公开(公告)号：CN1311550C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN03100662.0

申请日：2003-01-17

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈孝贤 ,  唐天浩 ,  周秋香

IPC: H01L23/60

Abstract: 一种二极管串ESD保护电路，包含有形成于一P型基底的多个串联的二极管元件，各该二极管元件包含有：一埋入式N+半导体层，植于该P型基底中；一P型阱，设于该埋入式N+半导体层之上；一P+掺杂区，设于该P型阱中，用来作为该二极管元件的阳极；以及一N+掺杂区，设于该P型阱中，用来作为该二极管元件的阴极；每个二极管的P型阱和埋入式N+半导体层由一深沟槽隔离与相邻的二极管隔离。相较于公知技艺，本发明设计出新颖的ESD保护元件，可应用于二极管串ESD保护电路，由于具有基极开路组态的寄生PNP双极晶体管的特色，因此有低漏电流的好处。

公开(公告)号：CN1518103A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN03100662.0

申请日：2003-01-17

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈孝贤 ,  唐天浩 ,  周秋香

IPC: H01L23/60

Abstract: 一种ESD保护元件结构，包含有一P型基底；一埋入式N+半导体层，植于该P型基底中，并由一深绝缘浅沟隔绝；一P型井，设于该埋入式N+半导体层之上，并通过该深绝缘浅沟与该P型基底隔绝；一P+掺杂区，设于该P型井中，用来作为该二极管元件的阳极；以及一N+掺杂区，设于该P型井中，用来作为该二极管元件的阴极；其中该P+掺杂区、该埋入式N+半导体层以及该P型基底构成一开放基极的寄生PNP双载子晶体管；相较于习知技艺，本发明通过与Bipolar/BiCMOS制程或SiGe－BiCMOS制程相容的埋入式N+半导体层以及深绝缘沟渠的制作，设计出新颖的ESD保护元件，可应用于二极管串ESD保护电路，由于具有开放基极组态的寄生PNP双载子晶体管的特色，因此有低漏电流的好处。