公开(公告)号：CN1658370A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200410005041.6

申请日：2004-02-16

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 洪建州 ,  曾华洲 ,  许村来 ,  范政文 ,  秦嘉鸿 ,  林俊仪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/01 ,  H01F41/00 ,  H01F17/00

Abstract: 一种电感元件的制造方法其结构，该电感元件架构于衬底上，该衬底上已配置有平坦化的介电层。该电感元件结构包括第一电感图形、第二电感图形与第三电感图形，其中第一电感图形配置于介电层上。另外，第二电感图形配置于第一电感图形上，且第二电感图形与第一电感图形电连接。此外，第三电感图形配置于第二电感图形上，且第三电感图形是与第二电感图形电连接，其中第一电感图形、第二电感图形与第三电感图形具有相似的图形。由于此电感元件借助多层电感图形增加其厚度，所以可以降低电感元件的阻抗。

公开(公告)号：CN101295715A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710102137.8

申请日：2007-04-29

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 黄圣懿 ,  洪建州 ,  陈佑嘉 ,  曾金兰 ,  曾志裕 ,  梁其翔 ,  林俊仪

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: 一种高压无线射频功率元件，包括多个串接的晶体管，其包括一栅极，设于一基底上；一栅极介电层，设于该栅极与该基底间；一漏极结构，设于该栅极的一侧，其包括一N+掺杂区、一浅沟渠绝缘结构以及一N－离子井，其中该浅沟渠绝缘结构包围该N+掺杂区，该N－离子井位于该N+掺杂区与该浅沟渠绝缘结构正下方；以及一N+源极掺杂区，设于该栅极的另一侧。

公开(公告)号：CN100336169C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200410005041.6

申请日：2004-02-16

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 洪建州 ,  曾华洲 ,  许村来 ,  范政文 ,  秦嘉鸿 ,  林俊仪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/01 ,  H01F41/00 ,  H01F17/00

Abstract: 一种电感元件的制造方法其结构，该电感元件架构于衬底上，该衬底上已配置有平坦化的介电层。该电感元件结构包括第一电感图形、第二电感图形与第三电感图形，其中第一电感图形配置于介电层上。另外，第二电感图形配置于第一电感图形上，且第二电感图形与第一电感图形电连接。此外，第三电感图形配置于第二电感图形上，且第三电感图形是与第二电感图形电连接，其中第一电感图形、第二电感图形与第三电感图形具有相似的图形。由于此电感元件借助多层电感图形增加其厚度，所以可以降低电感元件的阻抗。