公开(公告)号：CN118039633A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211413980.9

申请日：2022-11-11

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 张智翔 ,  赵美玲 ,  蔡尹佳 ,  唐天浩 ,  苏冠丞

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8249

Abstract: 本发明提供一种静电放电保护装置及其制造方法，其中该静电放电保护装置包括：栅极结构、多个第一掺杂区以及多个第二掺杂区。栅极结构在衬底上。所述栅极结构包括主体部与多个延伸部，所述多个延伸部与所述主体部连接，且所述主体部与所述多个延伸部的延伸方向不同。多个第一掺杂区，在所述多个延伸部之间的所述衬底之中。多个第二掺杂区，在所述多个延伸部的两个外侧的所述衬底之中。所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区具有不同的导电型。

公开(公告)号：CN110223969A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201810171235.5

申请日：2018-03-01

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 姜钧 ,  曾颖伟 ,  张秉真 ,  唐天浩

IPC: H01L23/60 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明公开一种具有静电放电防护功能的半导体装置及其静电放电的测试方法，该静电放电防护的半导体装置包含集成电路、密封环以及导电层。其中，集成电路设置在晶片上，并具有第一区域以及一第二区域，而密封环则设置在晶片上，环绕集成电路。导电层至少覆盖第一区域，并且电连接密封环。

公开(公告)号：CN103247616B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210032730.0

申请日：2012-02-14

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 王畅资 ,  唐天浩 ,  苏冠丞

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L29/87 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7436

Abstract: 本发明公开一种静电放电保护装置，其包括：基材；第一阱区，位于基材中，具有第一电性。第一掺杂区具有第一电性，位于第一阱区之中；第二掺杂区具有第二电性，位于第一阱区之中；以及外延层，位于基材中，具有彼此分隔的第三掺杂区和第四掺杂区。第三掺杂区具有第一电性，第四掺杂区具有第二电性。第一掺杂区、第一阱区和第三掺杂区之间，具有第一双极晶体管等效电路；第二掺杂区、第一阱区和第四掺杂区之间，具有第二双极晶体管等效电路，且第一双极晶体管等效电路和第二双极晶体管等效电路，具有相异的多数载流子。

公开(公告)号：CN106158833A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510156061.1

申请日：2015-04-03

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 黄崇佑 ,  苏冠丞 ,  唐天浩 ,  张秉真

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开一种半导体静电放电保护元件，包含有一基底、一设置于该基底上的栅极组、分别设置于该栅极组两侧的该基底内的一源极区域与一漏极区域、至少一设置于该漏极区域内的第一掺杂区域、以及至少一设置于该基底内的第二掺杂区域。该源极区域与该漏极区域包含有一第一导电型态，而该第一掺杂区域与该第二掺杂区域则包含有一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。该第二掺杂区域与该第一掺杂区域彼此电连接。

公开(公告)号：CN104104378A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310122730.4

申请日：2013-04-10

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 王畅资 ,  张秉真 ,  唐天浩

IPC: H03K19/0175

Abstract: 输出缓冲器包含一输入输出端、一电压源、一第一晶体管及一第二晶体管。该第一晶体管包含一耦接于该输入输出端的第一端、一耦接于该电压源的第二端，及一耦接于该电压源的控制端。该第二晶体管包含一耦接于该输入输出端的第一端、一耦接于该电压源的第二端，及一耦接于该电压源的控制端。该第一晶体管的控制端与该第二晶体管的控制端的布局方向是实质上相垂直，且该第一晶体管的击穿电压是高于该第二晶体管的击穿电压。

公开(公告)号：CN1302547C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN02126483.X

申请日：2002-07-23

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈孝贤 ,  许村来 ,  唐天浩 ,  曾华洲

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L27/0251

Abstract: 一种静电放电保护电路的结构，使用深沟渠(Deep Trench)结构取代围绕于静电放电保护电路周围的保护环(Guard Ring)，如此不仅能够较使用保护环节省元件面积，并且可以缩短静电放电保护电路中晶体管的距离以节省空间，并于节省面积的同时，也能具有良好的闭锁防止效能与基底噪声防止效能。

公开(公告)号：CN1607670A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200310100244.9

申请日：2003-10-13

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈孝贤 ,  黄吕祥 ,  唐天浩

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: 一种部分空乏SOI金氧半导体元件，包含有一隔离绝缘于一SOI基板的薄膜主体层中的第一导电型井，该SOI基板包含有该薄膜主体层、一支撑基板以及一介于该薄膜主体层与该支撑基板之间的深埋氧化层；一闸极介电层，设于该第一导电型井的表面上；一多晶硅闸极，设于该闸极介电层上，该多晶硅闸极具有一第一导电型第一闸极区块，其与一延伸自该第一导电型井的延伸井区域重叠，以及一第二导电型第二闸极区块，其穿越过该第一导电型井上方，借此形成介于该第一导电型第一闸极区块与该延伸井区域之间的一穿隧连结组态；及第二导电型汲极与源极区域，分别设于该第二闸极区块的相对两侧的该第一导电型井中。

公开(公告)号：CN1518103A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN03100662.0

申请日：2003-01-17

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈孝贤 ,  唐天浩 ,  周秋香

IPC: H01L23/60

Abstract: 一种ESD保护元件结构，包含有一P型基底；一埋入式N+半导体层，植于该P型基底中，并由一深绝缘浅沟隔绝；一P型井，设于该埋入式N+半导体层之上，并通过该深绝缘浅沟与该P型基底隔绝；一P+掺杂区，设于该P型井中，用来作为该二极管元件的阳极；以及一N+掺杂区，设于该P型井中，用来作为该二极管元件的阴极；其中该P+掺杂区、该埋入式N+半导体层以及该P型基底构成一开放基极的寄生PNP双载子晶体管；相较于习知技艺，本发明通过与Bipolar/BiCMOS制程或SiGe－BiCMOS制程相容的埋入式N+半导体层以及深绝缘沟渠的制作，设计出新颖的ESD保护元件，可应用于二极管串ESD保护电路，由于具有开放基极组态的寄生PNP双载子晶体管的特色，因此有低漏电流的好处。

公开(公告)号：CN1435883A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN02141287.1

申请日：2002-07-05

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 柯明道 ,  洪根刚 ,  唐天浩

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/12 ,  H01L29/861 ,  H01L21/84

Abstract: 一种绝缘体基外延硅的非门控二极管结构，包括：一绝缘体基外延硅衬底，其具有衬底、绝缘层与硅层依序堆叠；对隔离结构，位于硅层中，使在对隔离结构之间与硅层中具有一阱区；第一型离子注入区与一第二型离子注入区，位于阱区中并且分别紧邻各隔离结构。此种非门控二极管结构可以应用于静电防护电路之中，用以提高集成电路产品对静电放电防护能力。此外，本发明提出一种非门控二极管结构的制作方法。

公开(公告)号：CN118198053A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202211596097.8

申请日：2022-12-12

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林祐玄 ,  邱厚荏 ,  赵美玲 ,  唐天浩 ,  苏冠丞

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开一种静电放电保护结构，其包括半导体基底以及设置在半导体基底中的第一n型阱区、p型阱区、第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及隔离结构。p型阱区与第一n型阱区相邻，第一p型掺杂区与第二p型掺杂区分别位于第一n型阱区与p型阱区之上。隔离结构的第一部分在水平方向上位于第一p型掺杂区与第二p型掺杂区之间，第一n型阱区的边缘位于第一部分之下，且第一p型掺杂区与第一n型阱区的边缘之间在水平方向上的距离小于第一部分在水平方向上的长度。