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公开(公告)号：CN1607670A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200310100244.9
申请日：2003-10-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 一种部分空乏SOI金氧半导体元件，包含有一隔离绝缘于一SOI基板的薄膜主体层中的第一导电型井，该SOI基板包含有该薄膜主体层、一支撑基板以及一介于该薄膜主体层与该支撑基板之间的深埋氧化层；一闸极介电层，设于该第一导电型井的表面上；一多晶硅闸极，设于该闸极介电层上，该多晶硅闸极具有一第一导电型第一闸极区块，其与一延伸自该第一导电型井的延伸井区域重叠，以及一第二导电型第二闸极区块，其穿越过该第一导电型井上方，借此形成介于该第一导电型第一闸极区块与该延伸井区域之间的一穿隧连结组态；及第二导电型汲极与源极区域，分别设于该第二闸极区块的相对两侧的该第一导电型井中。
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公开(公告)号：CN1241011C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02126481.3
申请日：2002-07-23
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种电子迁移可靠度的测量方法，此测量方法包括下列步骤：a.于一第一时间供给被测量元件一脉冲波，以使被测量元件升至高温。b.供给被测量元件一测试电流，以测量此被测量元件的电性值，求取电子迁移可靠度的测量数据。c.于一第二时间内，停止将脉冲波供给至被测量元件，以使被测量元件温度降至接近常温。d.以步骤(a)到步骤(c)为一个循环，重复上述步骤(a)到步骤(c)。
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公开(公告)号：CN100416839C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200310100244.9
申请日：2003-10-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 一种局部耗尽SOI金属氧化物半导体元件，包含有一隔离绝缘于一SOI基板的薄膜主体层中的第一导电型阱，该SOI基板包含有该薄膜主体层、一支撑基板以及一介于该薄膜主体层与该支撑基板之间的深埋氧化层；一栅极介电层，设于该第一导电型阱的表面上；一多晶硅栅极，设于该栅极介电层上，该多晶硅栅极具有一第一导电型第一栅极区块，其与一延伸自该第一导电型阱的延伸阱区域重叠，以及一第二导电型第二栅极区块，其穿越过该第一导电型阱上方，借此形成介于该第一导电型第一栅极区块与该延伸阱区域之间的一穿隧连结组态；及第二导电型漏极与源极区域，分别设于该第二栅极区块的相对两侧的该第一导电型阱中。
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公开(公告)号：CN1456878A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN02126481.3
申请日：2002-07-23
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种电子迁移可靠度的测量方法，此测量方法包括下列步骤：a.于一第一时间供给被测量元件一脉冲波，以使被测量元件升至高温。b.供给被测量元件一测试电流，以测量此被测量元件的电性值，求取电子迁移可靠度的测量数据。c.于一第二时间内，停止将脉冲波供给至被测量元件，以使被测量元件温度降至接近常温。d.以步骤(a)到步骤(c)为一个循环，重复上述步骤(a)到步骤(c)。
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