公开(公告)号：CN119943825A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411906273.2

申请日：2024-12-23

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  刘颖聪 ,  张其洋 ,  周天彪

IPC: H01L23/544 ,  H10D62/10 ,  H10D62/83 ,  H10D30/60 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，属于半导体器件生产技术领域。该半导体器件结构包括沿第一方向依次设置的衬底、漂移区和若干保护层，保护层中对应半导体器件的相邻元胞区之间开设有供芯片切割使用的划片道。沿第一方向，划片道截面呈台阶状，且划片道截面宽度逐渐增大；第一方向为半导体器件的背面到正面的方向。该结构通过在保护层形成截面为台阶状的划片道，使得保护层能够大大降低划片过程中高速溅射的碎屑损坏元胞的概率，降低划片过程中产生的崩边；而且台阶状的划片道能够限定划片刀轮的区域，降低刀轮滑刀的概率。