公开(公告)号：CN117730412A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280049339.3

申请日：2022-06-13

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 贝恩德·屈滕 ,  费利克斯·蔡斯

IPC: H01L23/49 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明涉及一种具有半导体元件(4)、基底(6)和接合连接器(20a，20b，20c，34，58)的半导体装置(2)。为了与现有技术相比实现改善的接线而提出：半导体元件(4)尤其整体接合地与基底(6)连接，半导体元件(4)在背离基底(6)的一侧上具有至少一个接触面(8)，半导体元件(4)的至少一个接触面(8)经由至少一个第一接合连接器(20a，20b，20c)与基底(6)连接，至少一个第一接合连接器(20a，20b，20c)在接触面(8)上分别形成至少一个第一缝合接触部(22a，22b，22c)，第一缝合接触部布置在相应的第一接合连接器(20a，20b，20c)的第一环路(24a，24b，24c)与第二环路(26a，26b，26c)之间，第一环路(24a，24b，24c)具有第一最大部(28a，28b，28c)并且第二环路(26a，26b，26c)具有第二最大部(30a，30b，30c)，第二接合连接器(34)的第一横向环路(32)布置成在第一缝合接触部(22a，22b，22c)之上延伸并且平行于接触面(8)地看布置在第一环路(24a，24b，24c)的第一最大部(28a，28b，28c)与第二环路(26a，26b，26c)的第二最大部(30a，30b，30c)之间，第二接合连接器(34)的第一横向环路(32)布置成尤其完全地在第一环路(24a，24b，24c)的第一最大部(28a，28b，28c)和/或第二环路(26a，26b，26c)的第二最大部(30a，30b，30c)之下延伸。

公开(公告)号：CN118749133A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202280090008.4

申请日：2022-11-28

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 马库斯·拉施 ,  罗兰·洛尔茨 ,  马库斯·普法伊费尔 ,  斯特凡·斯特格迈尔 ,  埃里克·魏斯布罗德 ,  龙尼·维尔纳 ,  费利克斯·蔡斯

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/34 ,  H01L23/498 ,  H05K1/03 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体布置(50)的组件(2)，组件包括至少一个被动元件(4)和基底(6)，其中，基底(6)具有介电材料层(8)和布置在介电材料层(8)上的第一金属化部(10)。为了减小组件(2)的安装空间并且实现改善散热而提出：将被动元件(4)完全布置在第一金属化部(10)的凹部(14)中并且直接放置在介电材料层(8)上。

公开(公告)号：CN116569329A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082915.X

申请日：2021-11-03

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 斯特凡·普费弗莱因 ,  费利克斯·蔡斯

IPC: H01L23/373

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块(2)，其具有至少一个半导体元件(4)、第一基板(8)和第二基板(14)。与现有技术相比，为了实现更高的可靠性而提出：至少一个半导体元件(4)在第一侧(6)上与第一基板(8)以平面接触并且在背离第一侧(6)的第二侧(10)上与金属散热器(12)以平面接触，其中，金属散热器(12)与半导体元件(4)导热连接并且与第二基板(14)导电连接。

公开(公告)号：CN119999340A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380069604.9

申请日：2023-06-28

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 马蒂亚斯·奈里格 ,  费利克斯·蔡斯

IPC: H05K1/02 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00 ,  H02M7/219 ,  H02M7/5387 ,  H05K5/00 ,  H05K5/02 ,  H05K7/14

Abstract: 本发明涉及一种用于功率模块的基板(1)，其中，该基板(1)在平面图中基本上设计为矩形并具有两个相对置的长侧(2A，2B)和两个相对置的短侧(3A，3B)，并且其中，该基板(1)具有多个半导体(4)，半导体用于将三相交流电压(AC)转换为正、中、负直流电压(DC)，或将正、中、负直流电压(DC)转换为三相交流电压(AC)。特别地，为了提供改进的基板而提出，该基板还具有：布置在长侧(2A，2B)上的三个交流接头(AC1，AC2，AC3)；布置在第一短侧(3A)上的正直流接头(DCP)；布置在第一短侧(3A)上的第一中间直流接头(DCM1)；布置在第二短侧(3B)上的第二中间直流接头(DCM2)；以及布置在第二短侧(3B)上的负直流接头(DCN)，其中，正直流接头(DCP)被布置成比第一中间直流接头(DCM1)更靠近第一长侧(2A)，并且负直流接头(DCN)被布置成比第二中间直流接头(DCM2)更靠近第二长侧(2B)。

