公开(公告)号：CN105263886A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480031954.7

申请日：2014-06-02

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 五十岚厚树 ,  野中脩平 ,  光永敏胜 ,  广津留秀树 ,  椎叶满

IPC: C04B35/583 ,  C04B38/00 ,  C04B41/83 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03

CPC classification number: C04B41/84 ,  C04B35/583 ,  C04B41/009 ,  C04B41/48 ,  C04B41/4853 ,  C04B41/4905 ,  C04B41/4961 ,  C04B41/83 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/9607 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3737 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0373 ,  H05K2201/0209 ,  H01L2924/00 ,  C04B38/00

Abstract: 本发明提供导热系数和强度优异的树脂浸渗氮化硼烧结体；以及传导率优异、导热系数的各向异性小的树脂浸渗氮化硼烧结体。根据本发明，提供：一种树脂浸渗氮化硼烧结体，其包含氮化硼颗粒以三维方式连接的氮化硼烧结体30～90体积％和树脂10～70体积％，氮化硼烧结体的孔隙率为10～70％，氮化硼颗粒的平均长径为10μm以上，基于粉末X射线衍射法的石墨化指数为4.0以下，基于I.O.P.的取向度为0.01～0.05或20～100；以及一种树脂浸渗氮化硼烧结体，其含有氮化硼颗粒以三维方式连接的氮化硼烧结体30～90体积％和树脂10～70体积％，氮化硼烧结体的钙的含有率为500～5000ppm，氮化硼烧结体的基于粉末X射线衍射法的石墨化指数为0.8～4.0，氮化硼烧结体由平均长径10μm以上的鳞片状氮化硼颗粒形成，I.O.P.的取向度为0.6～1.4。

公开(公告)号：CN111499391A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010180058.4

申请日：2014-06-02

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 五十岚厚树 ,  野中脩平 ,  光永敏胜 ,  广津留秀树 ,  椎叶满

IPC: C04B35/583 ,  C04B35/5835 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00 ,  C04B41/83 ,  C04B41/84 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明涉及树脂浸渗氮化硼烧结体及其用途。根据本发明，提供：一种树脂浸渗氮化硼烧结体，其包含氮化硼颗粒以三维方式连接的氮化硼烧结体30～90体积％和树脂10～70体积％，氮化硼烧结体的孔隙率为10～70％，氮化硼颗粒的平均长径为10μm以上，基于粉末X射线衍射法的石墨化指数为4.0以下，基于I.O.P.的取向度为0.01～0.05或20～100；以及一种树脂浸渗氮化硼烧结体，氮化硼烧结体的钙的含有率为500～5000ppm，氮化硼烧结体的基于粉末X射线衍射法的石墨化指数为0.8～4.0，氮化硼烧结体由平均长径10μm以上的鳞片状氮化硼颗粒形成，I.O.P.的取向度为0.6～1.4。

公开(公告)号：CN105453707B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201480044897.6

申请日：2014-08-12

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  野中脩平 ,  光永敏胜 ,  五十岚厚树 ,  宫田浩司 ,  西太树 ,  井之上纱绪梨 ,  小林文弥

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/583 ,  C04B41/83 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0271 ,  C08K7/00 ,  C08K2003/385 ,  C08K2201/004 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/09 ,  H05K3/022 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/066

Abstract: 本发明提供一种具有高散热、高可靠性的氮化硼‑树脂复合体电路基板。一种氮化硼‑树脂复合体电路基板，其特征在于，其是在板厚为0.2～1.5mm的板状树脂浸渗氮化硼烧结体的两主表面上粘接铜或铝的金属电路而得到的，所述树脂浸渗氮化硼烧结体含有平均长径为5～50μm的氮化硼颗粒以三维方式结合而成的氮化硼烧结体30～85体积％和树脂70～15体积％，树脂浸渗氮化硼烧结体的面方向的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE1)与金属电路的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE2)之比(CTE1/CTE2)为0.5～2.0。

公开(公告)号：CN105453707A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044897.6

申请日：2014-08-12

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  野中脩平 ,  光永敏胜 ,  五十岚厚树 ,  宫田浩司 ,  西太树 ,  井之上纱绪梨 ,  小林文弥

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/583 ,  C04B41/83 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0271 ,  C08K7/00 ,  C08K2003/385 ,  C08K2201/004 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/09 ,  H05K3/022 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0104 ,  H05K2201/066

Abstract: 本发明提供一种具有高散热、高可靠性的氮化硼-树脂复合体电路基板。一种氮化硼-树脂复合体电路基板，其特征在于，其是在板厚为0.2～1.5mm的板状树脂浸渗氮化硼烧结体的两主表面上粘接铜或铝的金属电路而得到的，所述树脂浸渗氮化硼烧结体含有平均长径为5～50μm的氮化硼颗粒以三维方式结合而成的氮化硼烧结体30～85体积％和树脂70～15体积％，树脂浸渗氮化硼烧结体的面方向的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE1)与金属电路的40～150℃的线性热膨胀系数(CTE2)之比(CTE1/CTE2)为0.5～2.0。