公开(公告)号：CN110100308B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201780078850.5

申请日：2017-12-15

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 史蒂芬·诺伊格鲍尔 ,  斯特凡·普费弗莱因 ,  龙尼·维尔纳

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367

Abstract: 一种具有底侧的支撑结构的半导体模块。半导体模块(1)具有由电绝缘材料组成的衬底(2)。在衬底(2)的上侧(3)施加有结构化金属层(4)，通过该结构化金属层来接触至少一个电构件(5)。结构化金属层(4)只被施加在衬底(2)上的中央区域(6)中，使得在衬底(2)的上侧(3)留有包围中央区域(6)的边缘区域(7)，在该边缘区域中没有结构化金属层(4)被施加在衬底(2)上。在衬底(2)的底侧(8)上的中央区域(6)内施加有用于接触冷却体(10)的接触层(9)，其与结构化金属层(4)相对置。在衬底(2)的底侧(8)上的边缘区域(7)内施加有结构化支撑结构(11)，其厚度(d2)对应于接触层(9)的厚度(d1)。

公开(公告)号：CN110100308A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201780078850.5

申请日：2017-12-15

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 史蒂芬·诺伊格鲍尔 ,  斯特凡·普费弗莱因 ,  龙尼·维尔纳

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367

Abstract: 一种具有底侧的支撑结构的半导体模块。半导体模块(1)具有由电绝缘材料组成的衬底(2)。在衬底(2)的上侧(3)施加有结构化金属层(4)，通过该结构化金属层来接触至少一个电构件(5)。结构化金属层(4)只被施加在衬底(2)上的中央区域(6)中，使得在衬底(2)的上侧(3)留有包围中央区域(6)的边缘区域(7)，在该边缘区域中没有结构化金属层(4)被施加在衬底(2)上。在衬底(2)的底侧(8)上的中央区域(6)内施加有用于接触冷却体(10)的接触层(9)，其与结构化金属层(4)相对置。在衬底(2)的底侧(8)上的边缘区域(7)内施加有结构化支撑结构(11)，其厚度(d2)对应于接触层(9)的厚度(d1)。

公开(公告)号：CN109661724A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201780054327.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 米夏埃尔·莱佩纳特 ,  克里斯托夫·内特 ,  拉尔夫·施密特 ,  龙尼·维尔纳

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明涉及一种功率模块，具有要在上侧和下侧接触的半导体构件(1)。本发明的特征在于，半导体构件(1)在上侧通过引线框架基体(7)借助于压紧力电接触。

公开(公告)号：CN118749133A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202280090008.4

申请日：2022-11-28

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 马库斯·拉施 ,  罗兰·洛尔茨 ,  马库斯·普法伊费尔 ,  斯特凡·斯特格迈尔 ,  埃里克·魏斯布罗德 ,  龙尼·维尔纳 ,  费利克斯·蔡斯

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/34 ,  H01L23/498 ,  H05K1/03 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体布置(50)的组件(2)，组件包括至少一个被动元件(4)和基底(6)，其中，基底(6)具有介电材料层(8)和布置在介电材料层(8)上的第一金属化部(10)。为了减小组件(2)的安装空间并且实现改善散热而提出：将被动元件(4)完全布置在第一金属化部(10)的凹部(14)中并且直接放置在介电材料层(8)上。

公开(公告)号：CN116529873A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180080852.4

申请日：2021-10-12

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 斯特凡·普费弗莱因 ,  龙尼·维尔纳

IPC: H01L23/427

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块(2)，其具有至少一个半导体元件(4)、第一基板(6)和第二基板(12)。与现有技术相比，为了实现更高的可靠性而提出：至少一个半导体元件(4)在第一侧(6)上以平面与第一基板(8)连接并且在背离第一侧(6)的第二侧(10)上以平面与第二基板(12)连接，其中，相变材料(30)布置在第二基板(12)的封闭的、特别是连续的空腔结构(44)中并且与半导体元件(4)导热地连接。