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公开(公告)号：CN102164847A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137768.0
申请日：2009-09-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , H01L24/94 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间建立间隔的、导电的并且优选气密的连接的接触装置（3a，3b），其中接触装置（3a，3b）包括电连接接触部（30）、在连接接触部（30）上的钝化层（31）和设置在钝化层（31）上的介电间隔层（32），并且其中接触装置（3a，3b）至少设置在晶片（1，4）之一上。该接触装置的特征在于，接触装置（3a，3b）包括以能够形成金属-金属化合物的第一材料（33，36）来至少部分地填充的沟槽（34），其中所述沟槽（34）是从间隔层（32）穿过钝化层（31）直到连接接触部（30）的连续的沟槽，并且第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）设置直到沟槽的上边缘。
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公开(公告)号：CN114599249B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080077316.4
申请日：2020-09-23
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于与纺织品（1）或类似物处的至少一个功能元件（20；20a）进行电接触的结构元件（10；10a；10b），具有至少一个电结构元件（22、48）和/或接纳功能元件（20；20a）的基体（12），并且具有用于与所述纺织品（1）或类似物的可导电的区域（2、5、6）进行电接触的连接元件（30、31）。
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公开(公告)号：CN113825988A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080037708.8
申请日：2020-05-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种干涉仪装置（10），其包括干涉仪单元（1），所述干涉仪单元带有基础衬底（2）、法布里‑珀罗‑单元（FPI）并且带有探测器装置（3）、和包括底板（BP）和盖结构（4）的壳体（G），其中所述盖结构（4）布置在所述底板（BP）上并且在盖结构（4）与底板（BP）之间包围成第二空穴（K2），其中所述底板（BP）或者所述盖结构（4）包括被侧壁（5a）环绕的开口（5），所述侧壁相对于所述底板（BP）的或者所述盖结构（4）的表面垂直地延伸；并且其中所述干涉仪单元（1）在所述第二空穴（K2）中且沿穿过所述开口（5）的光入射方向（L）来布置，从而所述干涉仪单元（1）以所述法布里‑珀罗‑单元（FPI）来面向所述开口（5）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114599249A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080077316.4
申请日：2020-09-23
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于与纺织品（1）或类似物处的至少一个功能元件（20；20a）进行电接触的结构元件（10；10a；10b），具有至少一个电结构元件（22、48）和/或接纳功能元件（20；20a）的基体（12），并且具有用于与所述纺织品（1）或类似物的可导电的区域（2、5、6）进行电接触的连接元件（30、31）。
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公开(公告)号：CN113348359A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980089924.4
申请日：2019-11-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 一种用于在使用激光诱导白炽光原理的情况下探测流动流体中的颗粒(24)或气溶胶的传感器装置(10)，所述传感器装置包括：用于产生激光(14)的第一装置(12)；用于引导所述激光(14)的第二装置(24)；用于引导温度辐射(28)的第三装置(36)，所述温度辐射由通过所述激光(14)加热的颗粒(26)发射，以及用于检测所述温度辐射(28)的第四装置(34)。提出，所述第一装置至所述第四装置(12，24，36，34)中的至少两个的至少部分(44，46)布置在共同的载体(48)处。
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公开(公告)号：CN102086020A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010581224.8
申请日：2010-12-06
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
CPC classification number: H01L23/147 , B81C1/00515 , B81C2201/0143 , H01L23/49827 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于制造硅中间承载体的方法。本发明涉及一种用于制造硅中间承载体(1)的方法，用于在衬底上、尤其是电路板上安装微电子机械装置和/或具有集成电路的电子装置，该方法包括以下方法步骤：a)借助激光方法将至少一个凹部(2)引入硅衬底(3)中，其中凹部(2)从硅衬底(3)的第一侧(I)延伸到第二侧(II)，b)至少在硅衬底(3)的表面的部分区域上构造第一绝缘层(4)，所述部分区域从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)延伸到第二侧(II)，以及c)将导电材料(5)施加到第一绝缘层(4)上用于构造至少一个从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)至第二侧(II)的穿通接触部。
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公开(公告)号：CN102086020B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201010581224.8
申请日：2010-12-06
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
CPC classification number: H01L23/147 , B81C1/00515 , B81C2201/0143 , H01L23/49827 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于制造硅中间承载体的方法。本发明涉及一种用于制造硅中间承载体(1)的方法，用于在衬底上、尤其是电路板上安装微电子机械装置和/或具有集成电路的电子装置，该方法包括以下方法步骤：a)借助激光方法将至少一个凹部(2)引入硅衬底(3)中，其中凹部(2)从硅衬底(3)的第一侧(I)延伸到第二侧(II)，b)至少在硅衬底(3)的表面的部分区域上构造第一绝缘层(4)，所述部分区域从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)延伸到第二侧(II)，以及c)将导电材料(5)施加到第一绝缘层(4)上用于构造至少一个从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)至第二侧(II)的穿通接触部。
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公开(公告)号：CN102164847B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN200980137768.0
申请日：2009-09-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , H01L24/94 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间建立间隔的、导电的并且优选气密的连接的接触装置（3a，3b），其中接触装置（3a，3b）包括电连接接触部（30）、在连接接触部（30）上的钝化层（31）和设置在钝化层（31）上的介电间隔层（32），并且其中接触装置（3a，3b）至少设置在晶片（1，4）之一上。该接触装置的特征在于，接触装置（3a，3b）包括以能够形成金属-金属化合物的第一材料（33，36）来至少部分地填充的沟槽（34），其中所述沟槽（34）是从间隔层（32）穿过钝化层（31）直到连接接触部（30）的连续的沟槽，并且第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）设置直到沟槽的上边缘。
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