公开(公告)号：CN118353342A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410453023.1

申请日：2024-04-16

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王路 ,  王宇昂 ,  赵立波 ,  李敏 ,  高文迪 ,  韩香广 ,  赵一鹤 ,  夏勇 ,  李支康 ,  朱楠 ,  王永录 ,  前田龙太郎 ,  蒋庄德

IPC: H02S10/10 ,  H02S40/44 ,  H02S40/42 ,  H02S40/22 ,  H02S10/40 ,  H02S10/20 ,  H02S40/30 ,  H02N11/00 ,  B63B35/00 ,  B63B17/00 ,  G01N27/12

Abstract: 本申请公开了一种光伏温差自供电的小船及无线监测系统，属于发电领域。包括：船体、光伏电池片以及热电片；光伏电池片以及热电片层叠设置于船体中，且热电片位于光伏电池片与船体的底部之间，光伏电池片具有受光面和背光面，受光面与背光面相对，热电片沿热电片的厚度方向具有相对的第一面和第二面，热电片的第一面与背光面接触，热电片的第二面朝向船体的底部；在光伏电池片的受光面受到阳光照射的情况下，光伏电池片将阳光转换为电能，且背光面的温度升高，以使热电片的第一面的温度高于热电片的第二面的温度，使热电片产生电能。

公开(公告)号：CN118275025A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410531765.1

申请日：2024-04-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 赵立波 ,  尚钰杰 ,  韩香广 ,  赵阳 ,  单王珍 ,  乔智霞 ,  李伟 ,  韩枫 ,  高漪 ,  王涛 ,  王圣旗 ,  陈率 ,  王永录 ,  杨萍 ,  蒋庄德

IPC: G01L9/04 ,  G01L1/22 ,  B81C3/00 ,  B81C99/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种低串扰多冗余薄膜压力传感器芯体及制备方法，属于微纳传感器技术领域，传感器芯体包括连接在一起的上层应变结构和下层弹性结构；所述上层应变结构包括至少两个应变单元和外接于应变单元外的环形键合结构，所述应变单元包括依次连接的扇形键合结构、一组受拉应变梁和一组受压应变梁；所述下层弹性结构包括压力腔壁，所述压力腔壁内设置有环形弹性膜片，所述环形弹性膜片上方设置有岛状键合结构；环形弹性膜片下方具有压力槽；所述压力腔壁、环形弹性膜片与圆形岛状键合结构间形成环形凹槽。该压力传感器芯体能有效降低电阻间的串扰，不同应变单元间串扰极低，每个应变单元均能独立实现压力测量。该结构能够保证传感器具有较高的冗余度。

公开(公告)号：CN117396002A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311332727.5

申请日：2023-10-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李支康 ,  王斌 ,  王佳翔 ,  芦继健 ,  赵康 ,  贾博清 ,  罗国希 ,  李敏 ,  韩香广 ,  赵立波

IPC: H10K10/80 ,  G01L1/14 ,  H10K10/46 ,  H10K77/10 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于有机电化学晶体管的柔性压痛传感器及其制备方法，该痛觉感受器的结构从下到上依次包括柔性衬底、源漏电极、半导体通道、多孔凝胶介电层、栅电极和表面封装层。通过旋涂固化工艺依次完成衬底层、封装层、半导体通道层的制备；通过蒸镀工艺实现源漏电极和栅电极的制备；通过浇注并刻蚀自组装形成的可溶性牺牲模板获得多孔凝胶介电层。压力作用下，多孔凝胶介电层与栅电极的接触面积发生变化，改变了双电层电容，进而控制凝胶中的离子对半导体通道层的掺杂与去掺杂过程，实现痛觉传感器的四大关键特性：阈值、放松、不适应和痛觉敏化。在医疗康复、人体假肢以及类人机器人等领域具有巨大的应用前景。

公开(公告)号：CN114323395B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202111595510.4

申请日：2021-12-23

Applicant: 西安交通大学 ,  杭州电子科技大学

Inventor： 赵立波 ,  谭仁杰 ,  高文迪 ,  韩香广 ,  卢德江 ,  王路 ,  李敏 ,  董林玺 ,  杨萍 ,  林启敬 ,  蒋庄德

IPC: G01L5/165 ,  G01L1/14 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由SOI器件层和玻璃器件层键合组成；SOI器件层包括顶层硅结构、埋氧层结构和衬底层硅结构；顶层硅结构包括第一中心质量块，第一中心质量块通过蟹腿型梁和顶层边框连接，顶层边框和中心质量块之间设有梳齿电容；埋氧层结构包括释放区和非释放区；衬底层硅结构包括第二中心质量块，第二中心质量块通过T型梁和衬底层边框连接，第二中心质量块中部设有安装腔体，外部的载荷传递立柱安装于安装腔体当中，将力/力矩传递到第二中心质量块；本发明实现六轴力的解耦检测，易于电路集成；以SOI晶圆和玻璃圆片为基础，结合光刻、浅刻蚀等工艺实现芯片的制备，工艺简单，易于批量制造。

公开(公告)号：CN115265848A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210907400.5

申请日：2022-07-29

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 方续东 ,  高博楠 ,  方子艳 ,  李瑜 ,  饶浩 ,  孙昊 ,  吴晨 ,  邓武彬 ,  吴俊侠 ,  赵立波 ,  田边 ,  韩香广 ,  王淞立 ,  王鑫垚 ,  陈兆翔 ,  蒋庄德

