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公开(公告)号：CN116805623A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210270967.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开一种静电放电保护装置，其包括半导体基底、栅极结构、源极掺杂区、漏极掺杂区、多个源极硅化物图案以及多个漏极硅化物图案。栅极结构设置在半导体基底上。源极掺杂区与漏极掺杂区设置在半导体基底中且分别位于栅极结构在第一方向上的两相对侧。源极硅化物图案设置在源极掺杂区上，且多个源极硅化物图案沿第二方向上排列且彼此分离。漏极硅化物图案设置在漏极掺杂区上，且多个漏极硅化物图案沿第二方向上排列且彼此分离。多个源极硅化物图案与多个漏极硅化物图案在第一方向上彼此错位排列。
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