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公开(公告)号：CN119894065A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411914058.7
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开的SiC晶圆结构背银缺陷改善方法及其制作的SiC器件，属于半导体器件加工技术领域。所述方法包括：S1、在SiC衬底正面加工并形成正面工艺膜层；S2、在SiC衬底背面加工背面欧姆金属层；S3、在欧姆金属层表面背金中间金属层；S4、在中间金属层表面通过低温加工方式背金第一银层；S5、在第一银层表面通过高温加工方式背金第二银层。本发明中，高温加工方式背金的第二银层更加致密，抵御高温下测试粗糙化能力更强，但是应力大；故而先通过低温加工方式加工一层粗糙但应力小的第一银层，达到应力逐步释放的目的。这样，背金后的SiC晶圆结构在后续电性能参数CP测试和晶圆可靠性测试过程中，就不会呈现宏观肉眼可见的白斑缺陷。
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