IPC: G01L1/14

Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励电容检测的硅谐振压力传感器，包括依次设置的玻璃层，谐振器层以及敏感膜层，敏感膜层包括压力敏感膜和固定在压力敏感膜层上的两个硅岛；所述谐振器层包括分别与两个硅岛连接的两个可动锚点；每个可动锚点一端两侧分别与两个谐振梁第一端连接，位于同一侧的谐振梁第二端与同一个质量块连接，两个质量块通过耦合梁连接；所述耦合梁包括四根一端连接至连接点的单梁；谐振梁外侧设置有激励结构，激励结构外设置有检测结构。本发明的耦合梁为四点接触式耦合梁，在满足对两质量块耦合并为谐振器提供刚度增大模态频率间隔的同时，也能够有效减少加速度冲击对耦合梁结构的影响，从而保证传感器工作的稳定性。

公开(公告)号：CN114993520A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210609327.3

申请日：2022-05-31

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 韩香广 ,  赵立波 ,  邱煜祥 ,  王李 ,  皇咪咪 ,  陈翠兰 ,  樊姝 ,  高漪 ,  陈科 ,  尚钰杰 ,  杨萍 ,  卢德江 ,  王久洪 ,  蒋庄德

IPC: G01L1/10 ,  G01L9/08 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种表压式谐振压力传感器及制备方法，提出了一种适合用于表压式压力测量的谐振式压力传感器设计结构，该传感器采用静电激励电容检测，包括压力膜片层、谐振器层以及真空封装层，压力膜片层主要用于承受载荷压力，当承受载荷压力时，压力膜片产生变形，从而带动压力膜片上的锚点产生轴向位移，进而使谐振梁产生轴向内应力，谐振器层主要将谐振梁轴向应力转化为谐振子谐振频率的变化，从而表征压力的大小，封装层将同时作为结构变形层以及真空封装层，用于形成高真空密封空腔。

公开(公告)号：CN114204846A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111447188.0

申请日：2021-11-30

Applicant: 西安交通大学 ,  西安航天动力研究所

Inventor： 王路 ,  王骞 ,  李伟 ,  乔智霞 ,  韩香广 ,  费振轩 ,  赵立波 ,  李支康 ,  卢德江 ,  杨萍 ,  王永录 ,  蒋庄德

IPC: H02N2/18

Abstract: 本发明公开了一种可滑动磁耦合限幅综合拓频的压电振动能量收集器，能量收集器，包括框架、磁体质量块和压电双晶片，压电双晶片的两端与框架连接，磁体质量块套设于压电双晶片上且能够在压电双晶片上滑动；框架在压电双晶片中心的两侧位置对称设有第一磁体和第二磁体，磁体质量块与第一磁体以及与第二磁体相互吸引，框架内侧和磁体质量块的间距为限幅间距。本发明具有非线性振动的特点，合理控制磁力大小和限幅间距能够使系统达到三稳态，将大幅拓展谐振频带，因此在较宽频带有大幅压电输出，适应环境随机宽频的振动特点。同时本发明可滑动磁耦合限幅综合拓频的压电振动能量收集器结构紧凑，可提升压电振动发电功率密度。

公开(公告)号：CN113218544A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110462410.8

申请日：2021-04-27

Applicant: 西安交通大学 ,  陕西省计量科学研究院 ,  西安航天动力研究所

Inventor： 赵立波 ,  李学琛 ,  韩香广 ,  乔智霞 ,  皇咪咪 ,  李伟 ,  徐廷中 ,  杨萍 ,  高漪 ,  王鸿雁 ,  关卫军 ,  吴永顺 ,  李支康 ,  朱瑄 ,  王久洪 ,  魏于昆 ,  山涛 ,  蒋庄德

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06 ,  G01L19/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。

公开(公告)号：CN113746370B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202110998554.5

申请日：2021-08-27

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王路 ,  赵立波 ,  韩香广 ,  费振轩 ,  王骞 ,  陈瑶 ,  罗国希 ,  卢德江 ,  李支康 ,  李敏 ,  杨萍 ,  王永录 ,  王久洪 ,  蒋庄德

IPC: H02N2/18 ,  H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种超低频多方向压电振动能量收集器及能量收集方法，能量收集器包括外壳、质量球和若干压电悬臂梁，若干压电悬臂梁的固支端与外壳侧壁连接，若干压电悬臂梁沿外壳的不同方位设置，若干压电悬臂梁的自由端向外壳的中心延伸，质量球设置于外壳内并位于若干压电悬臂梁的上方，所述质量能够在所述若干压电悬臂梁形成的支撑面上自由滚动。本发明若干压电悬臂梁沿外壳的不同方位设置，因此能够在不同方位下实现能量收集；采用的质量球和压电悬臂梁的结构，使得本发明在超低频条件下实现能量的收集，适用于可穿戴设备自供电。

公开(公告)号：CN116451135A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310384296.0

申请日：2023-04-11

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 赵立波 ,  杨晓凯 ,  韩香广 ,  夏勇 ,  李敏 ,  贾琛 ,  杨萍 ,  林启敬 ,  蒋庄德

IPC: G06F18/241 ,  G06N20/00 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种基于自动学习和集成学习的静电形成纳米线半导体VOCs识别方法，识别方法包括如下过程：获取第一数据集或第二数据集，其中，第一数据集包括待检测VOCs通过静电形成纳米线前后的背栅阈值电压偏移量、背栅亚阈值摆动偏移量和背栅源漏电流偏移量，所述第二数据集包括待检测VOCs通过静电形成纳米线前后的结栅极阈值电压偏移量、结栅亚阈值摆动偏移量和结栅源漏电流偏移量；利用已训练好的CatBoost模型、Stacking模型或Blending模型对第一数据集进行处理，得到待检测VOCs种类；或者，利用已训练好的CatBoost模型、Stacking模型或Blending模型对第二数据集进行处理，得到待检测VOCs的种类。