公开(公告)号：CN102073022B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201010541690.3

申请日：2010-11-08

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： A·弗兰克 ,  P-J·陈 ,  D·C·梅泽尔 ,  A·布曼 ,  A·法伊 ,  M·埃卡特

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/12

CPC classification number: G01R33/0286

Abstract: 本发明涉及一种磁强计，它包括基底(1)、设置在基底(1)上的点支承(2)、在点支承(2)上可倾斜地支承的振动结构(3)和用于确定振动结构(3)相对于基底(1)的倾斜的检测器(5)。在此该振动结构(3)具有以至少一圈围绕振动结构(3)的支承点(P)导引的电导线(4)。本发明还涉及一种用于通过这种磁强计测量磁通密度的方法。

公开(公告)号：CN102086020A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010581224.8

申请日：2010-12-06

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： A·法伊 ,  S·克尼斯

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L23/147 ,  B81C1/00515 ,  B81C2201/0143 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造硅中间承载体的方法。本发明涉及一种用于制造硅中间承载体(1)的方法，用于在衬底上、尤其是电路板上安装微电子机械装置和/或具有集成电路的电子装置，该方法包括以下方法步骤：a)借助激光方法将至少一个凹部(2)引入硅衬底(3)中，其中凹部(2)从硅衬底(3)的第一侧(I)延伸到第二侧(II)，b)至少在硅衬底(3)的表面的部分区域上构造第一绝缘层(4)，所述部分区域从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)延伸到第二侧(II)，以及c)将导电材料(5)施加到第一绝缘层(4)上用于构造至少一个从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)至第二侧(II)的穿通接触部。

公开(公告)号：CN102050421B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010545583.8

申请日：2010-11-09

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： D·肖尔滕 ,  M·斯图姆贝尔 ,  F·拉尔默 ,  A·法伊

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  A61M37/00

CPC classification number: A61M37/0015 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/054 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/12

Abstract: 本发明涉及微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体。本发明提供了用于多孔的微型针装置的制造方法以及相应的多孔的微型针装置和相应的基片复合体。所述方法具有以下步骤：在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a；4b；4c；4d)和处于其下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4)；在半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与载体区域(6)之间形成分离层(3)，该分离层(3)具有比载体区域(6)高的孔隙率；通过分离层(3)的拆开将剩余层(1a)从载体区域(6)上分开；并且将微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。

公开(公告)号：CN102164848B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN200980137984.5

申请日：2009-08-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·法伊

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/033 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  Y10T29/49126

Abstract: 按照本发明的用于制造微机械构件(300)的方法包括以下步骤：提供第一衬底(100)，在第一衬底(100)上形成微结构(150)，其中微结构(150)具有可动的功能元件(151)，提供第二衬底(200)，以及在第二衬底(200)中构造电极(251)，用以电容式检测功能元件(151)的偏移。该方法还包括将第一和第二衬底(100；200)相连接，其中，形成封闭的空腔，该空腔包围功能元件(151)，并且电极(251)在功能元件(151)的区域内邻接于该空腔。

公开(公告)号：CN102073022A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010541690.3

申请日：2010-11-08

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·弗兰克 ,  P·J·陈 ,  D·C·梅泽尔 ,  A·布曼 ,  A·法伊 ,  M·埃卡特

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/12

CPC classification number: G01R33/0286

Abstract: 本发明涉及一种磁强计，它包括基底(1)、设置在基底(1)上的点支承(2)、在点支承(2)上可倾斜地支承的振动结构(3)和用于确定振动结构(3)相对于基底(1)的倾斜的检测器(5)。在此该振动结构(3)具有以至少一圈围绕振动结构(3)的支承点(P)导引的电导线(4)。本发明还涉及一种用于通过这种磁强计测量磁通密度的方法。

公开(公告)号：CN102050421A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010545583.8

申请日：2010-11-09

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： D·肖尔滕 ,  M·斯图姆贝尔 ,  F·拉尔默 ,  A·法伊

