁铵为原料在160‑200度或以草酸高铁铵为原料在90‑180度下水热沉积得到牢固致密的α‑三氧化二铁薄膜。本方法制备的α‑三氧化二铁薄膜可以直接沉积到F掺杂的二氧化锡(FTO)导电玻璃基片上。经过乙醇还原再氧化的过程活化的α‑三氧化二铁薄膜光电性能良好。本发明的优点:避免了使用多种反应前驱物,无需调节溶液中的其他添加剂的浓度;并且直接获得了α‑三氧化二铁薄膜,无需经过FeOOH退火转化为α‑三氧化二铁的过程,降低了制造成本。

    一种单源前驱体制备α-氧化铁薄膜的光电极的方法

    公开(公告)号:CN105039938A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510342675.9

    申请日:2015-06-19

    Applicant: 许昌学院

    Abstract: 本发明提供了一种通过单源可溶配合物铁盐为前驱物一步法水热沉积氧化铁薄膜的方法。以柠檬酸高铁铵或草酸高铁铵为原料,在90-200度下水热沉积得到牢固致密的氧化铁薄膜。本方法制备的氧化铁薄膜可以直接沉积到F掺杂的二氧化锡导电玻璃、表面处理的不锈钢基片以及普通玻璃上。经过乙醇还原再氧化的过程活化的薄膜光电性能良好。本发明的优点:避免了使用多种反应前驱物,无需调节溶液中的其他添加剂的浓度;并且直接获得了氧化铁薄膜,无需经过FeOOH退火转化为氧化铁的过程,降低了制造成本。

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