公开(公告)号：CN117275624A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311215826.5

申请日：2023-09-20

申请人： 西安理工大学 ,  南方电网科学研究院有限责任公司

发明人： 王闯 ,  姜怡悦 ,  杨新发 ,  王越昊 ,  张恒星 ,  关雨新 ,  陈驰 ,  卜越 ,  张在秦 ,  张逸凡 ,  罗兵 ,  傅明利 ,  贾磊 ,  陈喜鹏 ,  侯帅 ,  惠宝军

IPC分类号： G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G06F30/23 ,  G06F113/26 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

摘要： 本发明公开基于分子模拟的金属与环氧树脂界面应力降低方法，具体为：步骤1)建立环氧树脂复合材料分子动力学模型；步骤2)步骤1得到的交联模型进行参数计算；步骤3)得到修正后的分子动力学模型；步骤4)通过在修正后分子动力学模型中设置不同目标交联度，采用步骤2)中方法求取不同交联度下的热、力学参数，并以环氧树脂复合材料温度和固化度这两个固化参数拟合热、力学计算曲线；5)搭建多物理场有限元仿真模型；6)仿真可计算环氧树脂复合材料内部温度、固化度、应力、应变分布；该方法通过分子模拟结合有限元分析手段对金属与树脂基绝缘材料界面处的应力进行优化使界面处的残余应力最小，进而优化残余应力。

公开(公告)号：CN116861682A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310862611.6

申请日：2023-07-14

申请人： 西安理工大学

发明人： 陈驰 ,  张威 ,  叶伟祺 ,  关雨新 ,  王闯 ,  梁振锋

IPC分类号： G06F30/20 ,  G16C60/00 ,  G06F119/08 ,  G06F113/26 ,  G06F111/10

摘要： 本发明公开了基于空间电荷的SiC晶界特性计算方法，通过SiC晶界分区对泊松方程、对流方程和传导方程进行分析计算，得到适用于SiC晶界的载流子运输模型，在载流子运输模型中，添加初始参数条件并进行仿真计算，得到空间电荷分布图，根据空间电荷分布图，计算晶体中的晶界势垒高度与晶界泄漏电流曲线，分析SiC的晶界特性，本发明对SiC晶界内部载流子迁移规律进行仿真模拟，从计算材料学的角度深入探究SiC非线性起源，结合晶界微观特性与宏观参数，揭示SiC晶界势垒与晶界空间电荷的关系。

公开(公告)号：CN118841110A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410800066.2

申请日：2024-06-20

申请人： 西安理工大学

发明人： 陈驰 ,  关雨新 ,  王闯 ,  李辉 ,  叶伟祺 ,  张威

IPC分类号： G16C60/00 ,  G16C20/70 ,  G16C20/80

摘要： 本发明公开了基于分子动力学模拟的含表面点缺陷4H‑SiC热导率计算方法，采用分子模拟软件建立第一4H‑SiC晶体模型，并对第一4H‑SiC晶体模型进行缺陷构建，得到含表面点缺陷的第一4H‑SiC晶体模型；采用分子模拟软件对含表面点缺陷的第一4H‑SiC晶体模型进行能量最小化运算，得到稳定表面点缺陷模型；利用分子模拟软件计算稳定表面点缺陷模型电子的波函数和电子能级，根据波函数和电子能级绘制稳定表面点缺陷模型电子态密度图；利用LAMMP软件计算稳定表面点缺陷模型热导率；本发明基于分子动力学模拟表面点缺陷的4H‑SiC热导率计算方法，解决了现有技术使用LAMMPS软件计算热导率时，参数选择不完善，热导率计算结果准确率低的问题。