Invention Grant
CN1328790C 一种避免产生寄生电容的虚拟焊料凸块结构暨制作方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种避免产生寄生电容的虚拟焊料凸块结构暨制作方法
- Patent Title (English): Mfg method of virtul welding lug structure avoiding generation of capacity
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Application No.: CN03154408.8Application Date: 2003-09-27
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Publication No.: CN1328790CPublication Date: 2007-07-25
- Inventor: 饶瑞孟 , 许兴仁 , 陈国明 , 刘洪民 , 王坤池
- Applicant: 联华电子股份有限公司
- Applicant Address: 台湾省新竹市
- Assignee: 联华电子股份有限公司
- Current Assignee: 联华电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 台湾省新竹市
- Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
- Agent 王占梅
- Main IPC: H01L23/488
- IPC: H01L23/488 ; H01L21/60 ; H01L21/28
Abstract:
一种避免产生寄生电容的虚拟焊料凸块结构(parasitic capacitance-preventing dummy solder bump)包含有至少一形成于一基底表面的导电层、一覆盖于该导电层上的介电层、一形成于该介电层表面的倒装芯片球下金属层(under bump metallurgy layer，UBM layer)以及一形成于该倒装芯片球下金属层上的焊料凸块。
Public/Granted literature
- CN1601738A 一种避免产生寄生电容的虚拟焊料凸块结构暨制作方法 Public/Granted day:2005-03-30
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IPC分类:
