基于分子模拟的环氧-橡胶体系介电常数计算方法

    公开(公告)号:CN116343935A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310332727.9

    申请日:2023-03-31

    摘要: 本发明公开了基于分子模拟的环氧‑橡胶体系介电常数计算方法,包括建立环氧树脂和酸酐类固化剂的分子模型并几何优化,将优化后的分子模型放入立方体中混合均匀,形成无定形晶胞结构,设计环氧树脂与酸酐类固化剂的交联脚本,并预设交联反应条件,根据交联脚本以及预设的交联反应条件使环氧树脂与酸酐类固化剂分子进行交联反应,形成稳定的交联环氧树脂模型,根据羧基丁烯丙烯腈CTBN的分子结构构建橡胶分子模型并几何优化,设计交联环氧树脂与CTBN的交联脚本,预设交联反应条件,将优化后橡胶分子加入交联环氧树脂模型中进行聚合反应,形成环氧/橡胶体系,最后计算环氧/橡胶体系的介电常数。

    基于RBF神经网络的环氧树脂固化峰值温度预测方法

    公开(公告)号:CN116341388A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310445845.0

    申请日:2023-04-24

    摘要: 本发明公开了一种基于RBF神经网络的环氧树脂固化峰值温度预测方法,包括建立环氧树脂复合材料固化仿真模型,采集环氧树脂复合材料固化温度,包括温箱温度和环氧树脂复合材料固化峰值温度,建立三层RBF神经网络,将采集的温度数据划分为训练集和测试集,将训练集中数据输入到三层RBF神经网络中进行训练,得到训练好的RBF神经网络,然后将测试集中数据输入到RBF神经网络中进行预测,得到预测的数据。采用本发明基于RBF神经网络的环氧树脂固化温度预测方法能够准确高效的预测出环氧树脂复合材料固化过程中的峰值温度。

    使用电力线通信设备的电缆老化识别方法

    公开(公告)号:CN112946369A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110098112.5

    申请日:2021-01-25

    IPC分类号: G01R27/26 G01R31/08

    摘要: 本发明公开了使用电力线通信设备的电缆老化识别方法,具体按照以下步骤实施:步骤1,根据电网拓扑结构、电缆长度、负载以及单位长度的电阻R、电感L、电导G和电容C,采用自底向上的方式,建立电力线信道响应;步骤2,计算老化电缆相对介电常数;步骤3,对步骤1中得到的网络总传递函数进行经验模态分解,进行机器学习,对电缆老化的类型进行分类,以识别及预测电缆老化。本发明方法能够针对不同的老化类型及时识别处电缆老化的程度,避免因长时间使用导致的局部漏电或者引发电缆短路的问题。

    基于人工神经网络的环氧树脂固化温度场预测方法

    公开(公告)号:CN118378525A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410510465.5

    申请日:2024-04-26

    摘要: 本发明公开了基于人工神经网络的环氧树脂固化温度场预测方法,具体按照如下步骤实施:步骤1,建立环氧树脂固化温度场预测模型,并定义固化流程参数;步骤2,使用步骤1建立的环氧树脂固化温度场预测模型,获取不同参数下的固化流程的温度数据,然后参数化扫描模块对不同参数下的固化流程的温度数据,获得训练集、验证集和测试集;步骤3,构建神经网络模型;步骤4,采用步骤2的训练集验证集对步骤3构建的神经网络模型进行训练和验证;步骤5,采用测试集对步骤4训练好的模型进行测试。本发明解决了现有技术中存在了环氧树脂固化温度场数值仿真时只考虑了内部两点最高温度但未考虑整个内部的温度分布情况以及形状参数的问题。

    使用电力线通信设备的电缆老化识别方法

    公开(公告)号:CN112946369B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202110098112.5

    申请日:2021-01-25

    IPC分类号: G01R27/26 G01R31/08

    摘要: 本发明公开了使用电力线通信设备的电缆老化识别方法,具体按照以下步骤实施:步骤1,根据电网拓扑结构、电缆长度、负载以及单位长度的电阻R、电感L、电导G和电容C,采用自底向上的方式,建立电力线信道响应;步骤2,计算老化电缆相对介电常数;步骤3,对步骤1中得到的网络总传递函数进行经验模态分解,进行机器学习,对电缆老化的类型进行分类,以识别及预测电缆老化。本发明方法能够针对不同的老化类型及时识别处电缆老化的程度,避免因长时间使用导致的局部漏电或者引发电缆短路的问题。

    基于空间电荷的SiC晶界特性计算方法

    公开(公告)号:CN116861682A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310862611.6

    申请日:2023-07-14

    摘要: 本发明公开了基于空间电荷的SiC晶界特性计算方法,通过SiC晶界分区对泊松方程、对流方程和传导方程进行分析计算,得到适用于SiC晶界的载流子运输模型,在载流子运输模型中,添加初始参数条件并进行仿真计算,得到空间电荷分布图,根据空间电荷分布图,计算晶体中的晶界势垒高度与晶界泄漏电流曲线,分析SiC的晶界特性,本发明对SiC晶界内部载流子迁移规律进行仿真模拟,从计算材料学的角度深入探究SiC非线性起源,结合晶界微观特性与宏观参数,揭示SiC晶界势垒与晶界空间电荷的关系。