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公开(公告)号：CN111699560B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201880088719.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备：在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：CN113330578A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089860.8
申请日：2019-01-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。
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公开(公告)号：CN110291620B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201780086361.4
申请日：2017-02-14
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。
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公开(公告)号：CN112955345A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201880099195.6
申请日：2018-11-05
Abstract: 使用控制电路(13)对具备第一电力转换电路(11)和第二电力转换电路(12)的电力转换装置(10)进行控制的控制方法中，第一电力转换电路(11)与太阳能电池模块(1)及蓄电器(2)连接，对太阳能电池模块(1)的输出电力进行转换，将转换后的电力输出到蓄电器(2)，第二电力转换电路(12)与蓄电器(2)连接，转换与蓄电器的连接端的电压，控制方法基于太阳能电池模块(1)的输出电压，控制第二电力转换电路(12)的动作，由此，将第二电力转换电路(12)的输出电力用于向蓄电器(2)充电。
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公开(公告)号：CN112673561A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201880097362.3
申请日：2018-09-13
IPC: H02M3/28
Abstract: 具有：变换电路(10)，其具有开关元件，通过开关元件的开关动作而将直流电压变换为交流电压；绝缘变压器(3)，其输入侧与变换电路(10)连接；整流电路(4)，其与绝缘变压器(3)的输出侧连接；谐振电路，其与绝缘变压器(3)的输出侧连接；以及控制电路(100)，其对开关元件进行控制，在谐振电路中流动的电流经由绝缘变压器(3)而从开关元件的低电位侧端子向高电位侧端子流动的期间，控制电路(100)使开关元件导通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112005379A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201880092525.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。
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公开(公告)号：CN111937123B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN201880091847.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在主面形成有槽(100)的基板(10)、具有在槽(100)的底部配置的部分的第一导电型的漂移区域(20)、与漂移区域(20)连接而在槽(100)的一方的侧面配置的第二导电型的阱区(30)、与漂移区域(20)分离而在槽(100)的侧面配置在阱区(30)的表面的第一导电型的第一半导体区域(40)、在槽(100)的内部间隔着漂移区域(20)而与阱区(30)对置配置的第一导电型的第二半导体区域(50)、以及在跨越阱区(30)及第一半导体区域(40)各自的上表面而形成有开口部且在槽(100)的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部配置并与阱区(30)对置的栅电极(60)。
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公开(公告)号：CN112005379B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201880092525.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。
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公开(公告)号：CN112005349A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201880092483.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。
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公开(公告)号：CN110291620A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201780086361.4
申请日：2017-02-14
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。
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