公开(公告)号：CN115885383A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180052865.0

申请日：2021-06-18

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 胡贝特·席尔林 ,  延斯·施门格

IPC: H01L23/373

Abstract: 本发明涉及一种用于具有冷却体(22)的电能转换器的半导体模块(52)，其中，该冷却体(22)具有用于布置至少一个半导体元件(28)的安装表面(24)，其中在该安装表面(24)中形成至少形成一开口凹槽(36，38)，其中至少一个半导体元件(28)布置在安装表面(24)上。根据本发明，冷却体(22)具有至少一个电导线(44，46)，该电导线具有至少一个连接区域(40，42)，用于连接至少一个半导体元件(28)，该电导线至少部分地布置在至少一个凹槽(36，38)中，其中半导体元件(28)连接到冷却体(22)的至少一个电导线(44，46)。

公开(公告)号：CN116711195A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180091003.9

申请日：2021-12-01

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 费利克斯·蔡斯 ,  菲利普·克奈斯尔 ,  延斯·施门格

IPC: H02M1/12

Abstract: 本发明涉及一种具有至少两个尤其相同的功率半导体模块(4，6)的功率转换器(2)。为了实现与现有技术相比更高的可靠性而提出，功率半导体模块(4，6)各自具有至少一个功率半导体(10，12)和多个功率触点(18，20，22，24，46，48)，功率半导体(10，12)与相应的功率半导体模块(4，6)的功率触点(18，20，22，24，46，48)导电地连接，功率触点(18，20，22，24，46，48)为了功率半导体模块(4，6)的并联而分别通过外部电路(32，34，54)导电地相连，功率半导体(10，12)通过至少一个附加的连接器(36)导电地相互连接，至少一个附加的连接器(36)具有与外部电路(32，34，54)相比更小的寄生电感和/或更小的串联电阻。

公开(公告)号：CN116671267A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180084419.8

申请日：2021-10-28

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 罗曼·克格勒 ,  贝恩德·罗佩尔特 ,  延斯·施门格 ,  托马斯·施温

IPC: H05K7/20

Abstract: 本发明涉及一种用于包围至少部分构造在散热器(8)之内和/或之上的功率单元(11)和用于将驱控单元(20)相对于功率单元(11)定心的设备(1)，其中，功率单元(11)包括至少一个半导体器件(6)和基板(7)，该设备具有：框架(2)，其中，框架(2)至少部分地、优选地完全环绕基板(7)；至少一个第一类型的突出件(3)，其中，第一类型的突出件(3)设计用于接合到散热器(8)的凹部或开口(12)中；至少一个第二类型的突出件(4)，其中，第二类型的突出件(4)设计用于接合到具有至少一个电子器件(24)的驱控单元(20)的凹部或开口(21)中。

公开(公告)号：CN116018505A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180053339.6

申请日：2021-06-22

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 贝恩德·罗佩尔特 ,  延斯·施门格

IPC: G01K7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于确定用于对至少一个电子构件(2)散热的冷却体(3)的污染的方法。沿着从至少一个构件(2)到冷却体(3)的热传递链持续检测通过构件(2)控制的负载曲线(I(t))和至少一个温度曲线(θ1(t)，θ2(t)，θ3(t))。在训练阶段(T)中，确定决策函数，该决策函数设置用于应用于负载曲线(I(t))的部段和应用于温度曲线(θ1(t)，θ2(t)，θ3(t))的至少一个对应检测的部段。在分类阶段(K)中，如果负载曲线(I(t))的呈现给决策函数的部段与负载曲线(I(t))的在训练阶段(T)中检测到的部段类似并且如果温度曲线(θ1(t)，θ2(t)，θ3(t))的至少一个对应的部段与相应的温度曲线(θ1(t)，θ2(t)，θ3(t))的在训练阶段(T)中对应检测的部段类似，则才探测到冷却体(3)的未被污染的状态。

公开(公告)号：CN119631177A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380057248.9

申请日：2023-08-02

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 马蒂亚斯·奈里格 ,  罗曼·克格勒 ,  丹尼尔·卡保夫 ,  延斯·施门格 ,  斯特凡·普费弗莱因

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467

Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有至少一个半导体组件（28）和散热器（2）的半导体模块（4）的方法，该方法包括以下步骤：提供由第一金属材料制成的散热器（2）；将空腔（14）引入到（54）散热器表面（12）里，其中，空腔（14）具有特别地平行于散热器表面（12）延伸的底面（16）和至少一个壁部（18）；在空腔（14）中借助于热喷涂法，涂覆（56）导热率高于第一金属材料的第二金属材料，以形成热扩散层（22）；连接（60）半导体组件（28）与热扩散层（22）。为了改善第二金属材料在空腔（14）中的热接触而提出，在引入（54）空腔（14）时，在底面（16）与至少一个壁部（18）之间分别形成钝角（α）。

公开(公告)号：CN119547191A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380057250.6

申请日：2023-07-26

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 马蒂亚斯·奈里格 ,  延斯·施门格

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/373 ,  H01L23/46 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明涉及一种具有至少第一半导体组件（4）、第二半导体组件（6）和公共的散热器（14）的半导体模块（2），其中，散热器（14）被配置成，使得将冷却流体沿冷却流体流动方向（18）引导，其中，半导体组件（4，6）布置在散热器（14）的表面（12）上，其中，半导体组件（4，6）分别具有基板（22，24），在所述基板上分别连接有至少一个半导体元件（28）、特别是材以料配合的方式连接，其中，基板（22，24）分别包括介电材料层（30，32）。为了实现改进的可靠性而提出：第二半导体组件（6）的第二介电材料层（32）与第一半导体组件（4）的第一介电材料层（30）至少在热导率方面不同。

公开(公告)号：CN115191025A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202180017501.9

申请日：2021-01-14

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 丹尼尔·卡保夫 ,  斯坦尼斯拉夫·帕尼塞尔斯基 ,  延斯·施门格

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H05K7/20 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及一种用于制造功率模块单元(4)的方法。为了改进功率模块单元(4)的散热而提出：将冷却片(6)定位在特别是金属的框架(8)的凹陷部(10)中，其中，借助于热喷涂法将第一金属材料(14)施加到冷却片(6)和框架(8)上，其中，通过所施加的第一金属材料(14)在冷却片(6)与框架(8)之间建立材料配合的连接。

公开(公告)号：CN119452460A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380050750.7

申请日：2023-05-05

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 延斯·施门格

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有半导体元件(4)和基板(12)的半导体组件(2)的方法，该方法包括以下步骤：将半导体元件(4)的第一负载接触部(6)与基板(12)的第一金属化部(10)材料配合地结合(A)，‑将金属成型体(20)与半导体元件(4)的第二负载接触部(8)材料配合地结合(A)，所述第二负载接触部布置在半导体元件(4)的背离基板(12)的面上，‑将构成为金属片的轮廓化接触元件(22)与半导体元件(4)的第二负载接触部(8)经由金属成型体(20)接触(B)，其中，借助于轮廓化部(26)构成多个接触点(28)，‑将轮廓化接触元件(22)经由壳体盖(30)压紧(C)到半导体元件(4)，其中，轮廓化接触元件(22)与基板(12)的第一金属化部(10)接触以连接第二负载接触部(8)。本发明还涉及对应的半导体组件。

公开(公告)号：CN117796169A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280055645.8

申请日：2022-06-08

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 于尔根·金佩尔 ,  贝恩德·罗佩尔特 ,  延斯·施门格 ,  托马斯·施温

IPC: H05K7/20

Abstract: 本发明涉及一种用于冷却至少一个半导体(2)的方法。为了针对半导体的服务寿命改进冷却，在能预定的时间段期间确定半导体的负载的时间曲线，并且根据半导体(2)的由负载的确定的时间曲线引起的负载循环来开环或闭环控制用于冷却至少一个半导体(2)的冷却装置(3)。本发明还涉及一种功率单元(1)，其包括至少一个半导体(2)、用于冷却至少一个半导体(2)的冷却装置(3)和控制单元(4)，冷却装置(3)的冷却功率是可控的，并且控制单元(4)被设计用于借助这种方法来开环或闭环控制冷却装置(3)的冷却功率。本发明还涉及具有至少一个这种功率单元(1)的功率变换器(10)。

公开(公告)号：CN116454027A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310028282.5

申请日：2023-01-09

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 延斯·施门格 ,  罗曼·克格勒 ,  托马斯·施温 ,  贝恩德·罗佩尔特

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/40 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明涉及功率模块(10)，其具有：至少一个冷却体(8)；至少一个功率单元(11)，功率单元包括至少一个半导体元件(6)和基板(7)；用于将至少部分地构造在冷却体之内和/或之上的功率单元包围并用于将驱控单元(20)相对于功率单元定心的装置(1)，该装置包括：框架(2)，框架至少部分地、优选完全地围绕基板；至少一个第一凸出部段(3)，第一凸出部段接合到冷却体的凹槽或开口(12)中；至少一个第二凸出部段(4)，第二凸出部段构造用于接合到具有至少一个电子器件(24)的驱控单元的凹槽或开口或缺口(21)中，第二凸出部段的轮廓在横截面中观察至少基本构造成星的形状，该星具有至少一个第一腿部、第二腿部和第三腿部。