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  A61M37/00

CPC classification number: A61M37/0015 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/054 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/12

Abstract: 本发明涉及微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体。本发明提供了用于多孔的微型针装置的制造方法以及相应的多孔的微型针装置和相应的基片复合体。所述方法具有以下步骤：在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a；4b；4c；4d)和处于其下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4)；在半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与载体区域(6)之间形成分离层(3)，该分离层(3)具有比载体区域(6)高的孔隙率；通过分离层(3)的拆开将剩余层(1a)从载体区域(6)上分开；并且将微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。

公开(公告)号：CN103663359B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310583569.0

申请日：2013-09-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C·舍林 ,  A·法伊

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00182 ,  G01P15/124 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提出一种微电子构件和相应的制造方法。该微电子构件包括一半导体衬底(1；1a)，其具有正面(O)和背面(R)；一在所述衬底(1)的正面(O)上的可弹性偏转的质量装置(M)；至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的源区(10；10′)；至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的漏区(D1‑D4；D1′‑D10′)和一在所述源区(10，10′)和所述漏区(D1‑D4；D1′‑D10′)上面悬挂在一印制电路系统(LBA)上的栅区(20；20′)，所述栅区通过一间隙(100)与所述质量装置(M)间隔开。所述印制电路系统(LBA)这样地在所述衬底(1)的正面(O)上锚固在所述质量装置(M)的周边(P)上，使得在所述质量装置(M)偏转时所述栅区(20；20′)保持固定。

公开(公告)号：CN103663359A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310583569.0

申请日：2013-09-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C·舍林 ,  A·法伊

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00182 ,  G01P15/124 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提出一种微电子构件和相应的制造方法。该微电子构件包括一半导体衬底(1；1a)，其具有正面(O)和背面(R)；一在所述衬底(1)的正面(O)上的可弹性偏转的质量装置(M)；至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的源区(10；10′)；至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的漏区(D1-D4；D1′-D10′)和一在所述源区(10，10′)和所述漏区(D1-D4；D1′-D10′)上面悬挂在一印制电路系统(LBA)上的栅区(20；20′)，所述栅区通过一间隙(100)与所述质量装置(M)间隔开。所述印制电路系统(LBA)这样地在所述衬底(1)的正面(O)上锚固在所述质量装置(M)的周边(P)上，使得在所述质量装置(M)偏转时所述栅区(20；20′)保持固定。

公开(公告)号：CN102483445A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037050.7

申请日：2010-07-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F·沙茨 ,  T·富克斯 ,  A·法伊

IPC: G01R33/04

CPC classification number: G01R33/04 ,  H01F27/2804 ,  Y10T29/49073

Abstract: 本发明涉及一种包括衬底和磁芯的磁场传感器，其中，所述衬底具有用于在所述磁芯中产生磁通量的激励线圈并且所述激励线圈具有线圈横截面，该线圈横截面基本上垂直于所述衬底的主延伸平面定向，此外所述磁芯布置在所述线圈横截面外部。

公开(公告)号：CN102164847A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137768.0

申请日：2009-09-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： K·戈特弗里德 ,  M·韦默 ,  A·弗兰克 ,  A·特劳特曼 ,  A·法伊 ,  S·克尼斯 ,  J·弗罗梅尔

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/038 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间建立间隔的、导电的并且优选气密的连接的接触装置（3a，3b），其中接触装置（3a，3b）包括电连接接触部（30）、在连接接触部（30）上的钝化层（31）和设置在钝化层（31）上的介电间隔层（32），并且其中接触装置（3a，3b）至少设置在晶片（1，4）之一上。该接触装置的特征在于，接触装置（3a，3b）包括以能够形成金属-金属化合物的第一材料（33，36）来至少部分地填充的沟槽（34），其中所述沟槽（34）是从间隔层（32）穿过钝化层（31）直到连接接触部（30）的连续的沟槽，并且第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）设置直到沟槽的上边缘。