Invention Grant
CN103663359B 微电子构件和相应的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 微电子构件和相应的制造方法
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Application No.: CN201310583569.0Application Date: 2013-09-23
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Publication No.: CN103663359BPublication Date: 2017-06-09
- Inventor: C·舍林 , A·法伊
- Applicant: 罗伯特·博世有限公司
- Applicant Address: 德国斯图加特
- Assignee: 罗伯特·博世有限公司
- Current Assignee: 罗伯特·博世有限公司
- Current Assignee Address: 德国斯图加特
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 梁冰; 杨国治
- Priority: 102012217133.9 20120924 DE
- Main IPC: B81C1/00
- IPC: B81C1/00 ; B81B7/00 ; B81B3/00

Abstract:
本发明提出一种微电子构件和相应的制造方法。该微电子构件包括一半导体衬底(1;1a),其具有正面(O)和背面(R);一在所述衬底(1)的正面(O)上的可弹性偏转的质量装置(M);至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的源区(10;10′);至少一个设置在所述质量装置(M)中或上的漏区(D1‑D4;D1′‑D10′)和一在所述源区(10,10′)和所述漏区(D1‑D4;D1′‑D10′)上面悬挂在一印制电路系统(LBA)上的栅区(20;20′),所述栅区通过一间隙(100)与所述质量装置(M)间隔开。所述印制电路系统(LBA)这样地在所述衬底(1)的正面(O)上锚固在所述质量装置(M)的周边(P)上,使得在所述质量装置(M)偏转时所述栅区(20;20′)保持固定。
Public/Granted literature
- CN103663359A 微电子构件和相应的制造方法 Public/Granted day:2014-03-26
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