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公开(公告)号：CN1893077A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610098549.4
申请日：2006-07-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1147 , H01L2224/13012 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供可在凸起的下方设置半导体器件的高可靠性的半导体装置。该装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设于该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；形成于所述器件形成区(10A)内的器件(30)；设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(60)；设于所述层间绝缘层(60)上面的电极垫(62)；钝化层(70)，具有位于所述电极垫(62)的上面的、使该电极垫(62)的至少一部分露出的开口(72)；凸起(80)，设于所述开口(72)处，平面形状为具有短边和长边的长方形，在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复，在所述半导体层(10)中，从所述凸起(80)的所述短边的垂直下方朝外侧及内侧的预定范围是器件禁止区(12)。
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公开(公告)号：CN101068011A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710100985.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53214 , H01L23/53219 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0401 , H01L2224/05687 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其目的在于降低配线、在宽度不同的部分的连接部分产生的应力。半导体装置包括：半导体芯片(10)；宽度不同的第一、第二配线的连接部分(34)；形成在与连接部分(34)重叠的位置的焊盘(40)；形成在焊盘(40)上的凸块(44)；位于连接部分(34)和焊盘(40)之间并被形成为覆盖连接部分(34)整体的缓冲层(50)；以及分别形成在连接部分(34)和缓冲层(50)之间以及缓冲层(50)和焊盘(40)之间的无机绝缘层(60、62)。缓冲层(50)是由除去树脂以外的材料、且比无机绝缘层(60、62)柔软的材料形成的。
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公开(公告)号：CN1901193A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610090291.3
申请日：2006-07-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823475 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L27/0203 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种可以在焊盘的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有元件形成区域(10A、10B)；第一导电层，设置于半导体层(10)的上方，具有第一宽度；第二导电层，与第一导电层连接，具有小于第一宽度的第二宽度；层间绝缘层(50)、(60)，设置于半导体层(10)的上方；电极垫(62)，设置于层间绝缘层(50)、(60)的上方，俯视观察时，该电极垫(62)与元件形成区域(10A)重叠；元件禁止区域(12)，在半导体层(10)上，设为位于从电极垫(62)的至少一个端部的垂直下方向外侧的规定范围内。其中，在元件禁止区域(12)中，未配置连接第一导电层和第二导电层的连接部。
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公开(公告)号：CN100552972C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610087107.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L29/1037 , H01L29/1041 , H01L29/42368 , H01L29/78 , H01L2224/05022 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)；晶体管(100)、(120)，其设置于半导体层(10)上，并具有栅极绝缘层(104)、(124)以及栅电极(106)、(126)；层间绝缘层(40)，其设置于晶体管(100)、(120)的上方；以及，电极垫(42)，其设置于层间绝缘层(40)的上方，俯视观察时，与栅电极(106)、(126)的至少一部分相重叠，其中，晶体管(100)、(120)为在栅电极(106)、(126)端部的下方设置有比栅极绝缘层(104)、(124)的膜厚更厚的绝缘层(102)、(122)的高耐压晶体管。
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公开(公告)号：CN100502000C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610090291.3
申请日：2006-07-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823475 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L27/0203 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种可以在焊盘的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有元件形成区域(10A、10B)；第一导电层，设置于半导体层(10)的上方，具有第一宽度；第二导电层，与第一导电层连接，具有小于第一宽度的第二宽度；层间绝缘层(50)、(60)，设置于半导体层(10)的上方；电极垫(62)，设置于层间绝缘层(50)、(60)的上方，俯视观察时，该电极垫(62)与元件形成区域(10A)重叠；元件禁止区域(12)，在半导体层(10)上，设为位于从电极垫(62)的至少一个端部的垂直下方向外侧的规定范围内。其中，在元件禁止区域(12)中，未配置连接第一导电层和第二导电层的连接部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1885558A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610087107.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L29/1037 , H01L29/1041 , H01L29/42368 , H01L29/78 , H01L2224/05022 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)；晶体管(100)、(120)，其设置于半导体层(10)上，并具有栅极绝缘层(104)、(124)以及栅电极(106)、(126)；层间绝缘层(40)，其设置于晶体管(100)、(120)的上方；以及，电极垫(42)，其设置于层间绝缘层(40)的上方，俯视观察时，与栅电极(106)、(126)的至少一部分相重叠，其中，晶体管(100)、(120)为在栅电极(106)、(126)端部的下方设置有比栅极绝缘层(104)、(124)的膜厚更厚的绝缘层(102)、(122)的高耐压晶体管。
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公开(公告)号：CN100502001C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610098549.4
申请日：2006-07-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1147 , H01L2224/13012 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供可在凸起的下方设置半导体器件的高可靠性的半导体装置。该装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设于该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；形成于所述器件形成区(10A)内的器件(30)；设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(60)；设于所述层间绝缘层(60)上面的电极垫(62)；钝化层(70)，具有位于所述电极垫(62)的上面的、使该电极垫(62)的至少一部分露出的开口(72)；凸起(80)，设于所述开口(72)处，平面形状为具有两个短边和两个长边的长方形，在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复，在所述半导体层(10)中，从所述凸起(80)的所述两个短边的垂直下方朝外侧及内侧的预定范围是器件禁止区(12)。
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公开(公告)号：CN100479143C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710100985.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53214 , H01L23/53219 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0401 , H01L2224/05687 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其目的在于降低配线、在宽度不同的部分的连接部分产生的应力。半导体装置包括：半导体芯片(10)；宽度不同的第一、第二配线的连接部分(34)；形成在与连接部分(34)重叠的位置的焊盘(40)；形成在焊盘(40)上的凸块(44)；位于连接部分(34)和焊盘(40)之间并被形成为覆盖连接部分(34)整体的缓冲层(50)；以及分别形成在连接部分(34)和缓冲层(50)之间以及缓冲层(50)和焊盘(40)之间的无机绝缘层(60、62)。缓冲层(50)是由除去树脂以外的材料、且比无机绝缘层(60、62)柔软的材料形成的。
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公开(公告)号：CN1893075A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610090383.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以在焊盘的下方设置半导体器件并且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设置在该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；器件(30)，形成在所述器件形成区(10A)内；层间绝缘层(60)，设置在所述半导体层(10)的上面；及电极垫(62)，设置在所述绝缘层(60)的上面，并且平面形状为具有短边和长边的长方形，并且在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复；其中，在所述半导体层(10)中，从所述电极垫(62)的所述短边的垂直下方朝向外侧的规定范围是器件禁止区(12)。
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公开(公告)号：CN100499125C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610090383.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以在焊盘的下方设置半导体器件并且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设置在该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；器件(30)，形成在所述器件形成区(10A)内；层间绝缘层(60)，设置在所述半导体层(10)的上面；及电极垫(62)，设置在所述绝缘层(60)的上面，并且平面形状为具有短边和长边的长方形，并且在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复；其中，在所述半导体层(10)中，从所述电极垫(62)的所述短边的垂直下方朝向外侧的规定范围是器件禁止区(12)。
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