公开(公告)号：CN116705563A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310681034.0

申请日：2023-06-08

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 尹健宁 ,  郎霄剑 ,  赵勇勇 ,  张威 ,  梁淑华

IPC: H01H71/10 ,  H02H3/087 ,  H01H71/00 ,  H01H9/54

Abstract: 本发明公开了自触型低压混合式直流断路器及开断方法，包括通流支路，通流支路并联有转移支路、避雷器，转移支路与避雷器并联；通流支路包括电流检测装置，电流检测装置的输出端与直流塑壳断路器连接，直流塑壳断路器并联有电压表；电流检测装置连接有设置于灭弧室内的单片机，单片机连接有驱动机构，驱动机构与动触头同轴连接。当发生故障时，对比故障电流与直流塑壳断路器预设定二倍额定电流大小，通过单片机触发电机转动，带动断路器触头分离，则电弧的弧压迅速上升达到电子器件的前向导通电压，故障电流从通流支路向转移支路换流，当通流支路电流降为零时直流塑壳断路器实现在零电流状态下打开，从而实现了无弧开断。

公开(公告)号：CN117317968A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311147200.5

申请日：2023-09-06

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 尹健宁 ,  郎霄剑 ,  张威 ,  段建东 ,  梁淑华

IPC: H02H3/087 ,  H02H9/02

Abstract: 本发明公开了分压限流协同型自取能混合式直流断路器及其开断方法，包括电源VDC，电源VDC的正电源侧依次串联有电抗器Ls、电阻Rs、通流支路、电阻Rr，电阻Rr的输出端与电源VDC的负电源侧连通且接地，通流支路并联有转移支路、耗散支路，所述转移支路和耗散支路并联，通流支路两端并联有电阻支路。本发明断路器在光伏发电系统中具有良好的开断性能，并且断路器使用寿命长，本发明断路器的开断方法，能够实现无弧分断。

公开(公告)号：CN116522735A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310553835.9

申请日：2023-05-16

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 陈驰 ,  叶伟祺 ,  李辉 ,  王闯 ,  张威 ,  张在秦

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/10 ,  G06F17/11 ,  G06N3/006 ,  G06F113/04 ,  G06F111/06

Abstract: 本发明公开了一种基于GA‑PSO算法的定子线棒结构优化方法，具体按照以下步骤实施：利用comsol软件仿真定子线棒，建立定子线棒模型；在定子线棒模型中添加电机运行条件进行模型电场仿真，得到电场分布图；通过改进粒子群算法建立数学模型；通过数学模型，输入绝缘厚度d参数和导体圆角半径r参数，根据所述电场分布计算并输出角部电场不均匀系数fm的最佳值和角部最大电场强度Em的最小值，得到定子线棒最优的结构参数；本发明利用GA‑PSO算法，可以耦合定子优化过程中涉及到的定子结构参数、电场与电势的关系，提高计算收敛速度，增强粒子多样性，实现高效可靠的全局搜索。

公开(公告)号：CN116861682A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310862611.6

申请日：2023-07-14

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 陈驰 ,  张威 ,  叶伟祺 ,  关雨新 ,  王闯 ,  梁振锋

IPC: G06F30/20 ,  G16C60/00 ,  G06F119/08 ,  G06F113/26 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了基于空间电荷的SiC晶界特性计算方法，通过SiC晶界分区对泊松方程、对流方程和传导方程进行分析计算，得到适用于SiC晶界的载流子运输模型，在载流子运输模型中，添加初始参数条件并进行仿真计算，得到空间电荷分布图，根据空间电荷分布图，计算晶体中的晶界势垒高度与晶界泄漏电流曲线，分析SiC的晶界特性，本发明对SiC晶界内部载流子迁移规律进行仿真模拟，从计算材料学的角度深入探究SiC非线性起源，结合晶界微观特性与宏观参数，揭示SiC晶界势垒与晶界空间电荷的关系。

公开(公告)号：CN117578347A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311464729.X

申请日：2023-11-06

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 尹健宁 ,  郎霄剑 ,  张威 ,  段建东 ,  李兴文

IPC: H02H3/08 ,  H02H9/02

Abstract: 本发明公开了集成超导的交直流微型断路器及大容量开断方法，包括微型断路器，微型断路器的左出线端与超导限流器连接，微型断路器的右出线端与负载侧连接，超导限流器远离微型断路器的出线端与电源侧连接。本发明断路器解决了现有微型断路器在面对高电压大电流情况下难以保持原有的开断性能的问题，本发明开断方法能够适用于在更高电压系统中实现大电流的开断，提高了微型断路器的开断容量，且集成超导的微型断路器在交直流系统中都呈现了良好的开断性能。

公开(公告)号：CN118841110A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410800066.2

申请日：2024-06-20

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 陈驰 ,  关雨新 ,  王闯 ,  李辉 ,  叶伟祺 ,  张威

IPC: G16C60/00 ,  G16C20/70 ,  G16C20/80

Abstract: 本发明公开了基于分子动力学模拟的含表面点缺陷4H‑SiC热导率计算方法，采用分子模拟软件建立第一4H‑SiC晶体模型，并对第一4H‑SiC晶体模型进行缺陷构建，得到含表面点缺陷的第一4H‑SiC晶体模型；采用分子模拟软件对含表面点缺陷的第一4H‑SiC晶体模型进行能量最小化运算，得到稳定表面点缺陷模型；利用分子模拟软件计算稳定表面点缺陷模型电子的波函数和电子能级，根据波函数和电子能级绘制稳定表面点缺陷模型电子态密度图；利用LAMMP软件计算稳定表面点缺陷模型热导率；本发明基于分子动力学模拟表面点缺陷的4H‑SiC热导率计算方法，解决了现有技术使用LAMMPS软件计算热导率时，参数选择不完善，热导率计算结果准确率低的问题。