公开(公告)号：CN111869068A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201880090663.3

申请日：2018-03-07

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下村卓 ,  林哲也 ,  大久保明范 ,  佐藤大树 ,  岩崎裕一

IPC: H02M1/08

Abstract: 开关装置包括：使开关元件(1)被开关的驱动电路(2－4)；以及被连接在开关元件的控制端子(G)和驱动电路(2－4)之间、至少能够变更为第1电容值和与第1电容值不同的第2电容值的可变电容电路(6A)，控制端子和驱动电路之间的电容值通过对可变电容电路的控制来控制。

公开(公告)号：CN111869068B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201880090663.3

申请日：2018-03-07

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下村卓 ,  林哲也 ,  大久保明范 ,  佐藤大树 ,  岩崎裕一

IPC: H02M1/08

Abstract: 开关装置包括：使开关元件(1)被开关的驱动电路(2－4)；以及被连接在开关元件的控制端子(G)和驱动电路(2－4)之间、至少能够变更为第1电容值和与第1电容值不同的第2电容值的可变电容电路(6A)，控制端子和驱动电路之间的电容值通过对可变电容电路的控制来控制。

公开(公告)号：CN109314509A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201680086784.1

申请日：2016-06-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下村卓 ,  林哲也 ,  大久保明范 ,  岩崎裕一

IPC: H03K17/04 ,  H02M1/08 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

Abstract: 在驱动装置中，将主开关元件与主电流路径连接，将高电位侧开关元件的输入端子和低电位侧开关元件的输出端子与主开关元件的控制端子电连接，在低电位侧开关元件的输入端子和主开关元件的控制端子之间连接第一电阻，与第一电阻并联连接第一电容器，在第一电阻与主开关元件的控制端子的连接点和主开关元件的高电位侧端子之间连接第二电容器。

公开(公告)号：CN116368624B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202080106857.5

申请日：2020-11-09

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  雷诺股份公司

Inventor： 丸井俊治 ,  林哲也 ,  沼仓启一郎 ,  倪威 ,  田中亮太 ,  岩崎裕一

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体装置具有：基板；第1导电型源极区域，其形成于基板的主面上；第2导电型阱区域，其与第1导电型源极区域电连接；第1导电型漂移区域，其与第2导电型阱区域接触；第1导电型漏极区域，其与第1导电型漂移区域接触；第1电极，其与第1导电型源极区域电连接；第2电极，其与第1导电型漏极区域电连接；第3电极，其形成为经由绝缘膜而与第1导电型源极区域、第2导电型阱区域以及第1导电型漂移区域接触；以及寄生电容降低区域，其形成为与第1导电型源极区域接触并且经由绝缘膜而与第3电极接触，电阻值高于第1导电型源极区域。

公开(公告)号：CN116368624A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202080106857.5

申请日：2020-11-09

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  雷诺股份公司

Inventor： 丸井俊治 ,  林哲也 ,  沼仓启一郎 ,  倪威 ,  田中亮太 ,  岩崎裕一

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体装置具有：基板；第1导电型源极区域，其形成于基板的主面上；第2导电型阱区域，其与第1导电型源极区域电连接；第1导电型漂移区域，其与第2导电型阱区域接触；第1导电型漏极区域，其与第1导电型漂移区域接触；第1电极，其与第1导电型源极区域电连接；第2电极，其与第1导电型漏极区域电连接；第3电极，其形成为经由绝缘膜而与第1导电型源极区域、第2导电型阱区域以及第1导电型漂移区域接触；以及寄生电容降低区域，其形成为与第1导电型源极区域接触并且经由绝缘膜而与第3电极接触，电阻值高于第1导电型源极区域。

公开(公告)号：CN111433908A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201780096353.8

申请日：2017-10-27

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 富田要介 ,  林哲也 ,  山上滋春 ,  沼仓启一郎 ,  早见泰明 ,  岩崎裕一

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置具有：在表面形成有槽(M)的金属部件(3)、设置在槽(M)的内部且表面的X轴方向的热传导率比在表面上与X轴方向正交的Y轴方向的热传导率高的热传导部件、以及设置在金属部件(3)的表面且至少一部分与热传导部件(2)相接的半导体元件(1)。使热传导部件(2)的Y轴方向的长度(L6)相对于半导体元件(1)的Y轴方向的长度(L5)的比率(L6/L5)为40％，优选为70％～95％。

公开(公告)号：CN109314509B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201680086784.1

申请日：2016-06-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下村卓 ,  林哲也 ,  大久保明范 ,  岩崎裕一

IPC: H03K17/04 ,  H02M1/08 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

Abstract: 在驱动装置中，将主开关元件与主电流路径连接，将高电位侧开关元件的输入端子和低电位侧开关元件的输出端子与主开关元件的控制端子电连接，在低电位侧开关元件的输入端子和主开关元件的控制端子之间连接第一电阻，与第一电阻并联连接第一电容器，在第一电阻与主开关元件的控制端子的连接点和主开关元件的高电位侧端子之间连接第二电容器。