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公开(公告)号:CN114078833B
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202110949238.9
申请日:2021-08-18
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H10D80/20 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/50 , H02M1/00 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块,其中,该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性,提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10),其中,壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC),其中,基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24),其中,馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上,使得实现对称的电流引导。
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公开(公告)号:CN118077046A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202280066064.4
申请日:2022-08-05
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L23/64 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L23/538 , H01L23/373 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体组件(2),其包括至少两个尤其并联连接的半导体元件(4)、绝缘基底(6)和连接元件(44),基底(6)具有彼此电绝缘的导轨(10,12,14),半导体元件(4)尤其以材料接合的方式连接至基底(6)的第一导轨(10)并且在背离基底(6)的一侧上各自具有至少一个接触面(26),半导体元件(4)的至少一个接触面(26)通过第一接合连接器(28)连接至基底(6)的第二导轨(12),第二导轨(12)通过导电连接器(32,32a,32b,32c,32d)连接至基底(6)的第三导轨(14),第三导轨(14)连接至连接元件(44),从半导体元件(4)到连接元件(44)分别形成具有电流路径阻抗的电流路径。为了实现更长的使用寿命并且节省成本而在此提出,导电连接器(32,32a,32b,32c,32d)的尺寸和/或布置设计成使得相应的电流路径的电流路径阻抗基本上平衡。
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公开(公告)号:CN116018885A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202180053758.X
申请日:2021-07-28
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H05K5/02
Abstract: 本发明涉及一种用于电气设备(20)的壳体(1),壳体包括壳体本体(2),壳体本体(2)至少部分地容纳电气设备(20)的相应的电气构件(3),壳体本体(2)具有至少一个用于支承在相应的板(5)上的支承点(4),电气构件(3)与所述板连接,壳体(1)还具有至少一个用于检测相应的板(5)的温度的温度传感器(6),相应的温度传感器(6)在壳体本体(2)中布置在相应的支承点(4)的区域中。本发明还涉及一种电气设备(20),其包括至少一个电气构件(3)、至少一个分别与相应的电气构件(3)连接的板(5)和至少一个这种壳体(1),壳体本体(2)安置在相应的板(5)上的相应的支承点(4)处。为了提供改进的电气设备(20)尤其提出,壳体本体(2)分别具有到相应的温度传感器(6)的单极的电线路(9)。
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公开(公告)号:CN117730412A
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202280049339.3
申请日:2022-06-13
Applicant: 西门子股份公司
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体元件(4)、基底(6)和接合连接器(20a,20b,20c,34,58)的半导体装置(2)。为了与现有技术相比实现改善的接线而提出:半导体元件(4)尤其整体接合地与基底(6)连接,半导体元件(4)在背离基底(6)的一侧上具有至少一个接触面(8),半导体元件(4)的至少一个接触面(8)经由至少一个第一接合连接器(20a,20b,20c)与基底(6)连接,至少一个第一接合连接器(20a,20b,20c)在接触面(8)上分别形成至少一个第一缝合接触部(22a,22b,22c),第一缝合接触部布置在相应的第一接合连接器(20a,20b,20c)的第一环路(24a,24b,24c)与第二环路(26a,26b,26c)之间,第一环路(24a,24b,24c)具有第一最大部(28a,28b,28c)并且第二环路(26a,26b,26c)具有第二最大部(30a,30b,30c),第二接合连接器(34)的第一横向环路(32)布置成在第一缝合接触部(22a,22b,22c)之上延伸并且平行于接触面(8)地看布置在第一环路(24a,24b,24c)的第一最大部(28a,28b,28c)与第二环路(26a,26b,26c)的第二最大部(30a,30b,30c)之间,第二接合连接器(34)的第一横向环路(32)布置成尤其完全地在第一环路(24a,24b,24c)的第一最大部(28a,28b,28c)和/或第二环路(26a,26b,26c)的第二最大部(30a,30b,30c)之下延伸。
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公开(公告)号:CN116868499A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202180093743.6
申请日:2021-12-10
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H02P5/00
