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公开(公告)号：CN119890080A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411914133.X
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开的本发明提供的超薄片晶圆的解键合方法及设备，属于半导体加工技术领域。本发明在晶圆送入清洗腔室前，先将所述清洗腔室与所述供料腔室及解键合腔室连通，使三腔室气压均为常压；将完成解键合后的晶圆传送至清洗腔室内后，将清洗腔室与所述供料腔室及解键合腔室隔断，使得晶圆在没有压差的环境下进行清洗，晶圆转动清洗时更稳定，不会发生漂移，同时也避免清洗液外溅；当完成对晶圆的清洗时，对所述清洗腔室抽气，使得清洗腔室与供料腔室再次连通时，供料腔室及解键合腔室与所述清洗腔室形成压差，避免取出晶圆时，清洗腔室残留的清洗液外溅，直到取出晶圆后停止抽气。本发明能够有效解决晶圆解键合工艺中清洗环节的晶圆漂移问题。
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公开(公告)号：CN119069536A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565541.9
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，该器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层；第一源区结构和第二源区结构；隔离结构包括第一隔离层和多个第二隔离层，第二隔离层间隔的位于第一隔离层背离漂移层的一侧，每个第二隔离层中具有沿第一方向交替分布的第一掺杂层和第二掺杂层，相邻的任意两个第二隔离层的第一掺杂层具有不同的掺杂浓度，相邻的任意两个第二隔离层的第二掺杂层具有不同的掺杂浓度，第一方向为第二隔离层的延伸方向；栅极结构。在MOS管中形成了具有掺杂浓度不同的隔离结构，形成了耐静电击穿的不同单体隔离，以在不同适应场景下快速启用对应的抗静电单体，泄洪静电电流进而保护MOS器件。
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公开(公告)号：CN119698040A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411917708.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，包括至少一个源极沟槽结构，位于相邻两个第一侧面之间并与源区结构接触设置，源极沟槽结构包括第一栅极、第二栅极、第一介质层和第二介质层，第一介质层位于第一栅极和第二栅极之间，第一栅极、第二栅极和第一介质层构成第一结构，第二介质层分别位于第一结构的侧面和底面并与源区结构和漂移层接触，第一介质层至少包括由第二方向叠层设置第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料具有的介电常数大于与第二材料层的材料具有的介电常数，第二方向为由衬底指向源区结构的方向。以解决相关技术中MOS器件中源漏之间反向漏电流损坏器件和源漏之间耦合面积较大导致功耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN119653790A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411792272.X
申请日：2024-12-06
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种功率器件及功率器件的制备方法，该功率器件包括：外延层具有背离衬底的第一表面；注入区包括至少一个第一注入区和多个第二注入区，第一注入区的外周分布有多个第二注入区，第一注入区在第一表面上具有第一投影，第二注入区在第一表面上具有第二投影，第一投影具有第一面积，第二投影具有第二面积，第一面积大于第二面积；耐压离子区在第一方向上位于注入区的两侧，注入区在第二方向上具有第一深度，耐压离子区在第二方向上具有第二深度，第二深度大于第一深度，第一方向平行于第一表面，第二方向为衬底指向外延层的方向。以解决相关技术中功率器件在反向阻断过程中，表面电场聚集导致高压时器件容易被击穿，造成失效的问题。
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公开(公告)号：CN118866974B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411343002.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119894065A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411914058.7
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开的SiC晶圆结构背银缺陷改善方法及其制作的SiC器件，属于半导体器件加工技术领域。所述方法包括：S1、在SiC衬底正面加工并形成正面工艺膜层；S2、在SiC衬底背面加工背面欧姆金属层；S3、在欧姆金属层表面背金中间金属层；S4、在中间金属层表面通过低温加工方式背金第一银层；S5、在第一银层表面通过高温加工方式背金第二银层。本发明中，高温加工方式背金的第二银层更加致密，抵御高温下测试粗糙化能力更强，但是应力大；故而先通过低温加工方式加工一层粗糙但应力小的第一银层，达到应力逐步释放的目的。这样，背金后的SiC晶圆结构在后续电性能参数CP测试和晶圆可靠性测试过程中，就不会呈现宏观肉眼可见的白斑缺陷。
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公开(公告)号：CN119133256A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411258657.8
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供了一种功率二极管及其制备方法，该功率二极管包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧，具有第一掺杂类型；有源区，位于外延层中，有源区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第三掺杂区在第一方向上间隔分布有多行，并在第二方向上间隔分布有多列，第一掺杂区至少位于在第一方向上的相邻任意第三掺杂区之间，第二掺杂区至少位于在第二方向上的相邻任意第三掺杂区之间，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区具有第二掺杂类型，第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区浓度，第三掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度。该功率二极管解决了现有技术中在高压下功率二极管的反向恢复时间被延长，降低器件的开关速度的问题。
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公开(公告)号：CN119049969A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166453.1
申请日：2024-08-23
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L29/45
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅欧姆接触结构、其制备方法及半导体器件，所述方法包括：对碳化硅外延层表面的目标区域进行掺杂，形成碳化硅外延层表面的掺杂区；对所述碳化硅外延层的已形成所述掺杂区的表面进行热氧生长修复处理，以修复所述碳化硅外延层的粗糙表面；在所述碳化硅外延层的经过修复处理的表面形成金属层；对已形成所述金属层的碳化硅外延层进行高温烧结处理，形成欧姆接触结构。本公开可以解决因表面粗糙等问题造成的金属‑半导体欧姆接触质量不高的问题。
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公开(公告)号：CN119008378A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410972233.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，包括对碳化硅晶圆片的碳化硅衬底的正面进行正面工艺加工，形成正面工艺膜层。在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，第一反应力膜层与正面工艺膜层产生的应力方向相反，第一反应力膜层可以起到缓冲和过渡的作用，第一反应力膜层本身可以调节翘曲应力。本发明在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，可以较好的降低加工过程中产生的应力，从而降低翘曲，进一步降低碳化硅晶圆片的厚度。
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公开(公告)号：CN118943039A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411130511.5
申请日：2024-08-16
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶圆翘曲的检测方法、装置、电子设备和存储介质，晶圆包括通过划片道划分的多个芯片，先获取相机拍摄晶圆的各个芯片的划片道区域时，相机相对划片道区域的实际相机高度，然后获取基准相机高度，基准相机高度为相机对参考晶圆的第一层划片道拍摄图像时的相机高度，再根据各个芯片的划片道区域对应的实际相机高度和基准相机高度，确定晶圆的翘曲度。本发明实施例根据相机拍摄晶圆的各个芯片的划片道区域时，相机相对划片道区域的实际相机高度以及基准相机高度，确定晶圆的翘曲度，这种方式对晶圆表面每颗芯片的翘曲情况都可以检测到，可实现芯片级的检测精度，提高了检测晶圆翘曲的精度。
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