公开(公告)号：CN113707707B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202110566190.3

申请日：2021-05-24

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 河定穆 ,  禹赫 ,  金信儿 ,  金台烨

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/13 ,  H10D62/17 ,  H10D30/01 ,  H10D30/63

Abstract: 提供了一种功率半导体器件，包括：SiC的半导体层；栅极绝缘层；栅电极层；漂移区，所述漂移区包括所述半导体层中的至少一个突出部分并且具有第一导电类型；阱区，所述阱区包括所述半导体层中的第一阱区并且与所述突出部分接触，以及第二阱区，所述第二阱区位于所述栅电极层外部的半导体层并且连接到所述第一阱区，并且具有第二导电类型；源区，包括第一阱区中的第一源区和第二阱区中并且连接到所述第一源区的第二源区，并且具有第一导电类型；以及栅电极层之下的沟道区，所述沟道区位于所述突出部分和所述第一源区之间的所述半导体层中，并且具有第一导电类型。

公开(公告)号：CN115588668A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210563781.X

申请日：2022-05-23

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 金信儿 ,  金台烨 ,  河定穆 ,  崔东桓 ,  禹赫

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率半导体器件，包括：SiC半导体层；多个阱区，其设置在半导体层中，使得两个相邻的阱区至少部分地彼此接触；多个源区，其设置在半导体层中的多个阱区上；漂移区，其具有第一导电类型；多个沟槽，其设置为从半导体层的表面凹入半导体层中；栅绝缘层，其设置在每个沟槽的内壁上；栅电极层，其设置在栅绝缘层上，并且包括设置在每个沟槽中的第一部分和设置在半导体层上的第二部分；柱区，其位于多个阱区下方，以与漂移区接触；以及多个阱区，其设置在半导体层中，并且具有第二导电类型。

公开(公告)号：CN113707707A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110566190.3

申请日：2021-05-24

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 河定穆 ,  禹赫 ,  金信儿 ,  金台烨

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种功率半导体器件，包括：SiC的半导体层；栅极绝缘层；栅电极层；漂移区，所述漂移区包括所述半导体层中的至少一个突出部分并且具有第一导电类型；阱区，所述阱区包括所述半导体层中的第一阱区并且与所述突出部分接触，以及第二阱区，所述第二阱区位于所述栅电极层外部的半导体层并且连接到所述第一阱区，并且具有第二导电类型；源区，包括第一阱区中的第一源区和第二阱区中并且连接到所述第一源区的第二源区，并且具有第一导电类型；以及栅电极层之下的沟道区，所述沟道区位于所述突出部分和所述第一源区之间的所述半导体层中，并且具有第一导电类型。

公开(公告)号：CN107527943B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201710469418.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 金莹俊 ,  禹赫 ,  金台烨 ,  赵汉信 ,  朴泰泳 ,  李珠焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开涉及功率半导体装置。本发明提供了一种半导体装置，其包括：衬底，包括有源区域和边缘区域并且包含掺杂有具有第一导电类型的杂质的半导体；绝缘膜，设置在衬底的边缘区域上；场板图案，设置在绝缘膜上；以及具有第二导电类型的至少一个第一掺杂区域，被埋入衬底的边缘区域中并且在具有平行于衬底的上表面的矢量分量的方向上延伸。

公开(公告)号：CN110634947B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201910539437.5

申请日：2019-06-20

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 李珠焕 ,  朴泰泳 ,  禹赫 ,  姜旻岐 ,  金莹俊 ,  金台烨 ,  尹成晥 ,  赵善衡 ,  河定穆

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件，包括：第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，呈带状形状，在衬底中在一个方向上平行地延伸并且彼此间隔开；第三沟槽栅极，呈梯状形状，在衬底中在与第一沟槽栅极和第二沟槽栅极之间的一个方向不同的方向上延伸；第一导电类型的体区，分别布置在衬底中在第一沟槽栅极、第二沟槽栅极与第三沟槽栅极之间；一对第一导电类型的浮动第一区，在衬底中围绕第一沟槽栅极和第二沟槽栅极的每个底表面和至少一侧；以及第一导电类型的浮动第二区，在衬底中围绕第三沟槽栅极的底表面。

公开(公告)号：CN114628520A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111491168.3

申请日：2021-12-08

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 金信儿 ,  金台烨 ,  河定穆 ,  禹赫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了功率半导体器件，其包括碳化硅(SiC)半导体层；设置在半导体层中的多个阱区，多个阱区彼此间隔开且具有第二导电类型；分别设置在多个阱区上的半导体层中的多个源极区，其彼此间隔开；具有第一导电类型；以及设置在半导体层中的漂移区，漂移区从多个阱区的下侧穿过多个阱区之间延伸至半导体层的表面；多个沟槽；栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN115602700A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210645131.X

申请日：2022-06-09

Applicant: 现代摩比斯株式会社(KR)

Inventor： 河定穆 ,  禹赫 ,  金台烨 ,  崔东桓 ,  金信儿

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了一种功率半导体器件。功率半导体器件包括：基于碳化硅(SiC)的半导体层；设置为在半导体层内部在垂直方向上延伸并且具有第一导电类型的垂直漂移区；阱区，其定位在垂直漂移区的至少一侧处以与垂直漂移区接触并且具有第二导电类型；凹入栅电极，其从半导体层的表面延伸到半导体层中并且掩埋在垂直漂移区和阱区中以在第一方向上与垂直漂移区和阱区交叉；源区，其在凹入栅电极之间定位在阱区中并且具有第一导电类型；以及绝缘层保护区，其在垂直漂移区中分别围绕凹入栅电极的下部并且具有第二导电类型。本公开的功率半导体器件可以减轻电场集中到栅极层的角部，减小沟道电阻和增大沟道密度。

公开(公告)号：CN113725298A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110580877.2

申请日：2021-05-26

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 河定穆 ,  禹赫 ,  金信儿 ,  金台烨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种功率半导体器件，包括：碳化硅(SiC)的半导体层；在一个方向上延伸的至少一个沟槽；在所述至少一个沟槽的至少内壁上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的至少一个栅极电极层；在所述至少一个栅极电极层的至少一侧的半导体层中形成的漂移区；在所述半导体层中形成得比所述至少一个栅极电极层深的阱区；在所述阱区中形成的源极区；以及在所述漂移区与所述源极区之间、所述至少一个栅极电极层的一侧的半导体层中形成的至少一个沟道区。根据本申请的功率半导体器件可以提供改善的高耐压特性和改善的操作可靠性。