公开(公告)号：CN100454550C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200610071463.2

申请日：2006-03-24

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  莫亚楠 ,  廖以义

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/02 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

Abstract: 一种电容结构，包括多层堆叠的导电图案，且各导电图案包括一封闭导电环、多个相互平行并与封闭导电环电性连接的主要导电条，以及多个与主要导电条交错设置且未与封闭导电环电性连接的次要导电条。位于奇数层的导电图案的主要导电条与次要导电条是分别对应于位于偶数层的导电图案的次要导电条与主要导电条。

公开(公告)号：CN100454516C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200610074355.0

申请日：2006-04-17

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 洪建州 ,  曾华洲 ,  梁其翔 ,  陈佑嘉 ,  许村来

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/00 ,  H01F41/00

Abstract: 提供一基底，于该基底上形成一顶层金属内连线层与一主绕组层。随后于该基底上形成一绝缘层，且该绝缘层具有多个开口暴露出部分该顶层金属内连线层。接下来，于该绝缘层上分别形成一副绕组层与至少一个金属焊垫，且该金属焊垫通过该些开口与该顶层金属内连线层电连接。

公开(公告)号：CN101178969A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200610143591.3

申请日：2006-11-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来

IPC: H01F27/28 ,  H01F5/00

Abstract: 本发明公开一种平面式变压器，包括第一线圈以及第二线圈。其中第一线圈包含多个导电路径与一电性连接部。第一线圈的导电路径环绕一位置点。电性连接部电性连接至第一线圈的导电路径，以形成该第一线圈，其中该电性连接部被配置于一焊垫层中。第二线圈也圈环绕该位置点。

公开(公告)号：CN1971911A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200510126898.8

申请日：2005-11-25

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  陈佑嘉

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/58

Abstract: 一种半导体结构，包括第一导电型衬底、第一导电型井区、集成电路区、隔离结构及第二导电型掺杂区。第一导电型井区设置于第一导电型衬底中。集成电路区设置于第一导电型井区上。隔离结构设置于第一导电型衬底中并环绕集成电路区。第二导电型掺杂区设置于第一导电型衬底中并环绕隔离结构。

公开(公告)号：CN100585757C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200610143592.8

申请日：2006-11-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  廖作祥 ,  欧俊宏

IPC: H01F27/28 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开一种高耦合因子变压器及其制造方法，其中变压器包括第一线圈以及第二线圈。第二线圈邻近于第一线圈，并且第二线圈互感于第一线圈。第一线圈包含多个第一凸部。第二线圈包含多个第二凸部。其中，该些第一凸部伸向该第二线圈而不电性接触，并且该些第二凸部伸向该第一线圈而不电性接触。

公开(公告)号：CN101150125A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200610159216.8

申请日：2006-09-22

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  欧俊宏 ,  陈瑞芳 ,  许绩威

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01F17/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明提供形成于半导体基底上的电感器。所述电感器包括金属层和绝缘体层。所述金属层构成所述电感器的线圈。所述绝缘体层包括至少一个绝缘体块，且每个绝缘体块均包括在所述金属层中。

公开(公告)号：CN1302547C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN02126483.X

申请日：2002-07-23

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈孝贤 ,  许村来 ,  唐天浩 ,  曾华洲

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L27/0251

Abstract: 一种静电放电保护电路的结构，使用深沟渠(Deep Trench)结构取代围绕于静电放电保护电路周围的保护环(Guard Ring)，如此不仅能够较使用保护环节省元件面积，并且可以缩短静电放电保护电路中晶体管的距离以节省空间，并于节省面积的同时，也能具有良好的闭锁防止效能与基底噪声防止效能。

公开(公告)号：CN100552684C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710086204.1

申请日：2007-03-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  陈瑞芳 ,  欧俊宏 ,  许绩威

IPC: G06F17/50

Abstract: 一种具有射频元件的集成电路布局方法，包括以下步骤。输入至少一射频元件的形态数据与输入对应该射频元件的至少一射频参数的数值。依据射频参数的数值与形态数据，产生频率响应结果。当频率响应结果符合所需规格时，依据频率响应结果进行集成电路的布局。当频率响应结果不符合所需规格时，重新输入该至少一射频参数的另一数值。

公开(公告)号：CN100336169C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200410005041.6

申请日：2004-02-16

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 洪建州 ,  曾华洲 ,  许村来 ,  范政文 ,  秦嘉鸿 ,  林俊仪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/01 ,  H01F41/00 ,  H01F17/00

Abstract: 一种电感元件的制造方法其结构，该电感元件架构于衬底上，该衬底上已配置有平坦化的介电层。该电感元件结构包括第一电感图形、第二电感图形与第三电感图形，其中第一电感图形配置于介电层上。另外，第二电感图形配置于第一电感图形上，且第二电感图形与第一电感图形电连接。此外，第三电感图形配置于第二电感图形上，且第三电感图形是与第二电感图形电连接，其中第一电感图形、第二电感图形与第三电感图形具有相似的图形。由于此电感元件借助多层电感图形增加其厚度，所以可以降低电感元件的阻抗。

公开(公告)号：CN1979849A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200510126985.3

申请日：2005-11-29

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  严国辉 ,  陈威良

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/522

Abstract: 一种电容结构，包括第一电容器以及第二电容器。第一电容器包括第一电极、第二电极与第一绝缘层，其中第二电极配置于第一电极下方，且第一绝缘层配置于第一电极与第二电极之间。第二电容器配置于第一电容器下方，且与第一电容器并联。第二电容器包括构成第三、第四电极的多个图案化金属层与多个介层窗插塞，以及第二绝缘层。各图案化金属层堆叠配置于第二绝缘层中，且介层窗插塞连接这些图案化金属层，其中每一图案化金属层包括第三电极的一部分与第四电极的一部分。