公开(公告)号：CN115428143A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180029968.5

申请日：2021-04-27

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中西政晴 ,  川本典明

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 一种半导体装置，具有：开关元件，其具有漏极电极、栅极电极以及源极电极；基部，其对所述开关元件进行支承；第一端子、第二端子、第三端子和第四端子，它们分别在相同的方向上延伸。所述开关元件具有：温度检测用二极管，其具有配置于该元件的主面的第一电极。所述漏极电极、所述栅极电极和所述源极电极分别与所述第一端子、所述第二端子及所述第三端子中的某一个导通。所述第一电极经由第一线与所述第四端子导通。

公开(公告)号：CN102822977B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180017302.4

申请日：2011-03-30

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 奥村启树 ,  三浦峰生 ,  中野佑纪 ,  川本典明 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第一导电型的半导体层；在所述半导体层的表层部隔开间隔而形成多个的第二导电型的体区域；形成于各所述体区域的表层部的第一导电型的源极区域；设在所述半导体层上，架跨在相邻的所述体区域之间的栅极绝缘膜；设在所述栅极绝缘膜上，与所述体区域对置的栅极电极；以及设在相邻的所述体区域之间，缓和在所述栅极绝缘膜产生的电场的电场缓和部。

公开(公告)号：CN106415837B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201480065081.1

申请日：2014-11-26

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  川本典明

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 形成半导体装置1，所述半导体装置包含：SiC外延层28；多个晶体管单元18，形成于SiC外延层28，通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极19，与在接通时形成沟道的晶体管单元18的沟道区域32相对；栅极金属44，为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极19在物理上分离，但是，电连接于栅极电极19；以及内置电阻21，被配置在栅极金属44的下方，由将栅极金属44和栅极电极19电连接的多晶硅构成。

公开(公告)号：CN101568993B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780047845.4

申请日：2007-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 森崎英介 ,  小林洋克 ,  吉川润 ,  泽田郁夫 ,  木本恒畅 ,  川本典明 ,  明田正俊

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。

公开(公告)号：CN101568993A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780047845.4

申请日：2007-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 森崎英介 ,  小林洋克 ,  吉川润 ,  泽田郁夫 ,  木本恒畅 ,  川本典明 ,  明田正俊

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。

公开(公告)号：CN110634825B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910879948.1

申请日：2014-11-26

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  川本典明

IPC: H01L23/482 ,  H01L25/16

Abstract: 形成半导体装置（1），所述半导体装置包含：SiC外延层（28）；多个晶体管单元（18），形成于SiC外延层（28），通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极（19），与在接通时形成沟道的晶体管单元（18）的沟道区域（32）相对；栅极金属（44），为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极（19）在物理上分离，但是，电连接于栅极电极（19）；以及内置电阻（21），被配置在栅极金属（44）的下方，由将栅极金属（44）和栅极电极（19）电连接的多晶硅构成。

公开(公告)号：CN101253633B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200680032093.X

申请日：2006-08-22

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 谷本智 ,  川本典明 ,  鬼头孝之 ,  三浦峰生

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/049 ,  H01L21/31666 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

Abstract: 一种碳化硅半导体器件(90)，包括：1)碳化硅衬底(1)；2)由多晶硅构成的栅电极(7)；以及3)ONO绝缘膜(9)，该ONO绝缘膜(9)被夹在碳化硅衬底(1)与栅电极(7)之间，从而形成栅极结构，并且该ONO绝缘膜(9)包括从碳化硅衬底(1)开始依次形成的如下部分：a)第一二氧化硅膜(O)(10)，b)SiN膜(N)(11)，以及c)SiN热氧化膜(O)(12、12a、12b)。其中氮包括在如下位置中的至少一个中：i)在第一二氧化硅膜(O)(10)中和在碳化硅衬底(1)附近，以及ii)在碳化硅衬底(1)与第一二氧化硅膜(O)(10)之间的界面中。

公开(公告)号：CN106415837A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480065081.1

申请日：2014-11-26

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 长尾胜久 ,  川本典明

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 形成半导体装置1，所述半导体装置包含：SiC外延层28；多个晶体管单元18，形成于SiC外延层28，通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极19，与在接通时形成沟道的晶体管单元18的沟道区域32相对；栅极金属44，为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极19在物理上分离，但是，电连接于栅极电极19；以及内置电阻21，被配置在栅极金属44的下方，由将栅极金属44和栅极电极19电连接的多晶硅构成。

公开(公告)号：CN102822977A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180017302.4

申请日：2011-03-30

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 奥村启树 ,  三浦峰生 ,  中野佑纪 ,  川本典明 ,  安部英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第一导电型的半导体层；在所述半导体层的表层部隔开间隔而形成多个的第二导电型的体区域；形成于各所述体区域的表层部的第一导电型的源极区域；设在所述半导体层上，架跨在相邻的所述体区域之间的栅极绝缘膜；设在所述栅极绝缘膜上，与所述体区域对置的栅极电极；以及设在相邻的所述体区域之间，缓和在所述栅极绝缘膜产生的电场的电场缓和部。

公开(公告)号：CN101218681B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200680024512.5

申请日：2006-06-26

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 下井田良雄 ,  田中秀明 ,  林哲也 ,  星正胜 ,  山上滋春 ,  川本典明 ,  鬼头孝之 ,  三浦峰生 ,  中村孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/04 ,  H01L29/772 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7828

Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括：1.半导体衬底(1，2)；2.异质半导体区域(3)，其被配置为与半导体衬底(1，2)的第一主面(1A)接触，并且在带隙上与半导体衬底(1，2)不同；3.栅电极(7)，其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1，2)之间的接合部(13)的一部分接触；4.源电极(8)，其被配置为连接到异质半导体区域(3)；以及5.漏电极(9)，其被配置为与半导体衬底(1，2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序：i.形成栅极绝缘膜(6)；ii.氮化所述栅极绝缘膜(6)。