-
公开(公告)号：CN111720532B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910579706.0
申请日：2019-06-28
IPC: F16H59/10
Abstract: 本发明公开一种用于车辆的换挡杆装置，其中永磁体(74)构造成在换挡操作期间在换挡旋转轴(40)的轴向中心处与换挡杆(20)一起旋转，并且具有霍尔传感器(78)的PCB(76)位于面向永磁体(74)的中心的位置。因此，可以准确地识别与离合器的操作有关的信号，从而进一步提高离合器的间歇控制的精度。
-
公开(公告)号：CN111720532A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910579706.0
申请日：2019-06-28
IPC: F16H59/10
Abstract: 本发明公开一种用于车辆的换挡杆装置，其中永磁体(74)构造成在换挡操作期间在换挡旋转轴(40)的轴向中心处与换挡杆(20)一起旋转，并且具有霍尔传感器(78)的PCB(76)位于面向永磁体(74)的中心的位置。因此，可以准确地识别与离合器的操作有关的信号，从而进一步提高离合器的间歇控制的精度。
-
公开(公告)号：CN104576540A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410564455.6
申请日：2014-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/02 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和用于实现该方法的计算系统。制造半导体器件的方法包括：形成靶层；在靶层上形成第一掩模以暴露第一区；随后在靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与第一区分开的第二区；随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将第一区分为在交叉第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区；和使用第一至第三掩模蚀刻靶层，使得第一子区和第二子区以及第二区被限定在靶层中。
-
公开(公告)号：CN103325833A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310089305.X
申请日：2013-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/08 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件。根据该场效应晶体管，源极区和漏极区被提供在衬底上以及鳍部被提供为从衬底突出。鳍部将源极区和漏极区彼此连接。栅电极图案设置在鳍部上并且延伸以交叉鳍部。栅电介质层设置在鳍部和栅电极图案之间。半导体层设置在鳍部和栅电介质层之间。半导体层和鳍部分别具有彼此不同的掺杂剂浓度。
-
公开(公告)号：CN104576540B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201410564455.6
申请日：2014-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和用于实现该方法的计算系统。制造半导体器件的方法包括：形成靶层；在靶层上形成第一掩模以暴露第一区；随后在靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与第一区分开的第二区；随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将第一区分为在交叉第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区；和使用第一至第三掩模蚀刻靶层，使得第一子区和第二子区以及第二区被限定在靶层中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024715A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610177408.5
申请日：2016-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/8244
Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。
-
公开(公告)号：CN103872014A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310653224.8
申请日：2013-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，设置在基底上并且包括第一掺杂区域；第一接触部，沿着第一方向从第一掺杂区域延伸；长通孔，设置在第一接触部上并且共同连接到彼此相邻的第一接触部；以及共导线，设置在长通孔上并且沿着与第一方向交叉的第二方向延伸。共导线使第一掺杂区域彼此电连接。
-
公开(公告)号：CN114792719A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202111651089.4
申请日：2021-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 公开了一种集成电路器件和制造其的方法。该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；沟道区，在鳍型有源区上；栅极线，在鳍型有源区上围绕沟道区并在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；绝缘间隔物结构，覆盖栅极线的栅极侧壁和沟道区的沟道侧壁，其中绝缘间隔物结构包括空气间隔物，该空气间隔物具有在第一水平方向上面对栅极侧壁的第一部分和在第二水平方向上面对沟道侧壁的第二部分。
-
公开(公告)号：CN106024715B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201610177408.5
申请日：2016-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/8244
Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。
-
公开(公告)号：CN103325833B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201310089305.X
申请日：2013-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/08 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供种场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件。根据该场效应晶体管,源极区和漏极区被提供在衬底上以及鳍部被提供为从衬底突出。鳍部将源极区和漏极区彼此连接。栅电极图案设置在鳍部上并且延伸以交叉鳍部。栅电介质层设置在鳍部和栅电极图案之间。半导体层设置在鳍部和栅电介质层之间。半导体层和鳍部分别具有彼此不同的掺杂剂浓度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.034 seconds)
