公开(公告)号：CN118800667A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310464635.6

申请日：2023-04-26

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许兴仁 ,  何凯光 ,  林裕杰 ,  陈国明 ,  徐一峰

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一芯片、第二芯片以及导电结构。第一芯片具有相对配置的主动面及相对面。第二芯片包括芯片接合部及外接垫，外接垫位于芯片接合部之外。第一芯片是以主动面配置于第二芯片的芯片接合部上。导电结构设置于外接垫，导电结构包括多个金属球的堆叠，此堆叠自外接垫延伸超过第一芯片的相对面。

公开(公告)号：CN105428327B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410430514.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林钜富 ,  郭建利 ,  陈国明

IPC: H01L23/31

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L2023/4037 ,  H01L2023/4043 ,  H01L2023/405 ,  H01L2023/4062 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明公开一种扇出型晶片级封装结构。扇出型晶片级封装结构包括一半导体元件、一封胶、一第一扇出结构、一导电散热板以及多个焊接球。半导体元件包括多个接合垫。封胶包覆半导体元件。第一扇出结构形成于半导体元件上，其中第一扇出结构具有多个扇出接触点，此些扇出接触点电连接于此些接合垫。导电散热板形成于第一扇出结构上，其中导电散热板具有多个填充一导电材料的穿孔。焊接球形成于导电散热板上，其中焊接球经由填充导电材料的穿孔电连接至第一扇出结构。

公开(公告)号：CN105428327A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201410430514.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林钜富 ,  郭建利 ,  陈国明

IPC: H01L23/31

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L2023/4037 ,  H01L2023/4043 ,  H01L2023/405 ,  H01L2023/4062 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明公开一种扇出型晶片级封装结构。扇出型晶片级封装结构包括一半导体元件、一封胶、一第一扇出结构、一导电散热板以及多个焊接球。半导体元件包括多个接合垫。封胶包覆半导体元件。第一扇出结构形成于半导体元件上，其中第一扇出结构具有多个扇出接触点，此些扇出接触点电连接于此些接合垫。导电散热板形成于第一扇出结构上，其中导电散热板具有多个填充一导电材料的穿孔。焊接球形成于导电散热板上，其中焊接球经由填充导电材料的穿孔电连接至第一扇出结构。

公开(公告)号：CN100407403C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510081382.6

申请日：2005-06-28

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林宗辉 ,  刘洪民 ,  饶瑞孟 ,  张文通 ,  陈国明 ,  何凯光

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明披露一种半导体晶片，其特征是，包括多个集成电路芯片区域，每一集成电路芯片区域周围是切割线围绕，经由切割线以及晶片机械切割步骤，可以将多个集成电路芯片区域分开，其中每一集成电路芯片具有四个转角；保护层，同时覆盖前述的集成电路芯片区域以及切割线；第一沟槽，是蚀刻穿过前述的保护层，然后至少蚀刻至介电层，并且仅被安排在每一集成电路芯片的四个转角处；第二沟槽，蚀刻穿过前述的保护层，并配置在靠近前述的第一沟槽的位置；以及保护封环结构，介于集成电路芯片区域与第一沟槽之间。

公开(公告)号：CN1889249A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200510081382.6

申请日：2005-06-28

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林宗辉 ,  刘洪民 ,  饶瑞孟 ,  张文通 ,  陈国明 ,  何凯光

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明披露一种半导体晶片，其特征是，包括多个集成电路芯片区域，每一集成电路芯片区域周围是切割线围绕，经由切割线以及晶片机械切割步骤，可以将多个集成电路芯片区域分开，其中每一集成电路芯片具有四个转角；保护层，同时覆盖前述的集成电路芯片区域以及切割线；第一沟槽，是蚀刻穿过前述的保护层，然后至少蚀刻至介电层，并且仅被安排在每一集成电路芯片的四个转角处；第二沟槽，蚀刻穿过前述的保护层，并配置在靠近前述的第一沟槽的位置；以及保护封环结构，介于集成电路芯片区域与第一沟槽之间。

