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公开(公告)号:CN101218681B
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200680024512.5
申请日:2006-06-26
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L21/04 , H01L29/772 , H01L29/24
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/772 , H01L29/7828
Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括:1.半导体衬底(1,2);2.异质半导体区域(3),其被配置为与半导体衬底(1,2)的第一主面(1A)接触,并且在带隙上与半导体衬底(1,2)不同;3.栅电极(7),其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1,2)之间的接合部(13)的一部分接触;4.源电极(8),其被配置为连接到异质半导体区域(3);以及5.漏电极(9),其被配置为与半导体衬底(1,2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序:i.形成栅极绝缘膜(6);ii.氮化所述栅极绝缘膜(6)。
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公开(公告)号:CN101218681A
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200680024512.5
申请日:2006-06-26
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L21/04 , H01L29/772 , H01L29/24
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/772 , H01L29/7828
Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括:1)半导体衬底(1,2);2)异质半导体区域(3),其被配置为与半导体衬底(1,2)的第一主面(1A)接触,并且在带隙上与半导体衬底(1,2)不同;3)栅电极(7),其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1,2)之间的接合部(13)的一部分接触;4)源电极(8),其被配置为连接到异质半导体区域(3);以及5)漏电极(9),其被配置为与半导体衬底(1,2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序:i)形成栅极绝缘膜(6);ii)氮化所述栅极绝缘膜(6)。
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公开(公告)号:CN119213679A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202280096111.X
申请日:2022-05-17
IPC: H02M1/10
Abstract: 本发明的电力变换装置具有:第一变换电路,其具有高速地进行开关的第一开关元件,将从输入端子输入的电力变换为第一交流电;第二变换电路,其具有选择输出的极性的第二开关元件,对从第一变换电路输入的第一交流电进行变换并输出到输出端子。判断输入到输入端子的电力是交流还是直流,在判断为输入的电力是交流的情况下,控制第一开关元件和第二开关元件的动作,以使第二变换电路输出直流电。在判断为输入的电力是直流的情况下,控制第一开关元件和第二开关元件的动作,以使第二变换电路输出直流电或第二交流电。
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公开(公告)号:CN111989855B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN201880092436.4
申请日:2018-04-20
IPC: H02M7/48
Abstract: 一种控制谐振型电力转换装置的方法,该谐振型电力转换装置包含第一谐振电路(L0、C0)及分流电路(3),将直流电源的电力进行转换并输出,其中,通过在根据第一谐振电路(L0、C0)的谐振进行动作的第一开关元件(S1)的断开期间中的规定期间,控制分流电路(3)中所含的第二开关元件(S2),由此对向与第一开关元件(S1)并联连接的第一电容器(CS)流动的电流进行分流。
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公开(公告)号:CN109690800B
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN201680088889.0
申请日:2016-08-31
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 一种光伏装置,具备:有机半导体(10),其包括产生激子的光活性区域(11);以及无机半导体(20),其包括将激子所包含的载流子解离出的解离区域(21),具有压电性,其中,在光活性区域(11)与解离区域(21)之间,能级的关系满足下述式(1)和下述式(2)中的至少任一方。
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公开(公告)号:CN107787548B
公开(公告)日:2019-04-09
申请号:CN201580081079.8
申请日:2015-06-23
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H02M7/5387 , H02M1/08 , H02J7/02
Abstract: 充电共用逆变器具备:桥电路,其将连接蓄电池(70)的正极的上桥的开关元件(21、31、41)和连接蓄电池(70)的负极的下桥的开关元件(22、32、42)连接;第1电容器(10),其将一端与蓄电池(70)的正极连接;第2电容器(11),其连接在第1电容器(10)的另一端与蓄电池(70)的负极之间;第1二极管(12),其将阴极电极连接到上桥与下桥的开关元件的连接点;第2二极管(13),其将阴极电极连接到第1电容器(10)的另一端,从外部电源(80)向第1二极管(12)的阳极电极和第2二极管(13)的阳极电极供给电力。
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公开(公告)号:CN108475990A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201580083847.3
申请日:2015-10-13
Applicant: 日产自动车株式会社 , 弗吉尼亚知识产权技术有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 一种功率转换器(100)基本上设置有至少三个开关电路(101,102,103)、至少一个电源(4)、至少一个负载(6,8)和谐振电路(1)。开关电路(101,102,103)的输入端子连接到所述至少一个电源(4)或所述至少一个负载(6,8),所述开关电路(101,102,103)的输出端子(301,302,303)电串联连接到谐振电路(1)以形成闭合电路。
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公开(公告)号:CN107787548A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201580081079.8
申请日:2015-06-23
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
CPC classification number: H02M7/53871 , H02J7/0052 , H02J2007/0059 , H02M1/08 , H02M7/48 , H02M7/5387 , H02P27/08 , Y02T10/7005
Abstract: 充电共用逆变器具备:桥电路,其将连接蓄电池(70)的正极的上桥的开关元件(21、31、41)和连接蓄电池(70)的负极的下桥的开关元件(22、32、42)连接;第1电容器(10),其将一端与蓄电池(70)的正极连接;第2电容器(11),其连接在第1电容器(10)的另一端与蓄电池(70)的负极之间;第1二极管(12),其将阴极电极连接到上桥与下桥的开关元件的连接点;第2二极管(13),其将阴极电极连接到第1电容器(10)的另一端,从外部电源(80)向第1二极管(12)的阳极电极和第2二极管(13)的阳极电极供给电力。
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公开(公告)号:CN102859689B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201180020142.9
申请日:2011-04-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/8213 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/823487 , H01L27/0727 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/2003 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明的目的为缩短邻接的两个绝缘栅极部的间隔,使半导体装置微细化。漂移区域配置于半导体基体之上,第一阱区域配置于漂移区域的上部,源极区域配置于第一阱区域的上部。各绝缘栅极部在位于漂移区域和源极区域之间的第一阱区域形成沟道(反转层)。第一主电极以构成单极二极管的方式与在一主表面露出的漂移区域接合,且与第一阱区域及源极区域连接。从漂移区域的一主表面的法线方向观察,多个绝缘栅极部具有相互平行的线状图案。邻接的绝缘栅极部之间沿绝缘栅极部延伸的方向排列有第一主电极与漂移区域的接合的接合部位及第一阱区域。沟道至少形成于漂移区域的一主表面的法线方向。
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公开(公告)号:CN101452958B
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200810179265.7
申请日:2008-12-04
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。将异质半导体角部区作为防止反向偏置电流集中在凸型角部的电流集中缓和区布置在异质半导体区中。由此,可以防止电流集中在凸型角部。结果,可以改善关断时的关断特性,并且还防止导通时在特定部分产生热点以抑制特定部分的劣化,由此确保了长期可靠性。另外,当半导体芯片用在L负载电路等中时,例如,在导通时或对关断状态的瞬态响应期间,在作为当出现过流或过压时的破坏耐受度的指标的例如短路阻抗负载量和雪崩阻抗量等的指标中,可以防止电流集中在特定部分,因此,可以改善这些破坏耐受度。
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