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公开(公告)号：CN112005349B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201880092483.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。
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公开(公告)号：CN109219869A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201680086244.3
申请日：2016-05-30
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置，其具备：衬底；第一导电型的漂移区域，其形成于衬底的主面；第二导电型的阱区域，其形成于漂移区域的主面；第一导电型的源极区域，其形成于阱区域；栅极槽，其从漂移区域的主面沿垂直方向形成，与源极区域、阱区域及漂移区域相接；第一导电型的漏极区域，其形成于漂移区域的主面；栅电极，其经由栅极绝缘膜形成于栅极槽的表面；第二导电型的保护区域，其形成于栅极绝缘膜的与漏极区域相对的面；第二导电型的连接区域，其与阱区域和保护区域相接而形成。
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公开(公告)号：CN102341994A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010913.1
申请日：2010-02-26
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H02J17/00
Abstract: 一种非接触供电设备，配备有：用于接收电力的谐振部件，设置在预定谐振频率；用于供应电力的谐振部件，设置在与所述频率相同的谐振频率；振荡部件，其将交流电输入至用于供应电力的谐振部件；阻抗检测部件，其在预定频率范围内检测电力馈送侧的阻抗；以及可变频率部件，其设置所述交流电的频率。所述振荡部件将电力供应至用于接收电力的谐振部件，以便在用于接收电力的谐振部件与用于供应电力的谐振部件之间提供谐振，并且所述可变频率部件设置与由所述阻抗检测部件在所述预定频率范围内检测的所述阻抗值对应的、所述交流电的频率。
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公开(公告)号：CN109219869B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201680086244.3
申请日：2016-05-30
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置，其具备：衬底；第一导电型的漂移区域，其形成于衬底的主面；第二导电型的阱区域，其形成于漂移区域的主面；第一导电型的源极区域，其形成于阱区域；栅极槽，其从漂移区域的主面沿垂直方向形成，与源极区域、阱区域及漂移区域相接；第一导电型的漏极区域，其形成于漂移区域的主面；栅电极，其经由栅极绝缘膜形成于栅极槽的表面；第二导电型的保护区域，其形成于栅极绝缘膜的与漏极区域相对的面；第二导电型的连接区域，其与阱区域和保护区域相接而形成。
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公开(公告)号：CN102422507B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201080020304.4
申请日：2010-05-14
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H02J17/00
Abstract: 本发明的非接触馈电装置(20)包括通过交流电源(6)从初级绕组(101)供给电力的次级绕组(201)。Z1的相对频率的阻抗特性(Z)在所述交流电源(6)的基波成分的频率(f0)附近有极大值(ZMAX)，Z2的相对频率的阻抗特性(Z)在最靠近所述基波成分的频率(f0)取极大值(ZMAX)的频率(fMAX)和在最靠近所述基波成分的频率(f0)取极小值(ZMIN)的频率(fMIN)之间有所述基波成分的频率(f0)。Z1表示所述初级绕组(101)和所述次级绕组(201)之间的耦合系数(k)为规定的值(0.3)，从所述交流电源(6)的输出侧观察到的仅初级侧的阻抗(Z1)，Z2表示所述初级绕组(101)和所述次级绕组(201)之间的所述耦合系数(k)为所述规定的值(0.3)，从连接到所述次级绕组(201)的负载(72)侧观察到的仅次级侧的阻抗(Z2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102422507A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020304.4
申请日：2010-05-14
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H02J17/00
Abstract: 本发明的非接触馈电装置(20)包括通过交流电源(6)从初级绕组(101)供给电力的次级绕组(201)。Z1的相对频率的阻抗特性(Z)在所述交流电源(6)的基波成分的频率(f0)附近有极大值(ZMAX)，Z2的相对频率的阻抗特性(Z)在最靠近所述基波成分的频率(f0)取极大值(ZMAX)的频率(fMAX)和在最靠近所述基波成分的频率(f0)取极小值(ZMIN)的频率(fMIN)之间有所述基波成分的频率(f0)。Z1表示所述初级绕组(101)和所述次级绕组(201)之间的耦合系数(k)为规定的值(0.3)，从所述交流电源(6)的输出侧观察到的仅初级侧的阻抗(Z1)，Z2表示所述初级绕组(101)和所述次级绕组(201)之间的所述耦合系数(k)为所述规定的值(0.3)，从连接到所述次级绕组(201)的负载(72)侧观察到的仅次级侧的阻抗(Z2)。
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公开(公告)号：CN112005349A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201880092483.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。
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公开(公告)号：CN111433908A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201780096353.8
申请日：2017-10-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置具有：在表面形成有槽(M)的金属部件(3)、设置在槽(M)的内部且表面的X轴方向的热传导率比在表面上与X轴方向正交的Y轴方向的热传导率高的热传导部件、以及设置在金属部件(3)的表面且至少一部分与热传导部件(2)相接的半导体元件(1)。使热传导部件(2)的Y轴方向的长度(L6)相对于半导体元件(1)的Y轴方向的长度(L5)的比率(L6/L5)为40％，优选为70％～95％。
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公开(公告)号：CN110291620A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201780086361.4
申请日：2017-02-14
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。
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公开(公告)号：CN102341994B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201080010913.1
申请日：2010-02-26
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H02J17/00
Abstract: 一种非接触供电设备，配备有：用于接收电力的谐振部件，设置在预定谐振频率；用于供应电力的谐振部件，设置在与所述频率相同的谐振频率；振荡部件，其将交流电输入至用于供应电力的谐振部件；阻抗检测部件，其在预定频率范围内检测电力馈送侧的阻抗；以及可变频率部件，其设置所述交流电的频率。所述振荡部件将电力供应至用于接收电力的谐振部件，以便在用于接收电力的谐振部件与用于供应电力的谐振部件之间提供谐振，并且所述可变频率部件设置与由所述阻抗检测部件在所述预定频率范围内检测的所述阻抗值对应的、所述交流电的频率。
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