公开(公告)号：CN1601738A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN03154408.8

申请日：2003-09-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 饶瑞孟 ,  许兴仁 ,  陈国明 ,  刘洪民 ,  王坤池

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 一种避免产生寄生电容的虚拟焊料凸块结构(parasitic capacitance－preventing dummy solder bump)包含有至少一形成于一基底表面的导电层、一覆盖于该导电层上的介电层、一形成于该介电层表面的覆晶球下金属层(under bump metallurgy layer，UBM layer)以及一形成于该覆晶球下金属层上的焊料凸块。

公开(公告)号：CN1459854A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN03100349.4

申请日：2003-01-13

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈国明

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/14 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H05K3/3436 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/3511 ,  H05K2201/094 ,  H05K2201/09418 ,  H05K2203/0465 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种增加封装体可靠性的焊垫结构，该封装体包含有一基板或/及晶片，该焊垫结构包含有复数个第一焊垫设于该基板或/及晶片表面，以及至少一第二焊垫设于该基板或/及晶片表面的一预定区域；其中各该第一焊垫具有一第一直径，且该第二焊垫具有一大于该第一直径的第二直径，因此该第二焊垫可以在该基板或/及晶片承受较大的热应力；由于本发明于基板或/及晶片的高应力区域设置具有较大尺寸的焊垫，且这些具有较大尺寸的焊垫可以承受较强的机械强度并且提供较佳的抗热应力能力，因此本发明封装体焊垫结构可以有效改善整个封装体的可靠性；另，本发明利用焊垫制程中光阻图案的开口大小来控制基板或/及晶片上的焊垫尺寸，因此不需增加额外的制程及设备或变更原有制程，即可达到改善封装体可靠性的目的。

公开(公告)号：CN1328790C

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN03154408.8

申请日：2003-09-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 饶瑞孟 ,  许兴仁 ,  陈国明 ,  刘洪民 ,  王坤池

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 一种避免产生寄生电容的虚拟焊料凸块结构(parasitic capacitance-preventing dummy solder bump)包含有至少一形成于一基底表面的导电层、一覆盖于该导电层上的介电层、一形成于该介电层表面的倒装芯片球下金属层(under bump metallurgy layer，UBM layer)以及一形成于该倒装芯片球下金属层上的焊料凸块。

公开(公告)号：CN1242472C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN03100349.4

申请日：2003-01-13

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈国明

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/14 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H05K3/3436 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/3511 ,  H05K2201/094 ,  H05K2201/09418 ,  H05K2203/0465 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种增加封装体可靠性的焊垫结构，该封装体包含有一基板或/及晶片，该焊垫结构包含有多个第一焊垫设于该基板或/及晶片表面，以及至少一第二焊垫设于该基板或/及晶片表面的一高应力区域；其中所述第一焊垫具有一第一直径，且该第二焊垫具有一大于该第一直径的第二直径，因此该第二焊垫可以在该基板或/及晶片承受较大的热应力；由于本发明于基板或/及晶片的高应力区域设置具有较大尺寸的焊垫，且这些具有较大尺寸的焊垫可以承受较强的机械强度并且提供较佳的抗热应力能力，因此本发明封装体焊垫结构可以有效改善整个封装体的可靠性；另，本发明利用焊垫制程中光阻图案的开口大小来控制基板或/及晶片上的焊垫尺寸，因此不需增加额外的制程及设备或变更原有制程，即可达到改善封装体可靠性的目的。

公开(公告)号：CN1225778C

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN02120649.X

申请日：2002-05-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈国明 ,  刘洪民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明先在一半导体芯片的凸点焊点上形成一第一介电层，接着蚀刻该第一介电层以形成一接触孔并暴露部分该凸点焊点，然后于该接触孔外的该半导体芯片表面形成一第二介电层，再进行一凸点底层金属化工艺，以于该接触孔表面形成一金属层，并在该金属层上形成一焊料凸点，最后完成存储器激光修补工艺。