公开(公告)号：CN101218681B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200680024512.5

申请日：2006-06-26

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 下井田良雄 ,  田中秀明 ,  林哲也 ,  星正胜 ,  山上滋春 ,  川本典明 ,  鬼头孝之 ,  三浦峰生 ,  中村孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/04 ,  H01L29/772 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7828

Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括：1.半导体衬底(1，2)；2.异质半导体区域(3)，其被配置为与半导体衬底(1，2)的第一主面(1A)接触，并且在带隙上与半导体衬底(1，2)不同；3.栅电极(7)，其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1，2)之间的接合部(13)的一部分接触；4.源电极(8)，其被配置为连接到异质半导体区域(3)；以及5.漏电极(9)，其被配置为与半导体衬底(1，2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序：i.形成栅极绝缘膜(6)；ii.氮化所述栅极绝缘膜(6)。

公开(公告)号：CN101218681A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024512.5

申请日：2006-06-26

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 下井田良雄 ,  田中秀明 ,  林哲也 ,  星正胜 ,  山上滋春 ,  川本典明 ,  鬼头孝之 ,  三浦峰生 ,  中村孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/04 ,  H01L29/772 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7828

Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括：1)半导体衬底(1，2)；2)异质半导体区域(3)，其被配置为与半导体衬底(1，2)的第一主面(1A)接触，并且在带隙上与半导体衬底(1，2)不同；3)栅电极(7)，其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1，2)之间的接合部(13)的一部分接触；4)源电极(8)，其被配置为连接到异质半导体区域(3)；以及5)漏电极(9)，其被配置为与半导体衬底(1，2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序：i)形成栅极绝缘膜(6)；ii)氮化所述栅极绝缘膜(6)。

公开(公告)号：CN101452958B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200810179265.7

申请日：2008-12-04

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。将异质半导体角部区作为防止反向偏置电流集中在凸型角部的电流集中缓和区布置在异质半导体区中。由此，可以防止电流集中在凸型角部。结果，可以改善关断时的关断特性，并且还防止导通时在特定部分产生热点以抑制特定部分的劣化，由此确保了长期可靠性。另外，当半导体芯片用在L负载电路等中时，例如，在导通时或对关断状态的瞬态响应期间，在作为当出现过流或过压时的破坏耐受度的指标的例如短路阻抗负载量和雪崩阻抗量等的指标中，可以防止电流集中在特定部分，因此，可以改善这些破坏耐受度。

公开(公告)号：CN101188201B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200710193701.1

申请日：2007-11-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底异质邻接；栅极绝缘层，其接触半导体衬底和异质半导体区的异质结；栅电极，其形成在栅极绝缘层上；电场缓和区，其与接触栅极绝缘层的异质结的异质结驱动端间隔开预定距离，并且接触半导体衬底和栅极绝缘层；源电极，其接触异质半导体区；以及漏电极，其接触半导体衬底。在异质半导体区形成掩模层，并且通过至少使用部分第一掩模层来形成电场缓和区和异质结驱动端。

公开(公告)号：CN100481353C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610066559.X

申请日：2006-03-30

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  下井田良雄

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828

Abstract: 总的来说，本公开说明在反向偏压状态下表现出增大的电阻和减小的漏电流的半导体装置，还涉及用于制造该半导体装置的方法。例如，在一个实施例中，通过在形成于N-型外延层上的多晶硅层内引入P+或者P-型杂质来获得反向偏压状态下的增大电阻。另外，半导体装置维持正向偏压状态下的低电阻。为保持正向偏压电阻低，栅极附近的多晶硅层可以是N+型。此外，N+型源提取区形成在多晶硅层的表面，以将源极连接到漏极并维持正向偏压时的低电阻。

公开(公告)号：CN101093797A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200610082949.6

申请日：2006-06-21

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 田中秀明 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  林哲也

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该半导体装置包括由第一半导体材料制成的半导体基底；由第二半导体材料制成的异质半导体区，第二半导体材料具有与第一半导体材料不同的带隙，并且与半导体基底形成异质结。该异质结的形成是通过将半导体基底与由第二半导体材料制成的衬底接合起来而完成的。

公开(公告)号：CN100508213C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710086928.6

申请日：2007-03-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  山上滋春 ,  星正胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。减小具有异质结的半导体装置的场效应晶体管的阻抗。形成从多晶硅异质半导体区(与形成在SiC的基底区上的漏区形成异质结)的表面延伸到漏区的沟槽。此外，在远离沟槽的侧壁的位置形成栅绝缘膜、异质半导体区以及漏区相接处的场效应晶体管的驱动点。

公开(公告)号：CN101233618A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680028008.2

申请日：2006-08-02

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/267 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极；以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。

公开(公告)号：CN101207123A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710160614.6

申请日：2007-12-21

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明公开了一种具有优良长期可靠性的半导体器件，其缓和布置在最外部处的开关结构中的电流集中。该半导体器件包括最外部开关结构和重复部分开关结构，该最外部开关结构和重复部分开关结构具有：异质半导体区，由带隙宽度与漂移区的带隙宽度不同的多晶硅形成，并与漂移区邻接；栅极绝缘膜；栅电极，邻接到栅极绝缘膜；源电极，连接到异质半导体区的源极接触部分；以及连接到衬底区的漏电极。在导通状态下，最外部开关结构包括以下机制：在最外部开关结构处流动的电流变得小于在重复部分开关结构处流动的电流。

公开(公告)号：CN101055894A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710090575.7

申请日：2007-04-11

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7808 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。将第二半导体区的杂质浓度设置为当对由第一半导体区和第二半导体区构成的异质结二极管施加预定反向偏压时，至少在异质结二极管的外周端以外的异质结区中的击穿电压是半导体装置的击穿电压。