一种凸点与存储器激光修补工艺

Invention Grant

Patent Title: 一种凸点与存储器激光修补工艺
Patent Title (English): Technique for repairing salient point and memory by using laser
Application No.: CN02120649.X

Application Date: 2002-05-27
Publication No.: CN1225778C

Publication Date: 2005-11-02
Inventor: 陈国明 , 刘洪民
Applicant: 联华电子股份有限公司
Applicant Address: 台湾省新竹科学工业园区
Assignee: 联华电子股份有限公司
Current Assignee: 联华电子股份有限公司
Current Assignee Address: 台湾省新竹科学工业园区
Agency: 北京市柳沈律师事务所
Agent 李晓舒; 魏晓刚
Main IPC: H01L21/768
IPC: H01L21/768 ; H01L21/60 ; H01L21/82

Abstract:

本发明先在一半导体芯片的凸点焊点上形成一第一介电层，接着蚀刻该第一介电层以形成一接触孔并暴露部分该凸点焊点，然后于该接触孔外的该半导体芯片表面形成一第二介电层，再进行一凸点底层金属化工艺，以于该接触孔表面形成一金属层，并在该金属层上形成一焊料凸点，最后完成存储器激光修补工艺。

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Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/768	...利用互连在器件中的分离元件间传输电流