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公开(公告)号：CN112673469A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980059484.8
申请日：2019-07-03
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L23/367 , F28D15/02 , H01L23/467 , H01L21/48 , H05K7/20
Abstract: 本发明涉及用于制造功率模块单元(1)的方法以及功率模块单元(1)。本发明还涉及电源部件和变频器。为了制造功率模块单元(1)而设置具有凹部(9)的基板(3)。基板与承载功率半导体(5)的衬底(4)连接。在衬底(4)固定在基板上之后将冷却肋片(7)导入基板(3)的凹部(9)中并且以力配合和/或形状配合的方式固定。通过该实施方式，可以根据需要设计具有冷却肋片(7)的功率模块单元(1)，并且同时简化功率模块单元(1)的制造。
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公开(公告)号：CN114078833A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110949238.9
申请日：2021-08-18
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/50 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性，提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10)，其中，壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC)，其中，基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24)，其中，馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上，使得实现对称的电流引导。
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公开(公告)号：CN114078833B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110949238.9
申请日：2021-08-18
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H10D80/20 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/50 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性，提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10)，其中，壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC)，其中，基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24)，其中，馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上，使得实现对称的电流引导。
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公开(公告)号：CN118077046A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280066064.4
申请日：2022-08-05
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L23/64 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L23/538 , H01L23/373 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体组件(2)，其包括至少两个尤其并联连接的半导体元件(4)、绝缘基底(6)和连接元件(44)，基底(6)具有彼此电绝缘的导轨(10，12，14)，半导体元件(4)尤其以材料接合的方式连接至基底(6)的第一导轨(10)并且在背离基底(6)的一侧上各自具有至少一个接触面(26)，半导体元件(4)的至少一个接触面(26)通过第一接合连接器(28)连接至基底(6)的第二导轨(12)，第二导轨(12)通过导电连接器(32，32a，32b，32c，32d)连接至基底(6)的第三导轨(14)，第三导轨(14)连接至连接元件(44)，从半导体元件(4)到连接元件(44)分别形成具有电流路径阻抗的电流路径。为了实现更长的使用寿命并且节省成本而在此提出，导电连接器(32，32a，32b，32c，32d)的尺寸和/或布置设计成使得相应的电流路径的电流路径阻抗基本上平衡。
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