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公开(公告)号:CN118969858A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411438314.X
申请日:2024-10-15
申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
发明人: 李理
IPC分类号: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/329
摘要: 本申请公开了一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括多个第一外延结构,第一外延结构包括第二外延层和第一导电层,第二外延层位于第一外延沟槽的内表面,第一导电层位于第一外延沟槽中,其中,第二外延层具有第二掺杂类型,第二外延层和第一导电层形成肖特基接触;至少一个第二外延结构,第二外延结构包括第三外延层和第二导电层,第三外延层位于第二外延沟槽的内表面,第二导电层位于第二外延沟槽中,其中,第三外延层具有第二掺杂类型,其中,第一导电层和第二导电层具有不同的导电材料,第三外延层具有第二掺杂类型,第三外延层和第二导电层形成欧姆接触。以解决相关技术中功率器件性能优势不明显的问题。
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公开(公告)号:CN118800811A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202411270068.1
申请日:2024-09-11
申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
发明人: 李理
IPC分类号: H01L29/872 , H01L23/34 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要: 本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法,二极管结构包括衬底以及在衬底上叠层设置的第一外延层、第二外延层和第一导电层,其中,第一外延层和第二外延层具有相同的掺杂类型,二极管结构还包括多个第一注入区间隔设置在第一外延层中且与第二外延层接触;多个第二注入区位于第二外延层中且分别与所示第一注入区和第一导电层接触,其中,第一注入区与第二注入区一一对应;至少一个第三注入区位于相邻的第二注入区之间的第二外延层中,且第三注入区与第一导电层接触;其中,第一注入区、第二注入区和第三注入区具有相同的掺杂类型,并与第一外延层的掺杂类型不同,以解决相关技术中二极管器件的产品性能优势较弱和工艺流程复杂的问题。
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公开(公告)号:CN118983333A
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202411452930.0
申请日:2024-10-17
申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
发明人: 李理
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/336
摘要: 本申请公开了一种功率器件及其制备方法,功率器件包括:衬底,衬底具有第一表面;第一外延层设置在第一表面上,第一外延层包括沿第一方向分布的多个外延区域,各外延区域具有背离衬底的第二表面,在第二方向上多个外延区域的第二表面与第一表面具有不同的距离,第一方向平行于第一表面,第二方向垂直于第一表面,第一外延层具有第一掺杂类型;多个注入区,注入区设置在外延区域中,且注入区背离衬底的表面位于第二表面中,每个外延区域中设置有至少一个注入区;第二外延层,第二外延层位于第一外延层背离衬底的一侧,第二外延层与注入区接触,第二外延层与注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中场限环结构的功率器件击穿电压低的问题。
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公开(公告)号:CN118800812A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202411270070.9
申请日:2024-09-11
申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
发明人: 李理
IPC分类号: H01L29/872 , H01L23/34 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要: 本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法,二极管结构包括叠层设置的第一外延层和第二外延层,其中,第二外延层包括在第一方向上交替设置且掺杂类型不同的第一子外延部和第二子外延部,第一方向为平行于第一外延层与第二外延层接触的表面的方向,二极管结构还包括:注入区,注入区设置在第一子外延部中背离第一外延层的表面上,其中,第一子外延部的掺杂类型与第一外延层的掺杂类型相同,注入区的掺杂类型与第二子外延部的掺杂类型相同。以解决相关技术中二极管器件结构在参数上产品性能优势不明显、工艺流程复杂和生产成本高的问题。
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公开(公告)号:CN118969820A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411438312.0
申请日:2024-10-15
申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
发明人: 李理
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
摘要: 本申请提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件,该半导体结构包括:衬底;第一外延层,位于衬底的表面上,第一外延层包括外延层本体和沟槽,沟槽位于外延层本体中;第二外延层,至少位于部分的沟槽中,第二外延层的掺杂类型与第一外延层的掺杂类型不同。本申请解决了现有技术中SIC二极管通过离子注入形成的掺杂区的掺杂浓度分布不均匀导致器件的耐高压能力较弱的问题。
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公开(公告)号:CN118937942A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411033021.3
申请日:2024-07-30
申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种功率器件的阈值电压测试电路系统和测试方法,包括待测器件、器件反向偏置电压源、电流源、电压表、栅极正向/反向偏置电压源,所述器件反向偏置电压源并联第一开关驱动支路且电性连接所述待测器件的漏极和源极,所述电流源连接所述待测器件的源极、并经第二开关驱动支路电性连接所述待测器件的栅极,栅极正向/反向偏置电压源经第三开关驱动支路电性连接所述待测器件的栅极,电压表经第二开关驱动支路电性连接所述待测器件的栅极。本发明通过在同一电路中集成化地实现漏极反向偏置、栅极正压偏置、栅极负压偏置,快速切换阈值测试功能,同时实时保护偏置电压施加过程中的栅极,既能进行阈值快速测试,又能够对栅极进行保护。
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公开(公告)号:CN118866974A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202411343002.0
申请日:2024-09-25
申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法,MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区,MOS器件还包括:栅氧层,栅氧层至少与源区接触,栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层,第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料,第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层,第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置,采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧,提高耐击穿属性,降低介质层中的电场强度,减弱FN隧穿电流,提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
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公开(公告)号:CN118866973A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202411342996.4
申请日:2024-09-25
申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/336
摘要: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法,包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层,漂移层具有背离衬底的第一表面,源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸,源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区,第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸,第一注入区具有第一侧面和第二侧面,第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触,第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸,且第三注入区与第二侧面接触,至少一个第三注入区的底面与漂移层接触,第一注入区具有第一掺杂类型,第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
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公开(公告)号:CN118763121A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202411256993.9
申请日:2024-09-09
申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L27/07 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法,沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构,栅沟槽结构包括栅介质层和栅极,栅介质层包括第一区域和第二区域,第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度,第二厚度大于第一厚度;位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构,整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域,漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层,半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型,以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
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