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公开(公告)号：CN116868499A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180093743.6
申请日：2021-12-10
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H02P5/00
Abstract: 为了在用于两个马达(M1，M2)的具有半导体装置(H1，H2)的功率转换器装置(20)中保护该功率转换器装置免受损坏，建议：借助于控制单元(21)——从第一电流(I1实际)和第二电流(I2实际)中连续地形成总电流(IS)并将总电流(IS)与可预设的最大值(Max)进行比较，其中，控制单元(21)具有存储机构(SM)，在该存储机构中能够由用户(1)输入优先权等级(PR)，其中，优先权等级(PR)描述两个机器(M1，M2)之一的优先权，控制单元(21)还设计用于：在超过最大值(Max)的情况下减小根据优先权等级(P)不具有优先权的相应的机器(M1，M2)的电流(I1实际，I2实际)。
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公开(公告)号：CN114078833A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110949238.9
申请日：2021-08-18
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/50 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性，提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10)，其中，壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC)，其中，基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24)，其中，馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上，使得实现对称的电流引导。
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公开(公告)号：CN116325137A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180071977.0
申请日：2021-08-19
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种用于冷却半导体组件(T1，T2，T3)的装置(1)，其包括具有组件侧(BS)和与组件侧(BS)相对置的结构元件侧(SES)的冷却体基部(KKB)，其中，在冷却介质(11)的流动方向(10)上能够依次布置半导体组件(T1，T2，T3)，其中，结构元件侧(SES)为了扩大其表面而设计有结构元件(SE)，其中，结构元件侧(SES)设计为，使得参与冷却的结构元件(SE)的密度(D)相对于冷却区(K1，K2，K3)在流动方向(10)上增加。
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公开(公告)号：CN114514801A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080068311.5
申请日：2020-08-21
Applicant: 西门子股份公司
Abstract: 本发明涉及一种用于至少一个电构件(5至7)的载体(3)。该载体(3)包括：具有冷却体表面(31)和两个从冷却体表面(31)突出的、相对置的侧壁(25)的冷却体(11)；两个平放在冷却体表面(31)上彼此间隔开的密封块(13)，密封块分别在两个侧壁(25)之间延伸并且在紧靠两个侧壁(25)的每一个侧壁处；和在冷却表面(31)上在两个密封块(13)之间布置的、用于至少一个电构件(5至7)的载体结构(15)。
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公开(公告)号：CN115917737A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180046414.6
申请日：2021-05-04
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L23/467
Abstract: 本发明涉及一种具有至少两个功率单元(4)的功率模块(2)，功率单元分别包括至少一个功率半导体(6)和基底(8)。为了减小功率模块所需的结构空间并改进散热而提出，将相应至少一个功率半导体(6)特别是材料配合地与相应的基底(8)连接，其中，基底(8)将至少两个功率单元(4)分别直接与公共冷却体(26)的表面(24)材料配合地连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114142711A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110926506.5
申请日：2021-08-12
Applicant: 西门子股份公司
Abstract: 本发明涉及具有优化的拓扑结构的多级变流器，尤其涉及一种电功率电路，其具有各自带有上侧面和下侧面的基板和第一电路板。基板的下侧面与冷却体连接。在基板的上侧面布置有第一电开关元件，借助其能使在相位端上存在的交流电势接通至在第一电势端上存在的高直流电势并接通至在第二电势端上存在的低直流电势。借助第二电开关元件能使交流电势接通至在第三电势端上存在的中直流电势。基板以到第一电路板的间距布置在第一电路板的下侧面之下，以使基板的上侧面朝向第一电路板。基板与第一电路板电连接。第二电开关元件至少布置在第一电路板的上侧面，在可行情况下也布置在第一电路板的下侧面处。
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公开(公告)号：CN114078833B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110949238.9
申请日：2021-08-18
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H10D80/20 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/50 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性，提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10)，其中，壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC)，其中，基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24)，其中，馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上，使得实现对称的电流引导。
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公开(公告)号：CN116530224A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180072332.9
申请日：2021-08-19
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明涉及一种用于多个半导体构件(T1，...，T6)的冷却体装置(KKA)，该冷却体装置包括第一冷却体(1)和第二冷却体(2)，第一冷却体和第二冷却体各自具有构件侧(BS1，BS2)和装有冷却肋片(F)的冷却肋片侧(KR1，KR2)，它们连续地布置，使得冷却介质(11)在流动方向(10)上首先流过由第一冷却体(1)的冷却肋片(F)形成的冷却通道(K1i)，然后流过由第二冷却体(2)的冷却肋片(F)形成的冷却通道(K2i)，其中，第一入口横截面(Q1)借助分隔件相对于第二入口横截面(Q2)减小，该第一入口横截面在第一冷却体(1)的入口侧(E1)由第一冷却体(1)的配属的冷却通道(K1i)的单独横截面(EQK1i)组成，该分隔件在第一冷却体(1)的入口侧(E1)上至少部分地覆盖冷却通道(K1i)，该第二入口横截面在第二冷却体(2)的入口侧(E2)上由第二冷却体(2)的配属的冷却通道(K2i)的单独横截面(EQK2i)组成。
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