公开(公告)号：CN107527943B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201710469418.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 金莹俊 ,  禹赫 ,  金台烨 ,  赵汉信 ,  朴泰泳 ,  李珠焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开涉及功率半导体装置。本发明提供了一种半导体装置，其包括：衬底，包括有源区域和边缘区域并且包含掺杂有具有第一导电类型的杂质的半导体；绝缘膜，设置在衬底的边缘区域上；场板图案，设置在绝缘膜上；以及具有第二导电类型的至少一个第一掺杂区域，被埋入衬底的边缘区域中并且在具有平行于衬底的上表面的矢量分量的方向上延伸。

公开(公告)号：CN110634947B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201910539437.5

申请日：2019-06-20

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 李珠焕 ,  朴泰泳 ,  禹赫 ,  姜旻岐 ,  金莹俊 ,  金台烨 ,  尹成晥 ,  赵善衡 ,  河定穆

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件，包括：第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，呈带状形状，在衬底中在一个方向上平行地延伸并且彼此间隔开；第三沟槽栅极，呈梯状形状，在衬底中在与第一沟槽栅极和第二沟槽栅极之间的一个方向不同的方向上延伸；第一导电类型的体区，分别布置在衬底中在第一沟槽栅极、第二沟槽栅极与第三沟槽栅极之间；一对第一导电类型的浮动第一区，在衬底中围绕第一沟槽栅极和第二沟槽栅极的每个底表面和至少一侧；以及第一导电类型的浮动第二区，在衬底中围绕第三沟槽栅极的底表面。