公开(公告)号：CN114078833A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110949238.9

申请日：2021-08-18

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 罗伯特·戈斯波斯 ,  卢茨·纳米斯洛 ,  贝恩德·屈滕 ,  费利克斯·蔡斯 ,  迈克尔·恩德雷斯 ,  西尔维奥·赫内 ,  彼得罗·博塔佐利

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性，提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10)，其中，壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC)，其中，基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24)，其中，馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上，使得实现对称的电流引导。

公开(公告)号：CN114078833B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202110949238.9

申请日：2021-08-18

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 罗伯特·戈斯波斯 ,  卢茨·纳米斯洛 ,  贝恩德·屈滕 ,  费利克斯·蔡斯 ,  迈克尔·恩德雷斯 ,  西尔维奥·赫内 ,  彼得罗·博塔佐利

IPC: H10D80/20 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性，提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10)，其中，壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC)，其中，基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24)，其中，馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上，使得实现对称的电流引导。

公开(公告)号：CN118077046A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280066064.4

申请日：2022-08-05

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 迈克尔·恩德雷斯 ,  罗伯特·戈斯波斯 ,  贝恩德·屈滕 ,  费利克斯·蔡斯

IPC: H01L23/64 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L23/538 ,  H01L23/373 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明涉及一种半导体组件(2)，其包括至少两个尤其并联连接的半导体元件(4)、绝缘基底(6)和连接元件(44)，基底(6)具有彼此电绝缘的导轨(10，12，14)，半导体元件(4)尤其以材料接合的方式连接至基底(6)的第一导轨(10)并且在背离基底(6)的一侧上各自具有至少一个接触面(26)，半导体元件(4)的至少一个接触面(26)通过第一接合连接器(28)连接至基底(6)的第二导轨(12)，第二导轨(12)通过导电连接器(32，32a，32b，32c，32d)连接至基底(6)的第三导轨(14)，第三导轨(14)连接至连接元件(44)，从半导体元件(4)到连接元件(44)分别形成具有电流路径阻抗的电流路径。为了实现更长的使用寿命并且节省成本而在此提出，导电连接器(32，32a，32b，32c，32d)的尺寸和/或布置设计成使得相应的电流路径的电流路径阻抗基本上平衡。

公开(公告)号：CN116711195A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180091003.9

申请日：2021-12-01

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 费利克斯·蔡斯 ,  菲利普·克奈斯尔 ,  延斯·施门格

IPC: H02M1/12

Abstract: 本发明涉及一种具有至少两个尤其相同的功率半导体模块(4，6)的功率转换器(2)。为了实现与现有技术相比更高的可靠性而提出，功率半导体模块(4，6)各自具有至少一个功率半导体(10，12)和多个功率触点(18，20，22，24，46，48)，功率半导体(10，12)与相应的功率半导体模块(4，6)的功率触点(18，20，22，24，46，48)导电地连接，功率触点(18，20，22，24，46，48)为了功率半导体模块(4，6)的并联而分别通过外部电路(32，34，54)导电地相连，功率半导体(10，12)通过至少一个附加的连接器(36)导电地相互连接，至少一个附加的连接器(36)具有与外部电路(32，34，54)相比更小的寄生电感和/或更小的串联电阻。

公开(公告)号：CN116635700A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180080861.3

申请日：2021-10-13

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 菲利普·克奈斯尔 ,  费利克斯·蔡斯 ,  马库斯·普法伊费尔

IPC: G01K7/18

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块(8)，具有至少一个半导体元件(10)、基板(12)和至少一个键合连接机构(2)，其中，半导体元件(10)和/或基板(12)与至少一个键合连接机构(2)连接。为了实现优化布局而提出，键合连接机构(2)具有芯(4)和护套(6)，护套包覆芯(4)、特别是完全包覆芯，其中，芯(4)由第一金属材料制成和护套(6)由与第一金属材料不同的第二金属材料制成，并且其中，芯(4)的第一金属材料具有比护套(6)的第二金属材料更低的电导率，其中，至少一个键合连接机构(2)配置为栅极电阻、分流器、RC滤波器中的电阻或保险丝。