公开(公告)号：CN110690210A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201810735223.0

申请日：2018-07-06

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 张智翔 ,  邱厚荏 ,  赵美玲 ,  唐天浩 ,  苏冠丞

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开一种栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其包含一P型基底；一P型阱区域，设于该P型基底中；一指栅极横越该P型阱区域，其中该指栅极的一第一侧壁上设有一第一间隙壁，该指栅极相对于该第一侧壁的一第二侧壁上设有一第二间隙壁；一N+漏极掺杂区，设于该P型阱区域中，且邻近该指栅极的该第一侧壁，其中该N+漏极掺杂区邻接该第一间隙壁的一底部边缘；一N+源极掺杂区，相对于该N+漏极掺杂区设于该P型阱区域中，其中该N+源极掺杂区相对于该第二间隙壁的一底部边缘保持一预定距离；以及一P+拾取环设于该P型阱区域中且环绕该指栅极、该N+漏极掺杂区与该N+源极掺杂区。

公开(公告)号：CN107611121B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201610541426.7

申请日：2016-07-11

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 黄崇佑 ,  邱厚荏 ,  唐天浩

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开一种用于静电放电保护的半导体结构，其包括一基板、一第一掺杂阱、一源极掺杂区域、一漏极掺杂区域以及一栅极结构。第一掺杂阱设置于基板内，且具有一第一导电型。源极掺杂区域设置于基板内，且具有一第二导电型，第二导电型与第一导电型相反。漏极掺杂区域设置于基板内，且具有第二导电型。栅极结构设置于基板上，且位于源极掺杂区域与漏极掺杂区域之间。栅极结构与源极掺杂区域分开。

公开(公告)号：CN107611121A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201610541426.7

申请日：2016-07-11

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 黄崇佑 ,  邱厚荏 ,  唐天浩

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开一种用于静电放电保护的半导体结构，其包括一基板、一第一掺杂阱、一源极掺杂区域、一漏极掺杂区域以及一栅极结构。第一掺杂阱设置于基板内，且具有一第一导电型。源极掺杂区域设置于基板内，且具有一第二导电型，第二导电型与第一导电型相反。漏极掺杂区域设置于基板内，且具有第二导电型。栅极结构设置于基板上，且位于源极掺杂区域与漏极掺杂区域之间。栅极结构与源极掺杂区域分开。

公开(公告)号：CN118198053A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202211596097.8

申请日：2022-12-12

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林祐玄 ,  邱厚荏 ,  赵美玲 ,  唐天浩 ,  苏冠丞

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开一种静电放电保护结构，其包括半导体基底以及设置在半导体基底中的第一n型阱区、p型阱区、第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及隔离结构。p型阱区与第一n型阱区相邻，第一p型掺杂区与第二p型掺杂区分别位于第一n型阱区与p型阱区之上。隔离结构的第一部分在水平方向上位于第一p型掺杂区与第二p型掺杂区之间，第一n型阱区的边缘位于第一部分之下，且第一p型掺杂区与第一n型阱区的边缘之间在水平方向上的距离小于第一部分在水平方向上的长度。

公开(公告)号：CN116805623A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202210270967.6

申请日：2022-03-18

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 卢冠佑 ,  邱厚荏 ,  赵美玲 ,  唐天浩 ,  苏冠丞

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开一种静电放电保护装置，其包括半导体基底、栅极结构、源极掺杂区、漏极掺杂区、多个源极硅化物图案以及多个漏极硅化物图案。栅极结构设置在半导体基底上。源极掺杂区与漏极掺杂区设置在半导体基底中且分别位于栅极结构在第一方向上的两相对侧。源极硅化物图案设置在源极掺杂区上，且多个源极硅化物图案沿第二方向上排列且彼此分离。漏极硅化物图案设置在漏极掺杂区上，且多个漏极硅化物图案沿第二方向上排列且彼此分离。多个源极硅化物图案与多个漏极硅化物图案在第一方向上彼此错位排列。

公开(公告)号：CN110690210B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201810735223.0

申请日：2018-07-06

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 张智翔 ,  邱厚荏 ,  赵美玲 ,  唐天浩 ,  苏冠丞

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开一种栅极接地N型金属氧化物半导体晶体管，其包含一P型基底；一P型阱区域，设于该P型基底中；一指栅极横越该P型阱区域，其中该指栅极的一第一侧壁上设有一第一间隙壁，该指栅极相对于该第一侧壁的一第二侧壁上设有一第二间隙壁；一N+漏极掺杂区，设于该P型阱区域中，且邻近该指栅极的该第一侧壁，其中该N+漏极掺杂区邻接该第一间隙壁的一底部边缘；一N+源极掺杂区，相对于该N+漏极掺杂区设于该P型阱区域中，其中该N+源极掺杂区相对于该第二间隙壁的一底部边缘保持一预定距离；以及一P+拾取环设于该P型阱区域中且环绕该指栅极、该N+漏极掺杂区与该N+源极掺杂区。