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公开(公告)号：CN1707769A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510074292.4
申请日：2005-06-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/60 , H01L21/44 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1301 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在形成了元件(12)的半导体部分(10)上形成具有用于接触部(54)的接触孔(27)的绝缘层(20)的工序；使电极焊盘(30)按照在与接触部重叠的位置遗留凹陷部(36)或突起部(96)的形式形成于绝缘层上的工序；按照在电极焊盘的第一部分(32)上具有开口部(62)并且覆盖在第二部分(34)上的形式形成钝化膜(60)的工序；在电极焊盘上形成阻挡层(64)的工序；和按照大于钝化膜的开口部且使一部分覆盖在钝化膜上的形式形成凸块(70)的工序。并且，使接触部在与凸块重叠的范围内避开电极焊盘的第一部分，而与第二部分连接。这样在不进行平坦化工序的情况下，提高电连接可靠性。
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公开(公告)号：CN100479143C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710100985.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53214 , H01L23/53219 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0401 , H01L2224/05687 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其目的在于降低配线、在宽度不同的部分的连接部分产生的应力。半导体装置包括：半导体芯片(10)；宽度不同的第一、第二配线的连接部分(34)；形成在与连接部分(34)重叠的位置的焊盘(40)；形成在焊盘(40)上的凸块(44)；位于连接部分(34)和焊盘(40)之间并被形成为覆盖连接部分(34)整体的缓冲层(50)；以及分别形成在连接部分(34)和缓冲层(50)之间以及缓冲层(50)和焊盘(40)之间的无机绝缘层(60、62)。缓冲层(50)是由除去树脂以外的材料、且比无机绝缘层(60、62)柔软的材料形成的。
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公开(公告)号：CN1913141A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610109552.1
申请日：2006-08-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤泽健
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/11 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1147 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，包括：半导体层(10)；电极垫(20)，设置于上述半导体层(10)的上面；绝缘层(30)，设置于上述电极垫(20)上，具有使该电极垫(20)至少一部分露出的开口(32)；以及凸起(40)，至少设置于上述开口(32)上，其中，上述凸起(40)包括：第一凸起层(42)，设置于上述开口(32)上；底层(44)，设置于上述第一凸起层(42)的上面及该第一凸起层(42)周围的上述绝缘层(30)的上面；以及第二凸起层(46)，设置于上述底层(44)上。
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公开(公告)号：CN100502000C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610090291.3
申请日：2006-07-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823475 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L27/0203 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种可以在焊盘的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有元件形成区域(10A、10B)；第一导电层，设置于半导体层(10)的上方，具有第一宽度；第二导电层，与第一导电层连接，具有小于第一宽度的第二宽度；层间绝缘层(50)、(60)，设置于半导体层(10)的上方；电极垫(62)，设置于层间绝缘层(50)、(60)的上方，俯视观察时，该电极垫(62)与元件形成区域(10A)重叠；元件禁止区域(12)，在半导体层(10)上，设为位于从电极垫(62)的至少一个端部的垂直下方向外侧的规定范围内。其中，在元件禁止区域(12)中，未配置连接第一导电层和第二导电层的连接部。
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公开(公告)号：CN1707786A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510074293.9
申请日：2005-06-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/70 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L24/02 , H01L23/3157 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1301 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，包括：形成了元件(12)的半导体部分；形成于半导体部分(10)上的绝缘层(20)；形成于绝缘层上的电极焊盘(30)；由在设置在绝缘层的接触孔内形成的导电材料构成，且用于与电极焊盘电连接的接触部(54)；按照在电极焊盘的第一部分(32)上具有开口部(62)，并且覆盖在第二部分(34)上的形式形成的钝化膜(60)；按照大于钝化膜的开口部，且一部分覆盖到钝化膜上的形式形成的凸块(70)；和介于在电极焊盘和凸块之间的阻挡层(64)。接触部在与凸块重叠的范围内避开电极焊盘的第一部分，而与第二部分连接。这样，可以提高电连接可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517670C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510128978.7
申请日：2005-12-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤泽健
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/11 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 提供一种半导体装置，其包括：多个电极焊盘(40)；半导体基板(10)，其具有露出每个上述电极焊盘(40)的中央区域的开口(52)的钝化膜(50)；和凸块(60)，其与每个上述电极焊盘(40)电连接、并以与上述开口(50)及其端口重叠的方式被设定。与上述钝化膜表面上的上述凸块接触的区域的至少一部分是凹凸面。因此提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101068011A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710100985.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/522
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53214 , H01L23/53219 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0401 , H01L2224/05687 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其目的在于降低配线、在宽度不同的部分的连接部分产生的应力。半导体装置包括：半导体芯片(10)；宽度不同的第一、第二配线的连接部分(34)；形成在与连接部分(34)重叠的位置的焊盘(40)；形成在焊盘(40)上的凸块(44)；位于连接部分(34)和焊盘(40)之间并被形成为覆盖连接部分(34)整体的缓冲层(50)；以及分别形成在连接部分(34)和缓冲层(50)之间以及缓冲层(50)和焊盘(40)之间的无机绝缘层(60、62)。缓冲层(50)是由除去树脂以外的材料、且比无机绝缘层(60、62)柔软的材料形成的。
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公开(公告)号：CN1901193A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610090291.3
申请日：2006-07-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823475 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L27/0203 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种可以在焊盘的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有元件形成区域(10A、10B)；第一导电层，设置于半导体层(10)的上方，具有第一宽度；第二导电层，与第一导电层连接，具有小于第一宽度的第二宽度；层间绝缘层(50)、(60)，设置于半导体层(10)的上方；电极垫(62)，设置于层间绝缘层(50)、(60)的上方，俯视观察时，该电极垫(62)与元件形成区域(10A)重叠；元件禁止区域(12)，在半导体层(10)上，设为位于从电极垫(62)的至少一个端部的垂直下方向外侧的规定范围内。其中，在元件禁止区域(12)中，未配置连接第一导电层和第二导电层的连接部。
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公开(公告)号：CN100456466C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610090289.6
申请日：2006-07-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/76838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L2224/02165 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/13013 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供一种可将导电层设置在电极焊盘或凸起下方、且可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置包括：半导体层(10)、设于半导体层(10)上方的具有第一宽度的第一导电层(14a)、与第一导电层(14a)连接的具有比第一宽度小的第二宽度的第二导电层(14b)、设于第一导电层(14a)及第二导电层(14b)上方的层间绝缘层(50)和层间绝缘层(60)、以及设于层间绝缘层(50)和层间绝缘层(60)上方的电极焊盘(62)。在位于电极焊盘(62)端部的垂直下方内侧的规定区域(12)内，设有第一导电层(14a)与第二导电层(14b)相连接的连接部(30)，该连接部(30)上设有加强部(14c)。
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公开(公告)号：CN100373583C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510074292.4
申请日：2005-06-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/60 , H01L21/44 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1301 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在形成了元件(12)的半导体部分(10)上形成具有用于接触部(54)的接触孔(27)的绝缘层(20)的工序；使电极焊盘(30)按照在与接触部重叠的位置遗留凹陷部(36)或突起部(96)的形式形成于绝缘层上的工序；按照在电极焊盘的第一部分(32)上具有开口部(62)并且覆盖在第二部分(34)上的形式形成钝化膜(60)的工序；在电极焊盘上形成阻挡层(64)的工序；和按照大于钝化膜的开口部且使一部分覆盖在钝化膜上的形式形成凸块(70)的工序。并且，使接触部在与凸块重叠的范围内避开电极焊盘的第一部分，而与第二部分连接。这样在不进行平坦化工序的情况下，提高电连接可靠性。
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