公开(公告)号：CN100552684C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710086204.1

申请日：2007-03-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  陈瑞芳 ,  欧俊宏 ,  许绩威

IPC: G06F17/50

Abstract: 一种具有射频元件的集成电路布局方法，包括以下步骤。输入至少一射频元件的形态数据与输入对应该射频元件的至少一射频参数的数值。依据射频参数的数值与形态数据，产生频率响应结果。当频率响应结果符合所需规格时，依据频率响应结果进行集成电路的布局。当频率响应结果不符合所需规格时，重新输入该至少一射频参数的另一数值。

公开(公告)号：CN100543989C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200610075379.8

申请日：2006-04-11

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  陈瑞芳 ,  欧俊宏

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/522 ,  H01F17/00

Abstract: 本发明提供一种电感器结构，包括一衬底；多个隔离层，位于衬底上；一第一螺旋状导电性线圈，位于隔离层中，形成具有一第一方向的磁场的电感；及一第二螺旋状导电性线圈，位于隔离层中，形成具有一第二方向的磁场的电感。该第一方向与该第二方向不互相平行。其是将二个或二个以上独立电感设置于同一立体空间中，具有良好的密集度。

公开(公告)号：CN100527415C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610159216.8

申请日：2006-09-22

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  欧俊宏 ,  陈瑞芳 ,  许绩威

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01F17/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明提供形成于半导体基底上的电感器。所述电感器包括金属层和绝缘体层。所述金属层构成所述电感器的线圈。所述绝缘体层包括至少一个绝缘体块，且每个绝缘体块均包括在所述金属层中。

公开(公告)号：CN101261650A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200710086204.1

申请日：2007-03-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  陈瑞芳 ,  欧俊宏 ,  许绩威

IPC: G06F17/50

Abstract: 一种具有射频组件的集成电路布局方法，包括以下步骤。输入至少一射频组件的型态数据与输入对应该射频组件的至少一射频参数。依据射频参数与型态数据，产生频率响应结果。当频率响应结果符合所需规格时，依据频率响应结果进行集成电路的布局。当频率响应结果不符合所需规格时，重新输入另一射频参数。

公开(公告)号：CN101178970A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200610143592.8

申请日：2006-11-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  廖作祥 ,  欧俊宏

IPC: H01F27/28 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开一种高耦合因子变压器及其制造方法，其中变压器包括第一线圈以及第二线圈。第二线圈邻近于第一线圈，并且第二线圈互感于第一线圈。第一线圈包含多个第一凸部。第二线圈包含多个第二凸部。其中，该些第一凸部伸向该第二线圈而不电性接触，并且该些第二凸部伸向该第一线圈而不电性接触。

公开(公告)号：CN101055869A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200610075379.8

申请日：2006-04-11

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  陈瑞芳 ,  欧俊宏

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/522 ,  H01F17/00

Abstract: 本发明提供一种电感器结构，包括一衬底；多个隔离层，位于衬底上；一第一螺旋状导电性线圈，位于隔离层中，形成具有一第一方向的磁场的电感；及一第二螺旋状导电性线圈，位于隔离层中，形成具有一第二方向的磁场的电感。其是将二个或二个以上独立电感设置于同一立体空间中，具有良好的密集度。

公开(公告)号：CN100585757C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200610143592.8

申请日：2006-11-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  廖作祥 ,  欧俊宏

IPC: H01F27/28 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开一种高耦合因子变压器及其制造方法，其中变压器包括第一线圈以及第二线圈。第二线圈邻近于第一线圈，并且第二线圈互感于第一线圈。第一线圈包含多个第一凸部。第二线圈包含多个第二凸部。其中，该些第一凸部伸向该第二线圈而不电性接触，并且该些第二凸部伸向该第一线圈而不电性接触。

公开(公告)号：CN101150125A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200610159216.8

申请日：2006-09-22

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许村来 ,  欧俊宏 ,  陈瑞芳 ,  许绩威

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01F17/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明提供形成于半导体基底上的电感器。所述电感器包括金属层和绝缘体层。所述金属层构成所述电感器的线圈。所述绝缘体层包括至少一个绝缘体块，且每个绝缘体块均包括在所述金属层中。