Abstract: 为了在用于两个马达(M1,M2)的具有半导体装置(H1,H2)的功率转换器装置(20)中保护该功率转换器装置免受损坏,建议:借助于控制单元(21)——从第一电流(I1实际)和第二电流(I2实际)中连续地形成总电流(IS)并将总电流(IS)与可预设的最大值(Max)进行比较,其中,控制单元(21)具有存储机构(SM),在该存储机构中能够由用户(1)输入优先权等级(PR),其中,优先权等级(PR)描述两个机器(M1,M2)之一的优先权,控制单元(21)还设计用于:在超过最大值(Max)的情况下减小根据优先权等级(P)不具有优先权的相应的机器(M1,M2)的电流(I1实际,I2实际)。
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公开(公告)号:CN116670946A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202180087174.4
申请日:2021-12-21
Applicant: 西门子股份公司
Inventor: 贝恩德·屈滕
IPC: H01R13/703
Abstract: 本申请公开了一种驱动系统(1),具有:多个驱动单元(2),其中,驱动单元(2)分别包括变流器(3)和优选马达(4);能量供应系统(5),能量供应系统设计用于向驱动单元(2)供应电能;以及控制系统(6),控制系统包括控制计算机(8)和至少一个控制线(9),其中,控制系统(8)设计用于向驱动单元(2)传输控制指令。驱动系统(1)的特征在于,能量供应系统(5)和驱动单元(2)分别经由第一连接器,优选经由插头连接以能拆除的方式相互连接,并且控制系统(6)和驱动单元(2)分别经由第二连接器,优选经由插头连接以能拆除的方式相互连接。
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公开(公告)号:CN110462820A
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201880020471.5
申请日:2018-01-19
Applicant: 西门子股份公司
Inventor: 贝恩德·屈滕
IPC: H01L23/373 , H01L23/40
Abstract: 接触至少一个电子部件(4)的结构化的金属层(2)施加在由电绝缘材料制成的基底(1)的上侧上。金属接触层(3)施加在基底(1)的下侧。基底(1)的下侧在基底(1)没有机械应力的状态下构造为平的面。接触层(3)经由中间层(6)与金属底板(7)连接。接触层(3)与金属底板(7)的连接在温度(T1)升高的情况下进行。随后进行半导体模块的冷却。金属底板(7)的朝向基底(1)的侧面和金属底板(7)的背离基底(1)的侧面在底板(7)没有机械应力的状态下构造为平的面。在半导体模块冷却时,底板(7)在其背离基底(1)的侧面上形成凹形弯曲部(9)。
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公开(公告)号:CN118202458A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202280072543.7
申请日:2022-09-27
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L23/053 , H01L23/10 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了在半导体构件(1)具有带有封装的引脚(3)的壳体的情况下,在引脚(3)的接合面(4)与半导体构件(1)的半导体元件(7)的半导体接合面(8)之间简单且可靠地产生接合连接。因此本发明提供一种用于容纳半导体元件(7)的壳体部件(2),其中,壳体部件(2)包括至少一个引脚(3),该引脚部分地模制到壳体部件(2)中用于与印刷电路板电连接,其中,引脚(3)包括用于在引脚(3)与半导体元件(7)之间产生电连接的接合面(4),其中,壳体部件(2)包括用于接合面(4)的支承面(5),并且其中,壳体部件(2)在支承面(5)中或邻接于支承面(5)具有凹部(12),其中,凹部至少部分地用减振材料(10)填充和/或在邻接凹部(12)的区域中施加减振材料(10)。本发明提供的优点是,通过接合面(4)的减振支承,用于容纳半导体元件(7)的壳体部件(2)能够一件式地构造,并且因此,在其中模制的引脚(3)能够借助超声波焊接被接触。
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公开(公告)号:CN110462820B
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN201880020471.5
申请日:2018-01-19
Applicant: 西门子股份公司
Inventor: 贝恩德·屈滕
IPC: H01L23/373 , H01L23/40
Abstract: 接触至少一个电子部件(4)的结构化的金属层(2)施加在由电绝缘材料制成的基底(1)的上侧上。金属接触层(3)施加在基底(1)的下侧。基底(1)的下侧在基底(1)没有机械应力的状态下构造为平的面。接触层(3)经由中间层(6)与金属底板(7)连接。接触层(3)与金属底板(7)的连接在温度(T1)升高的情况下进行。随后进行半导体模块的冷却。金属底板(7)的朝向基底(1)的侧面和金属底板(7)的背离基底(1)的侧面在底板(7)没有机械应力的状态下构造为平的面。在半导体模块冷却时,底板(7)在其背离基底(1)的侧面上形成凹形弯曲部(9)。
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公开(公告)号:CN115699233A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202180038660.7
申请日:2021-05-04
Applicant: 西门子股份公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜电容器(1),该薄膜电容器包括至少一个带有第一端侧和第二端侧(9,10)以及带有第一薄膜侧和第二薄膜侧(11,12)的镀金属的绝缘薄膜(3)和第一接触层和第二接触层(7,8),其中,镀金属的绝缘薄膜(3)的第一端侧(9)与第一接触层(7)连接并且镀金属的绝缘薄膜(3)的第二端侧(10)与第二接触层(8)连接,并且其中,镀金属的绝缘薄膜(3)具有至少一个第一镀金属层、第二镀金属层和第三镀金属层(4,5,6),其特征在于,在镀金属的绝缘薄膜(3)的第一薄膜侧(11)上涂覆镀金属层(4,5,6)中的至少两个镀金属层并且在镀金属的绝缘薄膜(3)的第二薄膜侧(12)上涂覆镀金属层(4,5,6)中的至少另外一个镀金属层,并且镀金属层(4,5,6)在镀金属的绝缘薄膜(3)的第一薄膜侧和第二薄膜侧(11,12)上布置为,使得在两个薄膜侧(11,12)的镀金属层(4,5,6)之间设计至少一个具有第一子电容(35)的第一重叠部(33)和具有第二子电容(36,360)的第二重叠部(34,340),并且子电容(35,36,360)形成串联电路。本发明还公开了具有薄膜电容器(1)的过滤器(23)和具有过滤器(23)的转换器(24)。
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