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公开(公告)号：CN119967825A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510119694.9
申请日：2025-01-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
Abstract: 本发明提供了一种二极管及其制备方法，二极管包括：N型衬底；N型外延层，N型外延层设置于N型衬底的一侧；多个沟槽，多个沟槽沿N型外延层的长度方向间隔设置于N型外延层，各个沟槽的一端与N型衬底间隔设置，各个沟槽的另一端与N型外延层的远离N型衬底的一侧连通；多个沟槽包括依次设置的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，第一沟槽的深度和第三沟槽的深度均大于第二沟槽的深度；多个P型外延区，多个P型外延区一一对应地设置于多个沟槽；第一金属填充区，第二沟槽内的P型外延区形成开口凹槽，第一金属填充区设置于开口凹槽，解决了现有技术中的SIC二极管器件的单位面积的耐高压性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN119943825A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411906273.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H10D62/10 , H10D62/83 , H10D30/60 , H10D30/01
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，属于半导体器件生产技术领域。该半导体器件结构包括沿第一方向依次设置的衬底、漂移区和若干保护层，保护层中对应半导体器件的相邻元胞区之间开设有供芯片切割使用的划片道。沿第一方向，划片道截面呈台阶状，且划片道截面宽度逐渐增大；第一方向为半导体器件的背面到正面的方向。该结构通过在保护层形成截面为台阶状的划片道，使得保护层能够大大降低划片过程中高速溅射的碎屑损坏元胞的概率，降低划片过程中产生的崩边；而且台阶状的划片道能够限定划片刀轮的区域，降低刀轮滑刀的概率。
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公开(公告)号：CN119698040A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411917708.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，包括至少一个源极沟槽结构，位于相邻两个第一侧面之间并与源区结构接触设置，源极沟槽结构包括第一栅极、第二栅极、第一介质层和第二介质层，第一介质层位于第一栅极和第二栅极之间，第一栅极、第二栅极和第一介质层构成第一结构，第二介质层分别位于第一结构的侧面和底面并与源区结构和漂移层接触，第一介质层至少包括由第二方向叠层设置第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料具有的介电常数大于与第二材料层的材料具有的介电常数，第二方向为由衬底指向源区结构的方向。以解决相关技术中MOS器件中源漏之间反向漏电流损坏器件和源漏之间耦合面积较大导致功耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN118800812B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411270070.9
申请日：2024-09-11
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
Abstract: 本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法，二极管结构包括叠层设置的第一外延层和第二外延层，其中，第二外延层包括在第一方向上交替设置且掺杂类型不同的第一子外延部和第二子外延部，第一方向为平行于第一外延层与第二外延层接触的表面的方向，二极管结构还包括：注入区，注入区设置在第一子外延部中背离第一外延层的表面上，其中，第一子外延部的掺杂类型与第一外延层的掺杂类型相同，注入区的掺杂类型与第二子外延部的掺杂类型相同。以解决相关技术中二极管器件结构在参数上产品性能优势不明显、工艺流程复杂和生产成本高的问题。
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公开(公告)号：CN118969820B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411438312.0
申请日：2024-10-15
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；第一外延层，位于衬底的表面上，第一外延层包括外延层本体和沟槽，沟槽位于外延层本体中；第二外延层，至少位于部分的沟槽中，第二外延层的掺杂类型与第一外延层的掺杂类型不同。本申请解决了现有技术中SIC二极管通过离子注入形成的掺杂区的掺杂浓度分布不均匀导致器件的耐高压能力较弱的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118969858B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411438314.X
申请日：2024-10-15
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括多个第一外延结构，第一外延结构包括第二外延层和第一导电层，第二外延层位于第一外延沟槽的内表面，第一导电层位于第一外延沟槽中，其中，第二外延层具有第二掺杂类型，第二外延层和第一导电层形成肖特基接触；至少一个第二外延结构，第二外延结构包括第三外延层和第二导电层，第三外延层位于第二外延沟槽的内表面，第二导电层位于第二外延沟槽中，其中，第三外延层具有第二掺杂类型，其中，第一导电层和第二导电层具有不同的导电材料，第三外延层具有第二掺杂类型，第三外延层和第二导电层形成欧姆接触。以解决相关技术中功率器件性能优势不明显的问题。
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公开(公告)号：CN118866974B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411343002.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN118763121B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411256993.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/07 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
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公开(公告)号：CN118969858A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411438314.X
申请日：2024-10-15
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括多个第一外延结构，第一外延结构包括第二外延层和第一导电层，第二外延层位于第一外延沟槽的内表面，第一导电层位于第一外延沟槽中，其中，第二外延层具有第二掺杂类型，第二外延层和第一导电层形成肖特基接触；至少一个第二外延结构，第二外延结构包括第三外延层和第二导电层，第三外延层位于第二外延沟槽的内表面，第二导电层位于第二外延沟槽中，其中，第三外延层具有第二掺杂类型，其中，第一导电层和第二导电层具有不同的导电材料，第三外延层具有第二掺杂类型，第三外延层和第二导电层形成欧姆接触。以解决相关技术中功率器件性能优势不明显的问题。
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公开(公告)号：CN118800811A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411270068.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
IPC: H01L29/872 , H01L23/34 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法，二极管结构包括衬底以及在衬底上叠层设置的第一外延层、第二外延层和第一导电层，其中，第一外延层和第二外延层具有相同的掺杂类型，二极管结构还包括多个第一注入区间隔设置在第一外延层中且与第二外延层接触；多个第二注入区位于第二外延层中且分别与所示第一注入区和第一导电层接触，其中，第一注入区与第二注入区一一对应；至少一个第三注入区位于相邻的第二注入区之间的第二外延层中，且第三注入区与第一导电层接触；其中，第一注入区、第二注入区和第三注入区具有相同的掺杂类型，并与第一外延层的掺杂类型不同，以解决相关技术中二极管器件的产品性能优势较弱和工艺流程复杂的问题。
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