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公开(公告)号：CN119008378A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410972233.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，包括对碳化硅晶圆片的碳化硅衬底的正面进行正面工艺加工，形成正面工艺膜层。在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，第一反应力膜层与正面工艺膜层产生的应力方向相反，第一反应力膜层可以起到缓冲和过渡的作用，第一反应力膜层本身可以调节翘曲应力。本发明在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，可以较好的降低加工过程中产生的应力，从而降低翘曲，进一步降低碳化硅晶圆片的厚度。
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公开(公告)号：CN118588576A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410648967.4
申请日：2024-05-23
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种反馈碳膜质量的工艺方法和碳膜质量的检测方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成参考膜层；采用外延生长工艺在参考膜层背离衬底的一侧形成碳膜；使腐蚀液透过碳膜对参考膜层进行腐蚀，参考膜层形成孔洞，孔洞用于反馈碳膜的当前性能参数；在腐蚀液对参考膜层腐蚀结束后，采用热处理工艺去除碳膜。通过观察参考膜层形成的孔洞的相关参数确定碳膜的当前性能参数，对外延生长工艺的参数进行更新，进而提升半导体器件的碳膜的质量，不需要采用量测机台，进而不会产生清理机台的费用，解决了现有技术中对半导体器件的碳膜质量进行检测的结果不准确，且成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN119008440A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410971832.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种监控碳化硅晶圆翘曲的方法，包括：在碳化硅晶圆表面设置N个采样点，其中，N≥2。测量N个采样点的粗糙度，粗糙度在显微镜下测量得到。根据粗糙度监控研磨质量，粗糙度与碳化硅晶圆的翘曲呈正相关。若研磨质量异常，则更换研磨设备，或调整工艺参数。一个采样点的粗糙度较大，说明碳化硅晶圆在该点的局部翘曲较大；N个采样点的粗糙度均较大，说明碳化硅晶圆整体的翘曲较大。在加工碳化硅晶圆的过程中监控碳化硅晶圆表面N个采样点的粗糙度，根据粗糙度可以及时判断研磨质量是否存在异常，在研磨质量存在异常时，在硬件上更换研磨设备，或在软件上调整工艺参数，可以避免在后续加工过程中出现加工异常。
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公开(公告)号：CN118763121A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411256993.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/07 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
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公开(公告)号：CN119008525A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410972759.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种去掉碳化硅晶圆背面氧化层的方法，包括对碳化硅晶圆的正面进行正面工艺加工，在碳化硅晶圆的正面贴膜。采用腐蚀法去除碳化硅晶圆背面的氧化物，去除碳化硅晶圆正面的薄膜，得到去除氧化物后晶圆。对去除氧化物后晶圆的背面进行减薄，得到减薄后晶圆。由于在碳化硅晶圆的正面贴膜，可以防止在去除氧化物的过程中腐蚀掉正面膜层。在减薄加工之前，先去除碳化硅晶圆背面的氧化物，可以降低减薄工艺的磨损比。相比于采用研磨的方式去除碳化硅晶圆背面的氧化物，采用腐蚀法去除碳化硅晶圆背面的氧化物，可以提高去除氧化物的效率，避免碳化硅晶圆产生较大的翘曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118919521A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410979898.5
申请日：2024-07-22
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/544 , G09F3/02
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法。半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底沿第一方向的一侧的防伪结构，所述防伪结构包括沿所述第一方向层叠的多层干涉层，所述干涉层中具有防伪图案，相邻所述干涉层的折射率不相同；其中，所述第一方向垂直于所述半导体衬底的表面。所述半导体器件的可靠度提高。
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公开(公告)号：CN118692936A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410762141.0
申请日：2024-06-13
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种测试片的制造方法及测试方法，包括：在碳化硅晶圆上生长氧化层；剥除所述氧化层；在碳化硅晶圆上生长栅氧化层；在生长好的栅氧化层上沉积多晶硅层；对多晶硅层进行刻蚀，以形成凹槽，在凹槽的两侧形成测试部；去除碳化硅晶圆上背离所述测试部一侧的多晶硅层和所述氧化层，在所述碳化硅晶圆远离所述测试部的一面上制作金属电极，从而形成测试片，本发明的测试片的制造方法解决了碳化硅功率场效应管器件的栅氧化层性能不方便检测的技术问题。
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公开(公告)号：CN117495790A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311381225.1
申请日：2023-10-23
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G06T7/00
Abstract: 本申请提供了一种防伪检测系统、防伪检测方法及防伪检测装置。该防伪检测系统包括：热处理模块，用于对待检测物进行热处理，其中，待检测物中具有金属薄膜，热处理后的金属薄膜形成无序分布的金属纳米颗粒，金属纳米颗粒周围形成有第一电场，位于第一电场中的金属纳米颗粒构成防伪区域；第一激光模块，用于将第一激光照射至防伪区域，以使第一电场重新分布，得到分布于金属纳米颗粒周围的第二电场，第二电场中的至少两个区域的电场强度不同；采集模块，用于采集第二电场的信息，得到与待检测物对应的防伪信息，由于每一待检测物防伪区域的第二电场分布均不同，从而采用具有该防伪区域的待检测物制作防伪标签，能够具有优异的防伪效果。
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公开(公告)号：CN117451718A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311393276.6
申请日：2023-10-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 钟泳生
Abstract: 本发明提供了一种检测晶圆缺陷信息的方法。晶圆被固定在检测设备上，检测设备的激光发射器发射的激光光束穿过晶圆后照射到图像传感设备上，检测晶圆缺陷信息的方法包括：步骤S10：控制激光发射器发射激光光束并对晶圆扫描，其中，激光光束照射到晶圆后与晶圆中微纳量级的缺陷相互作用激发表面等离激元；步骤S20：图像传感设备接收经晶圆后射出的激光光束，并形成检测电场图；步骤S30：将检测电场图与缺陷库内的缺陷电场图比对，确定晶圆的缺陷类型。本发明解决了现有技术中存在晶圆缺陷的种类不易检测的问题。
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公开(公告)号：CN118763121B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411256993.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/07 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
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