一种基于一维CNN网络的GIS故障诊断方法

    公开(公告)号:CN113960396A

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202111229914.1

    申请日:2021-10-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于一维CNN网络的GIS故障诊断方法,具体为:步骤1,通过内置式超高频传感器得到不同局部放电缺陷的超高频时域脉冲谱图;步骤2,对超高频时域脉冲谱图进行数据预处理并通过采样得到局部放电一维序列;步骤3,对步骤2得到的局部放电一维序列进行数据归一化处理得到一维局部放电数据集;步骤4,采用一维VGG16神经网络对CWRU数据集进行训练,并利用迁移学习算法,将训练好的模型迁移后再使用局部放电数据对一维VGG16神经网络进行更新训练,实现局部放电故障模式识别,输出故障类型。本发明解决了现有技术中存在的依靠人为主观判断难以发现局部放电早期故障以及对GIS局部放电故障模式识别不准确的问题。

    基于NSGA-II和RBF神经网络的盆式绝缘子固化过程参数优化方法

    公开(公告)号:CN119005019A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411482498.X

    申请日:2024-10-23

    Abstract: 本发明公开了基于NSGA‑II和RBF神经网络的盆式绝缘子固化过程参数优化方法,包括以下步骤:建立盆式绝缘子固化仿真模型;通过仿真软件模拟得到盆式绝缘子固化仿真模型的仿真数据,将仿真数据随机划分为训练集和测试集;使用训练集对RBF神经网络进行训练,将测试集输入训练后的测试RBF神经网络进行测试,预测结果符合误差要求时训练完成;通过NSGA‑II算法及训练好的RBF神经网络对模型参数进行多目标优化,得到帕累托前沿解集;通过TOPSIS法对帕累托前沿解集计算筛选得到最优解,参数优化完成。基于NSGA‑II和RBF神经网络的盆式绝缘子固化过程参数优化方法,减小了盆式绝缘子的残余应力,同时也降低了生产成本,提升了绝缘子的整体性能,还实现了经济效益的最大化。

    基于人工神经网络的环氧树脂固化温度场预测方法

    公开(公告)号:CN118378525A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410510465.5

    申请日:2024-04-26

    Abstract: 本发明公开了基于人工神经网络的环氧树脂固化温度场预测方法,具体按照如下步骤实施:步骤1,建立环氧树脂固化温度场预测模型,并定义固化流程参数;步骤2,使用步骤1建立的环氧树脂固化温度场预测模型,获取不同参数下的固化流程的温度数据,然后参数化扫描模块对不同参数下的固化流程的温度数据,获得训练集、验证集和测试集;步骤3,构建神经网络模型;步骤4,采用步骤2的训练集验证集对步骤3构建的神经网络模型进行训练和验证;步骤5,采用测试集对步骤4训练好的模型进行测试。本发明解决了现有技术中存在了环氧树脂固化温度场数值仿真时只考虑了内部两点最高温度但未考虑整个内部的温度分布情况以及形状参数的问题。

    一种基于局部放电的电动汽车绝缘材料寿命预测方法

    公开(公告)号:CN113640627B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202110775247.0

    申请日:2021-07-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于局部放电的电动汽车绝缘材料寿命预测方法,本发明对电动汽车驱动电机中的绕组绝缘材料老化进行了定量的分析和建模,建立局部放电电荷量与老化寿命之间的数量关系,对于绝缘材料进行老化模型的建立,从而对未知老化程度的绝缘材料进行寿命预测和分析。本发明方法具有全面、精度高、高效等优点,可应用于工程测量和绝缘材料老化领域,为电动汽车可靠运行提供了可靠的实验基础。该方法能够准确、高效的预测电动汽车驱动电机定子绕组绝缘材料的老化寿命,为电动汽车驱动电机的可靠运行提供一种理论计算方法。

    基于空间电荷的SiC晶界特性计算方法

    公开(公告)号:CN116861682A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310862611.6

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明公开了基于空间电荷的SiC晶界特性计算方法,通过SiC晶界分区对泊松方程、对流方程和传导方程进行分析计算,得到适用于SiC晶界的载流子运输模型,在载流子运输模型中,添加初始参数条件并进行仿真计算,得到空间电荷分布图,根据空间电荷分布图,计算晶体中的晶界势垒高度与晶界泄漏电流曲线,分析SiC的晶界特性,本发明对SiC晶界内部载流子迁移规律进行仿真模拟,从计算材料学的角度深入探究SiC非线性起源,结合晶界微观特性与宏观参数,揭示SiC晶界势垒与晶界空间电荷的关系。

    一种气体绝缘开关柜漏气检测装置及检测方法

    公开(公告)号:CN114530789A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202210047066.0

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明公开了一种气体绝缘开关柜漏气检测装置,包括依次连接的超声波检测器、信号处理设备、信号传输设备,超声波检测器设置在气体绝缘开关柜中,信号传输设备连接有终端,本发明不仅能检测气体绝缘开关柜是否漏气,还可检测漏气位置。本发明还公开了一种气体绝缘开关柜漏气检测方法,包括检测区域网格划分,等间隔发射超声波并由对应接收端接收,通过对比超声波收发间隔时间判断是否存在漏气现象,定位漏气位置,并发送至终端,本发明检测精准且检测效率高,既不影响开关柜正常生产还具有高时效性和高安全性的特点。

Patent Agency Ranking